公开(公告)号：CN108962776B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201710383479.5

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈龙羿 ,  林新钦 ,  朱嘉鸿 ,  曾云亨 ,  苏香宇 ,  陈开雄 ,  王育青 ,  郑博中 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。

公开(公告)号：CN119292015A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410821117.X

申请日：2024-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  陈桂顺 ,  苏香宇

IPC: G03F9/00 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 一种形成半导体晶粒的方法包含：在一晶圆上方形成一光阻层；将一第一光罩与该晶圆的一第一区域对准；对该光阻层在该晶圆的该第一区域内的一第一部分进行一第一曝光工艺；将一第二光罩与该晶圆的一第二区域对准，其中对准该第一光罩及对准该第二光罩为使用该晶圆的一接合区域内的一对准标记来进行的，该接合区域为该第一区域与该第二区域的一重叠区；对该光阻层在该晶圆的该第二区域内的一第二部分进行一第二曝光工艺；及进行一显影工艺以移除该光阻层的该第一部分及该第二部分。

公开(公告)号：CN108962776A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710383479.5

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈龙羿 ,  林新钦 ,  朱嘉鸿 ,  曾云亨 ,  苏香宇 ,  陈开雄 ,  王育青 ,  郑博中 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/68 ,  H01L21/681

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。