公开(公告)号：CN118824827A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310424697.4

申请日：2023-04-19

申请人： 上海芯之翼半导体材料有限公司

发明人： 孙虎 ,  陶龙海

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

摘要： 本发明公开了一种实现聚焦环自动对中的装置及方法，装置包括：设于基座上的弹性校正环；基座的表面上设有静电吸盘，静电吸盘的外侧用于安装聚焦环；校正环卡接于静电吸盘的侧面上，且校正环的外侧面与静电吸盘的侧面之间呈等距状态；校正环的内径小于静电吸盘的外径，校正环的外径大于聚焦环的内径；通过将聚焦环套设于校正环的外侧面上，使聚焦环在校正环的弹性力作用下，产生相对于静电吸盘的横向自动对中运动，实现聚焦环的自动对中。本发明能在晶圆上获得分布均匀的等离子体，并能防止刻蚀工艺副产物进入到基座内部，保持了基座内部的清洁，从而能提高干法刻蚀的均匀度，具有技术简单，效果明显的优点。

公开(公告)号：CN113410111B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202110800950.2

申请日：2021-07-15

申请人： 上海芯之翼半导体材料有限公司

发明人： 孙虎

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种半导体刻蚀设备，包括：电子吸附盘，用于吸附晶圆；内上电极，设置在电子吸附盘正上方，与电子吸附盘形成电场；环状组件，安装在电子吸附盘一侧；其中，环状组件包括上下依次设置的边缘环、连接环、绝缘环和第二连接件，电子吸附盘上设置有第二连接槽，绝缘环通过设置在第二连接槽内部的第二连接件与电子吸附盘固定连接，第二连接件上设置有第二绝缘件，第二绝缘件包括第二绝缘盖，第二绝缘盖表面一侧设置有连接孔，第二连接件顶端通过连接孔与第二绝缘盖连接，第二绝缘盖侧壁和第二连接槽的内壁螺纹连接，有效减少在绝缘环和电子吸附盘之间的电弧放电现象，对半导体设备起到保护作用。

公开(公告)号：CN118486574A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410167293.6

申请日：2024-02-06

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 当间康 ,  狩俣努 ,  青田佐多司 ,  藤泽新雪

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/18 ,  H01J37/02

摘要： 本发明提供一种抑制绝缘构造体中的放电的绝缘构造体、静电透镜以及带电粒子线装置，绝缘构造体在带电粒子线装置用的真空中使用，其具备阳极、与所述阳极相对的阴极以及配置于所述阳极与所述阴极之间的绝缘体，所述绝缘体具有：绝缘体平坦面；以及从所述绝缘体平坦面突出的绝缘体凸部，所述阴极具有：阴极平坦面；以及从所述阴极平坦面凹陷且与所述绝缘体凸部嵌合的阴极凹部，所述绝缘体平坦面与所述阴极平坦面不接触，所述绝缘体凸部的外表面与所述阴极凹部的内表面不接触。

公开(公告)号：CN118471766A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202310093183.5

申请日：2023-02-09

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 曾武杨 ,  陈臻阳 ,  唐电 ,  张单辉

IPC分类号： H01J37/02 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32 ,  H01B17/56 ,  F16L59/02

摘要： 本发明公开了一种抑制寄生等离子体产生的射频装置，包括：腔体和腔盖，腔盖与腔体组成密闭的沉积反应室；腔盖上设有进气组件和射频组件，进气组件用于输送工艺气体，所述射频组件用于实现工艺气体在辉光放电区电离；腔体内部设有接地带、加热板和顶升组件，加热板顶部用于承载待镀膜工件，加热板底部与顶升组件连接，在顶升组件的驱动下，加热板在沉积反应室的辉光放电区内往复升降，以带动待镀膜工件升降至预设的工位进行镀膜工艺；加热板底部通过接地带与腔体内侧底部连接，以抑制寄生等离子体产生。本发明具有结构紧凑、成本低、易于维护等优点，有效抑制了寄生等离子产生、提升了腔室元器件使用寿命，且腔室的匹配窗口更大。

公开(公告)号：CN111146081B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201911071001.4

申请日：2019-11-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 横山政司 ,  冈野太一 ,  及川翔 ,  河崎俊一 ,  永岩利文

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01J37/02 ,  H01J37/248 ,  H01J37/305

摘要： 本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，其向外周构件施加电压，所述被处理体的处理方法包括以下工序：准备被处理体，被处理体具有被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜上的图案化的掩模；以及对掩模进行处理，其中，对掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至处理容器的工序；以及第一等离子体处理工序，一边向外周构件施加直流电压，一边利用第一处理气体的等离子体对位于被处理体的外周部的掩模进行处理。

公开(公告)号：CN118176561A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280073272.7

申请日：2022-10-05

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 季晓宇 ,  龚子洲 ,  任伟明

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01L21/687 ,  H01J37/26 ,  H01J37/30

摘要： 公开了一种改进的晶片检查方法。该改进的方法包括存储指令集的非暂态计算机可读介质，这些指令可由设备的至少一个处理器执行以使设备执行方法，该方法包括：将晶片放置在载物台上的位置处；以及沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使导电环在距离晶片的边缘的预定距离内；调节施加到导电环的电压或施加到晶片的电压，使得施加到导电环的电压基本上等于施加到晶片的电压，以跨导电环的内部部分和晶片的外部部分提供基本上一致的电场。

公开(公告)号：CN111192805B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201811357861.X

申请日：2018-11-15

申请人： 北京中科信电子装备有限公司

发明人： 李红赛 ,  李士会 ,  雷晓刚

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种离子注入机气动切换装置，包括：支撑架(101)、驱动机构(102)、从动绝缘棒(103)、浪涌抑制组件(104)和到位信号检测(105)，其中支撑架(101)为三角立体结构，主要起到装置的支撑和定位作用；驱动机构(102)主要由气缸固定块、气缸、绝缘棒夹块、开关撞块、调速阀装配而成，通过外围气路的切换，控制绝缘棒夹块实现一定角度内的往复运动；从动绝缘棒(103)由绝缘棒、放电球头、高压导线组成，在驱动机构(102)的带动下，实现接触位置的变换；浪涌抑制组件(104)由三个浪涌抑制放置块和两块低能二极管电路板构成，当从动绝缘棒(103)的放电球头与高电位接触时，实现浪涌抑制的作用；到位信号检测(105)由到位传感器、连接线缆和固定座组成，将切换的状态反馈到控制器、实现切换位置的监测。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。

公开(公告)号：CN117727610B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410172155.7

申请日：2024-02-07

申请人： 国仪量子技术(合肥)股份有限公司

发明人： 郑传懋 ,  吴天成 ,  曹峰 ,  张伟 ,  贺羽

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28

摘要： 本发明公开了一种样品台扫描位点的复位控制方法、装置及系统和存储介质，涉及扫描电镜技术领域，其中复位控制方法包括：获取样品台倾角调节前，样品台上目标扫描点的三轴等效坐标参数、倾斜轴的倾斜角以及旋转轴的旋转角中的至少部分信息，以及样品台倾角调节后，倾斜轴的倾斜角和旋转轴的旋转角；并根据上述参数信息确定三轴平移组件的复位位移量；根据复位位移量控制三轴平移组件的移动，以使样品台的扫描位点复位至样品台倾角调节前的位置。本发明提供的技术方案，能够在调节样品台倾角后自动复位扫描位点，使电子束聚焦位置处的样品扫描位点在倾角调节前后保持一致，提高样品台倾斜/旋转调节复位控制的便捷性和精度。

公开(公告)号：CN117832048A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311868740.2

申请日：2023-12-28

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 张志坤 ,  王曼真 ,  李文兵 ,  吝辉辉

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/24 ,  H01J37/02

摘要： 本发明提供了一种减少离子植入中金属污染的方法，包括以下步骤：调节源磁场电流，获取多组源磁场电流和对应的离子束电流；拟合得到第一拟合曲线；根据第一拟合曲线的最高点对应的源磁场电流确定目标源磁场电流；获取多组源气体流量对应的离子束电流；拟合得到第二拟合曲线；根据第二拟合曲线的最高点对应的源气体流量确定目标源气体流量；获取多组阴极‑灯丝电流和对应的离子束电流；拟合得到第三拟合曲线；根据第三拟合曲线的最高点对应的阴极‑灯丝电流确定目标阴极‑灯丝电流；利用目标源磁场电流、目标源气体流量和目标阴极‑灯丝电流进行离子植入。本方案可以使离子束电流符合需求，并且弧电流较小，从源头减少源腔带来的金属污染。

公开(公告)号：CN117832047A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410047619.1

申请日：2024-01-11

申请人： 国仪清能科技(重庆)有限公司

发明人： 吴泽锋 ,  卢诗毅 ,  黎培聪 ,  曹峰 ,  张伟

IPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/02 ,  H01J37/28 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2204

摘要： 本发明公开了一种样品台的调平方法、调平装置和扫描电镜系统，调平方法包括：确定扫描电镜的电子束流发生及控制系统的参数；基于电镜景深和扫描电镜偏转扫描获得的图形，确定第一调节位点的中心位置、第二调节位点的中心位置和第三调节位点的中心位置；通过多次控制样品台平移，使电子束流分别朝向样品台不在同一直线上的第一调节位点、第二调节位点和第三调节位点的中心位置，并在每次扫描时分别对应调节第一调节位点、第二调节位点和第三调节位点的高度，使扫描电镜获得清晰度高于预设值的图像，且在调节调节位点高度的过程中需要保证已调节好的调节位点的高度不变。本发明提供的技术方案保证系统简洁性的同时，降低了样品台的水平调节难度。