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公开(公告)号：CN119586010A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380050315.4
申请日：2023-06-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H03M1/10 , H01J37/317 , H03M1/66
Abstract: 公开了一种用于控制带电粒子检查系统的偏转器的方法。该方法包括针对带电粒子检查系统中包括的多个数模转换器(DAC)中的每个DAC建立映射关系，该映射关系表征DAC中每一者的非线性行为，确定用于操纵带电粒子检查系统的偏转器的目标控制信号，基于目标控制信号之中的对应目标控制信号和对应映射关系针对多个DAC中的每个DAC确定误差校正数字输入，并将对应的误差校正数字输入输入到DAC中每一者，以使得DAC中每一者能够生成对应的误差补偿输出。
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公开(公告)号：CN111919516B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201980022585.8
申请日：2019-03-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H05G2/00
Abstract: 一种控制用于生成EUV辐射的液滴的形成的装置和方法，该装置和方法包括产生被引导至照射区域的激光束和液滴源的布置。液滴源包括离开喷嘴的流体和具有可电致动元件的子系统，该可电致动元件在流体中产生扰动。液滴源产生束流，该束流分裂成液滴，当液滴朝向照射区域行进时，这些液滴又聚结成较大液滴。通过在束流中的液滴尚未完全聚结的点处观察束流来控制该过程。
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公开(公告)号：CN113966490B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080040913.X
申请日：2020-04-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： O·V·沃兹纳
Abstract: 一种图像形成设备包括：照射系统，可操作以将辐射束引导到第一平面上；第一支撑结构，可操作以支撑第一平面中的第一标识，以及第二支撑结构，可操作以支撑第二平面中的第二标识；投影系统，被布置在第一平面与第二平面之间，以在第三平面中形成第一标识和第二标识的组合图像；以及对准系统，可操作以从组合图像提取数据，以确定第一标识与第二标识之间的对准距离。
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公开(公告)号：CN112782942B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011553685.4
申请日：2020-12-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·V·梅德韦德耶瓦 , M·I·德拉富恩特瓦伦丁 , M·约尔根 , G·博特加尔 , T·扎卡洛普洛
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置方案选择方法，包括：从量测目标获得测量结果，量测目标被定位在半导体晶片上；从器件内目标获得测量结果，器件内目标被定位在所述半导体晶片上；使用量测目标测量结果以及器件内量测测量结果两者来确定用于准确量测的配置方案。
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公开(公告)号：CN119487455A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050902.3
申请日：2023-08-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种以补偿先前低曝光的EUV辐射功率的水平提供衬底上的裸片的部分的额外EUV辐射曝光的方法，该方法使用入射到光刻装置的图案化设备上的EUV辐射功率，该光刻装置包括第一反射镜阵列和第二反射镜阵列，第一反射镜阵列被配置为接收EUV辐射并将该EUV辐射作为辐射子束朝向第二反射镜阵列反射，其中该方法包括旋转第一阵列的反射镜，使得辐射子束的至少一些在向图案化设备的辐射子束传输减少的位置处入射到第二阵列的反射镜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113009782B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110243439.7
申请日：2015-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种抗蚀剂组合物，其包括具有有着选自ABX3、A2BX4或ABX4的化学式的结构的钙钛矿材料，其中A是包含NH3基团的化合物，B是金属并且X是卤化物组分。钙钛矿材料可以包括以下成分中的一种或多种：混合卤素的钙钛矿材料；混合金属的钙钛矿材料，和混合有机配体的钙钛矿材料。
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公开(公告)号：CN119452310A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050535.7
申请日：2023-08-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , E·G·范普特恩
Abstract: 披露了一种暗场量测方法。根据与衍射阶的第一部分相关的第一衍射辐射数据的测量参数确定第一部分电场，并且根据与所述衍射阶的第二部分相关的第二衍射辐射数据的测量参数确定第二部分电场。所述衍射阶的所述第一部分和所述衍射阶的第二部分与检测光瞳平面或其共轭平面的相应的部分相关。根据所述第一部分电场和所述第二部分电场确定所述衍射阶的电场。
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公开(公告)号：CN119452308A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380048452.4
申请日：2023-07-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·爱德华
IPC: G03F7/20 , G01N21/95 , G01N21/956 , G02F1/35 , H05G2/00
Abstract: 一种用于确定第一辐射的至少一个特性和/或第二辐射的至少一个特性的束量测装置，所述第二辐射是在接收到所述第一辐射的第一部分时经由第一非线性过程被产生的；所述束量测装置包括：量测装置非线性介质，其被配置为接收所述第一辐射的第二部分，并由此经由第二非线性过程产生第三辐射；至少一个检测器，其被配置为测量所述第三辐射的至少一个特性；以及处理单元，其能够操作以基于所述第三辐射的所述至少一个特性确定所述第一辐射的至少一个特性和/或所述第二辐射的至少一个特性。
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公开(公告)号：CN119422063A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048670.8
申请日：2023-07-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·拉维钱德兰 , S·帕拉伊尔·文戈帕兰
IPC: G01R31/312
Abstract: 一种用于检查衬底(200)上的导电图案(202)的设备(201)，包括：多个传感器板(204)；台，被配置和布置为支撑衬底；电压源(208)，被配置为在传感器板和衬底上的导电图案之间生成电场；致动器(206)，被配置为相对于衬底移动传感器板；控制器(210)，被配置和布置为当传感器板相对于衬底被移动时，基于在传感器板和衬底之间的电容改变来标识具有缺陷的区域。
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公开(公告)号：CN119422055A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048970.6
申请日：2023-07-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德
IPC: G01N23/2202 , H01J37/02 , G01N1/44 , G01N23/203 , G01N23/2251 , G01N23/2276
Abstract: 本公开涉及用于使用带电粒子评估样品(208)的装置和方法。在一种布置中，脱气作用通过将样品(208)的目标区域暴露于带电粒子以激发脱气来执行。从目标区域脱气的速率在脱气作用期间被测量。样品(208)的评估的启动基于所测量的脱气的速率的特性来控制。样品(208)的评估包括将目标区域暴露于带电粒子并且检测来自目标区域的信号带电粒子。
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