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公开(公告)号：CN107818938B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201610820532.9
申请日：2016-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供一种运送系统及运送加工元件的方法，该运送系统适用于运送一加工元件，包括：一声波发射装置，配置用以产生声波；以及一承载装置，配置用于承载该加工元件，其中当该加工元件设置于该承载装置之上且该承载装置相对该声波发射装置设置时，该加工元件通过该声波发射装置所产生的声波相对该承载装置移动。
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公开(公告)号：CN103367407B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201210418806.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L29/42372 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括在衬底上方形成的不通电的伪栅极。伪栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。半导体器件包括在衬底上方形成的第一功能栅极。第一功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第一功能栅极在与第一方向垂直的第二方向上与伪栅极分离。第一导电接触件形成在第一功能栅极上。半导体器件包括在衬底上方形成的第二功能栅极。第二功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第二功能栅极在第一方向上与伪栅极对准并且与伪栅极物理分离。第二导电接触件形成在第二功能栅极上。本发明提供了不通电的伪栅极。
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公开(公告)号：CN103247602B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210203689.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L21/823871
Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103066070B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210241809.4
申请日：2012-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L27/0207
Abstract: 本发明提供了集成电路设计方法的一个实施例。该方法包括接收具有多个IC部件的IC设计布局。该方法包括根据IC设计布局标识出：作为第一布局的简单部件，其中第一布局不违背设计规则；以及作为第二布局的复杂部件，其中第二布局违背设计规则。该方法还包括：由第二布局生成第三布局和第四布局，其中，第三布局包括满足设计规则的复杂部件和连接部件，并且第四布局包括修整部件。本发明还提供了一种采用三重图案化的集成电路方法。
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公开(公告)号：CN103367407A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210418806.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L29/42372 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括在衬底上方形成的不通电的伪栅极。伪栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。半导体器件包括在衬底上方形成的第一功能栅极。第一功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第一功能栅极在与第一方向垂直的第二方向上与伪栅极分离。第一导电接触件形成在第一功能栅极上。半导体器件包括在衬底上方形成的第二功能栅极。第二功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第二功能栅极在第一方向上与伪栅极对准并且与伪栅极物理分离。第二导电接触件形成在第二功能栅极上。本发明提供了不通电的伪栅极。
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公开(公告)号：CN103165415A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210213759.9
申请日：2012-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/28132 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L27/10826 , H01L29/42376 , H01L29/517 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在提供的衬底上形成多个线元件。所述多个线元件包括：第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区。所述第二宽度不同于所述第一宽度。然后形成与多个线部件中的包括偏移区的每一个的侧壁邻接的间隔元件，在偏移区所述间隔元件可被移位。在形成所述间隔元件后，从所述衬底去除从衬底开始的所述多个线元件。在去除所述多个线元件后使用所述间隔元件蚀刻下面的层。本发明还公开了具有偏移部件的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1818791B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610003267.1
申请日：2006-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70333 , G03F1/38 , G03F7/703
Abstract: 本发明是有关于一种半导体制程中的微影系统及其方法和用于其中的光罩。该在半导体制程中的微影方法，包括下列步骤：提供一种具有第一及第二聚焦面的光罩，其中该第一及第二聚焦面不同；使用该光罩以在一晶圆上进行第一曝光，以形成一第一影像，其中第一聚焦面是在第一曝光期间聚焦于晶圆；以及使用光罩以在晶圆上进行第二曝光，以形成一第二影像，其中第二聚焦面是在第二曝光期间聚焦于晶圆。本案揭示的一种在半导体制程中的微影方法，包括提供一种用于一晶圆的具有第一及第二聚焦面的光罩。该晶圆包含对应的第一及第二晶圆区。在使用第一聚焦面的第一曝光期间，第一晶圆区接收一第一影像，在使用第二聚焦面的第二曝光期间，该第二晶圆区接收二第二影像。
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公开(公告)号：CN100547739C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710002096.5
申请日：2007-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/30 , H01L21/324 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/26513 , H01L21/2686
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。
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公开(公告)号：CN119292015A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410821117.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种形成半导体晶粒的方法包含：在一晶圆上方形成一光阻层；将一第一光罩与该晶圆的一第一区域对准；对该光阻层在该晶圆的该第一区域内的一第一部分进行一第一曝光工艺；将一第二光罩与该晶圆的一第二区域对准，其中对准该第一光罩及对准该第二光罩为使用该晶圆的一接合区域内的一对准标记来进行的，该接合区域为该第一区域与该第二区域的一重叠区；对该光阻层在该晶圆的该第二区域内的一第二部分进行一第二曝光工艺；及进行一显影工艺以移除该光阻层的该第一部分及该第二部分。
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公开(公告)号：CN110838470B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910760089.4
申请日：2019-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 在制造半导体装置的方法中，制备布局。布局包括主动区域图案、第一鳍切割图案及第二鳍切割图案，其中每个主动区域图案对应于单个或两个鳍结构。选自由第一鳍切割图案及第二鳍切割图案组成的群组的至少一个图案具有非矩形形状。布局通过添加一或多个虚设主动区域图案并且通过将至少一个图案改变为矩形图案来修改。根据包括主动区域图案及虚设主动区域图案的修改布局形成基部鳍结构。根据第一鳍切割图案的修改布局及第二鳍切割图案的修改布局的一个移除基部鳍结构的部分。
