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公开(公告)号：CN117169267A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310632104.3
申请日：2023-05-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/227
Abstract: 本发明提供评价方法、评价装置及其制造方法，能够评价电子射线观察装置的一次光学系统中电子束的轨迹的偏移。评价方法包括：对照射对象照射由设有多个开口的多波束发生机构生成的一次电子束，取得由来自照射对象的二次电子束形成的第一图像，第一图像包括与设于多波束发生机构的各开口分别对应的多个第一图案；计算第一图案的位置与其目标位置的第一偏移量；对与设于多波束发生机构的多个开口分别对应的多个光电转换部照射光，取得由来自光电转换部的电子束形成的第二图像，第二图像包括与各光电转换部分别对应的多个第二图案；计算第二图案的位置与其目标位置的第二偏移量；根据第一及第二偏移量得到一次光学系统中一次电子束的轨道的偏移。
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公开(公告)号：CN101630623B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910164111.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01J37/05 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 本发明提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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公开(公告)号：CN1820346B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200480019519.9
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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公开(公告)号：CN101630623A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910164111.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01J37/05 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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公开(公告)号：CN1820346A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019519.9
申请日：2004-04-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01J37/28 , H01L21/66 , G01N23/225
Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。
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