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公开(公告)号：CN119987157A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510249624.5
申请日：2025-03-04
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种一维图案的光学临近修正方法、存储介质、电子设备，所述方法包括建立各尺寸的一维图案在各空间环境下模型误差表，所述模型误差表由数值补值表及模型补值表得到，所述数值补值表由各尺寸的一维图案在各空间环境下基于规则的光学临近效应修正获得，所述模型补值表由各尺寸的一维图案在各空间环境下基于模型的光学临近效应修正获得；对一维图案执行基于规则的光学临近效应修正，再执行基于模型的光学临近效应修正，所述规则包括所述数值补值表，所述模型包括所述模型误差表作为校正参数。本发明可用于优化一维图案的光学临近修正。
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公开(公告)号：CN119625043A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411633601.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片对数据库图像比对定位的方法及系统，属于半导体领域。该芯片对数据库图像比对定位的方法包括提供一GDS原始文件，所述GDS原始文件包括集成电路设计时的原始图形；获取原始图形的关键尺寸，筛选原始图形的关键尺寸分别为第一设定值和第二设定值的图形；对晶圆进行刻蚀，获取刻蚀之后的图形；对刻蚀之后的图形进行量测，获取第一图形和第二图形的关键尺寸的变化量，并基于变化量，获取原始图形的关键尺寸的补偿值。本发明通过内差的方式，获取GDS文件中的图形的关键尺寸补偿值，能够避免晶圆刻蚀后的图像，由于收缩或扩张的大小不同，造成检测机台定位失败。
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公开(公告)号：CN119439606A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411452592.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F1/72 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种版图缺陷修正的方法及系统、掩膜版，属于半导体领域。该版图缺陷修正的方法包括提供一版图。筛选出同时存在于第一区域和第二区域的目标图形。基于所述密集图形和孤立图形，获取所述目标图形的过渡区域。对与目标图形相邻的两个图形的线端，沿与目标图形平行的方向做延伸处理，形成延伸图形，以将过渡区域的图形从孤立图形转换为密集图形。本发明通过筛选出目标图形中易出现缺陷的过渡区域，通过对目标图形相邻两个图形做延伸处理，从而能够将过渡区域的孤立图形转换为密集图形，从而，能够增加目标图形的工艺窗口，能够避免金属层出现电流无法顺利传输的问题，提高芯片的良率。
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公开(公告)号：CN119335810A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411692047.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种版图优化方法及系统，属于半导体领域。该版图优化方法包括提供初始版图，所述初始版图包括若干分立排布的主图形；筛选所述主图形中的目标图形，所述目标图形包括第一目标图形和第二目标图形。获取辅助图形的添加规则，在所述第一目标图形的外围添加辅助图形。将两个所述第一辅助图形沿着朝向第二目标图形的方向延伸，并与第二辅助图形延伸的图形连接，形成目标辅助图形。基于所述目标辅助图形，使所述初始版图形成为优化版图。本发明通过采用优化版图进行光刻，当工艺条件发生变化时，在光刻胶层形成的轮廓变化更小。在接下来的刻蚀工艺中，能够保持刻蚀工艺稳定，使得光刻胶层形成的轮廓如预期，提高芯片良率。
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公开(公告)号：CN119987119A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510249622.6
申请日：2025-03-04
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供亚分辨率辅助图形及其形成方法，光刻图形中至少包括相邻的一个第一目标图形和一个第二目标图形，第二目标图形的关键尺寸大于第一目标图形的关键尺寸；依次添加第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形，形成第二亚分辨率辅助图形的禁止区域；判断第二亚分辨率辅助图形的禁止区域与第二目标图形是否接触，若是，则将第二亚分辨率辅助图形移除。本发明在插入第二亚分辨率辅助图形后直接长出一个禁止区域，若禁止区域接触到第二目标图形就把第二亚分辨率辅助图形自身移除。利用此方法不仅不会影响到其他亚分辨率辅助图形摆放，也即不会误删除其他需要的亚分辨率辅助图形，也不用在后续设计规则检测时耗费太多资源。
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公开(公告)号：CN119322424A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411662360.8
申请日：2024-11-20
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法，所述OPC后的检测模型的建立方法，包括：获取OPC后的第一样品图形，第一样品图形在光刻后容易出现光刻胶顶部形貌失真；获取第一样品图形的光学模型及对应的失真等级；对光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，量测数据及量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像；将光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于判定OPC后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。本发明用于优化对部分热点缺陷的检出效果及检出效率。
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公开(公告)号：CN118838110A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411091526.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形及其优化方法，该优化方法为在初始图形包括并排排列且长度不等的密集图形和稀疏图形时，通过在位于密集图形宽度方向至少一侧的稀疏图形末端增加曝光辅助图形，使其沿稀疏图形长度方向延伸，且密集图形长度与稀疏图形的始端和曝光辅助图形的末端之间的距离的差值为密集图形长度的±10％之间，使得集成电路版图中图形密度程度相差减小，密集图形的末端因为有曝光辅助图形的遮挡不会接收到更多的曝光能量，所以不会由于光学临近效应发生“端部膨胀”现象。从而在衬底上转移得到和原始的掩膜版上图形设计相同的图案，减少集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异，从而解决由此导致的接触孔功能性不良和短路等工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN119903804A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411989443.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F16/23 , G06F16/2458
Abstract: 本发明提供一种利用OPC修正数据库的OPC修正方法、系统、终端及介质，通过首先对各版图的每个layer层进行切分，提取出各个layer层的单元元素，进而构建起一个全面的基础图形库。随后，对基础图形库中的每个单元元素实施OPC修正，形成OPC修正数据库。在面对新进版图时，本发明利用已建立的OPC修正数据库，对版图中与基础图形库相匹配的单元元素进行快速修正，并对未匹配部分执行额外修正。这种方法为不同客户的个性化需求提供了一种高效的版图修正解决方案，有效减少了运行时间，提升了研发效率以及生产稳定性。
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公开(公告)号：CN119738997A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510094525.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供OPC模型的修正方法、制作光掩模版的方法及光刻方法，OPC模型的修正方法先建立初始OPC模型；修正初始OPC模型以获得修正后的OPC模型，并对修正后的OPC模型进行收敛度检查直至修正后的OPC模型收敛再进入下一步骤。本发明在修正所述初始OPC模型的步骤中根据修正后的OPC模型的收敛度调整修正次数，达成在不影响OPC模型修正准确度的情况下减少运行时间的效果，也即每一种客户版图文件对应不同的OPC模型修正次数，当OPC模型的修正次数小于标准文件中的修正次数时，无需修正多余的次数，当OPC模型的修正次数大于标准文件中的修正次数时，避免了在修正次数不够，OPC模型没有修正到位的情况下浪费时间跑OPCV的问题。
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公开(公告)号：CN119147548A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411080051.X
申请日：2024-08-07
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G01N21/956 , G06T7/00
Abstract: 一种掩膜的检测方法及装置、计算机可读存储介质、计算机程序产品、终端，所述方法包括：获取目标掩膜，所述目标掩膜是经过光学邻近校正后的掩膜；获取光罩图像，所述光罩图像是基于所述目标掩膜制作得到的掩膜版的图像；根据所述光罩图像和所述目标掩膜的图像差异，检测所述光罩图像和所述目标掩膜的一致性。通过本公开方案能够在二维上实现对掩膜的品质管控，以助于改善掩膜的制作质量。
