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公开(公告)号：CN119575763A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411732232.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 魅杰光电科技(上海)有限公司
Abstract: 本申请提供一种套刻标记不对称程度计量方法、装置、系统及存储介质，其中基于光学成像系统采集待测目标结构的图像，得到离散采样信号；通过预设算法处理，确定套刻标记的初步中心位置，进而建立分析函数，并对分析函数进行泰勒展开得到各分析项；分析项用于体现待测目标结构中套刻标记的不对称性；统计全局项和局部项，分别根据各分析项对应的误差偏移计算套刻标记不对称性中几何偏移量。利用泰勒展开实现在全局和局部层面上精确量化套刻标记不对称性，实现无损测量手段，量化了目标结构的细微不对称性，不仅提升了不对称形的识别精度，还能用于消除由于不对称性引入的测量误差，提升套刻标记测量的准确度。
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公开(公告)号：CN119439659A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310956230.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种套刻标记、套刻误差测量方法及曝光机台，所述套刻标记包括：光栅图形区域和辅助图形区域，所述光栅图形区域包括多个子区域，各所述子区域包括分别具有第一宽度和第二宽度的两种线条，且具有所述第一宽度的线条和具有所述第二宽度的线条依次交替排布，所述第二宽度小于所述第一宽度；所述辅助图形区域围绕各所述子区域分布；所述辅助图形区域包括亚分辨率线条，所述亚分辨率线条的宽度小于所述第二宽度。本发明提供的所述套刻标记具有两种不同宽度的线条来体现非对称性，满足穿线套刻的需求，另外，本发明提供的所述套刻标记具有辅助线条设计，可以避免边缘效应串扰，从而可以提高标记膜系灵敏度，降低穿线套刻的量测误差。
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公开(公告)号：CN118795737B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410827223.9
申请日：2024-06-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电光高速移相的干涉超分辨光刻系统和方法，该干涉超分辨光刻系统通过分别对两束相位调控后的激光进行偏振方向调控，使得两束激光的偏振方向相同，以保证最高对比度的干涉条纹，减少干涉条纹图案中的伪影，并通过对偏振方向相同的两束激光束的径向相对位置进行调控，从而能够实现对干涉条纹周期方向的灵活调控；本发明还通过对分束的两束激光的相位差进行调控，从而实现对干涉条纹的位置进行灵活调控；基于对干涉条纹的周期方向和位置的灵活调控，从而能够灵活实现各类微结构表面形貌和排列。
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公开(公告)号：CN119414673A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411836890.X
申请日：2020-03-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种用于控制光刻设备的方法，该光刻设备被配置为在至少包括子场的衬底上图案化曝光场，该方法包括：获取初始空间分布，初始空间分布与性能参数的空间变化相关联，性能参数的空间变化在衬底上至少跨曝光场的子场的第一层相关联；以及将初始空间分布至少分解为用于以第一空间尺度控制光刻设备的第一分量空间分布和用于以与子场的尺寸相关联的第二空间尺度控制光刻设备的第二分量空间分布，其中分解包括：基于校正跨子场的性能参数的空间变化来共同优化第一分量空间分布和第二分量空间分布。
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公开(公告)号：CN119381384A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310932318.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/321 , H01L21/3105 , G03F9/00 , H10B63/10 , H10B63/00 , H10B61/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有显露的连接件；形成保护层覆盖衬底；执行第一光刻工艺刻蚀保护层和衬底，以在衬底中形成凹槽；执行化学机械抛光工艺，去除保护层的至少部分厚度；形成存储材料层覆盖衬底和凹槽的内壁；以凹槽作为光刻对准标记，执行第二光刻工艺对存储材料层进行图形化得到存储图形，存储图形覆盖连接件。本发明中在执行第一光刻工艺时利用保护层保护衬底，避免第一光刻工艺对衬底造成损伤，随后采用化学机械抛光工艺去除保护层的至少部分厚度，实现提高半导体器件的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119292017A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411815440.2
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于运动补偿模型的投影光刻机掩膜预对准方法，属于光刻领域。本发明首先建立了掩膜台运动补偿模型，补偿R轴移动带来的旋转偏差以及X、Y方向上的位移误差。接着，基于预对准图像算法获取对准标记的精确坐标，并结合运动补偿模型驱动伺服电机，使掩膜台沿X、Y和R方向进行相应的调整，最终进入对准位置。本发明通过对掩膜台运动的精确控制，确保了掩膜的预对准精度，有效提高了掩膜与硅片对准的整体精度，进而提升了光刻工艺的稳定性和可靠性。本发明在降低对准误差的同时，提高了光刻工艺的生产效率，具有广泛的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN119292015A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410821117.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种形成半导体晶粒的方法包含：在一晶圆上方形成一光阻层；将一第一光罩与该晶圆的一第一区域对准；对该光阻层在该晶圆的该第一区域内的一第一部分进行一第一曝光工艺；将一第二光罩与该晶圆的一第二区域对准，其中对准该第一光罩及对准该第二光罩为使用该晶圆的一接合区域内的一对准标记来进行的，该接合区域为该第一区域与该第二区域的一重叠区；对该光阻层在该晶圆的该第二区域内的一第二部分进行一第二曝光工艺；及进行一显影工艺以移除该光阻层的该第一部分及该第二部分。
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公开(公告)号：CN119278413A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380043046.9
申请日：2023-08-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种确定光刻装置中的光学传感器的污染的方法，该方法包括：使用EUV辐射来照射图案形成装置上的图案；将经图案化的反射EUV辐射朝向光学传感器投射，从而形成图案的空间图像；以及相对于经图案化的反射EUV辐射移动光学传感器，使得由光学传感器测量的EUV辐射的强度根据光学传感器的位置而变化，其中由光学传感器测量的强度经历最小值，并且其中该方法还包括：使用所测量的强度来测量光学传感器的污染。
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公开(公告)号：CN119256275A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380045855.3
申请日：2023-05-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 空间对准图案形成装置和衬底的方法，其中图案形成装置和衬底由包括一个或多个可移动光学部件的光路隔开，该方法包括：‑沿光路投影来自图案形成装置的辐射束；‑执行一个或多个可移动光学部件沿预定轨迹的移位；‑在一个或多个可移动光学部件的移位期间，在多个时刻确定由支撑衬底的衬底台上的传感器接收的辐射束的光学特性；‑基于在多个时刻确定的光学特性，空间对准图案形成装置和衬底。
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公开(公告)号：CN113946104B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110507633.1
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文涉及用于减少套刻误差的系统和方法。提供了半导体处理装置和方法，其中翻转半导体晶圆并且然后分别在通过第一掩模板和第二掩模板在对半导体晶圆的正面和背面进行图案化之间来旋转半导体晶圆。在一些实施例中，方法包括当半导体晶圆的第一侧朝向第一方向时，通过第一掩模板对半导体晶圆的第一侧上的第一层进行图案化。翻转半导体晶圆。在翻转半导体晶圆之后，半导体晶圆的与第一侧相反的第二侧朝向第一方向。然后围绕沿第一方向延伸的旋转轴旋转半导体晶圆，并且通过第二掩模板对半导体晶圆的第二侧上的第二层进行图案化。
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