公开(公告)号：CN118486574A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410167293.6

申请日：2024-02-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 当间康 ,  狩俣努 ,  青田佐多司 ,  藤泽新雪

IPC: H01J37/12 ,  H01J37/18 ,  H01J37/02

Abstract: 本发明提供一种抑制绝缘构造体中的放电的绝缘构造体、静电透镜以及带电粒子线装置，绝缘构造体在带电粒子线装置用的真空中使用，其具备阳极、与所述阳极相对的阴极以及配置于所述阳极与所述阴极之间的绝缘体，所述绝缘体具有：绝缘体平坦面；以及从所述绝缘体平坦面突出的绝缘体凸部，所述阴极具有：阴极平坦面；以及从所述阴极平坦面凹陷且与所述绝缘体凸部嵌合的阴极凹部，所述绝缘体平坦面与所述阴极平坦面不接触，所述绝缘体凸部的外表面与所述阴极凹部的内表面不接触。

公开(公告)号：CN117169267A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310632104.3

申请日：2023-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边贤治 ,  村上武司 ,  当间康 ,  田岛凉 ,  狩俣努

IPC: G01N23/2251 ,  G01N23/227

Abstract: 本发明提供评价方法、评价装置及其制造方法，能够评价电子射线观察装置的一次光学系统中电子束的轨迹的偏移。评价方法包括：对照射对象照射由设有多个开口的多波束发生机构生成的一次电子束，取得由来自照射对象的二次电子束形成的第一图像，第一图像包括与设于多波束发生机构的各开口分别对应的多个第一图案；计算第一图案的位置与其目标位置的第一偏移量；对与设于多波束发生机构的多个开口分别对应的多个光电转换部照射光，取得由来自光电转换部的电子束形成的第二图像，第二图像包括与各光电转换部分别对应的多个第二图案；计算第二图案的位置与其目标位置的第二偏移量；根据第一及第二偏移量得到一次光学系统中一次电子束的轨道的偏移。

公开(公告)号：CN101630623B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910164111.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

Abstract: 本发明提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN1820346B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200480019519.9

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC: H01J37/28 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN101630623A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910164111.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN1820346A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019519.9

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC: H01J37/28 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。