-
公开(公告)号：CN111769026B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910259906.8
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种束流性质的测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯阵列(9)，束流挡板(8)，束流挡板传动装置(51)，前置挡板阵列(19)，前置挡板阵列传动装置(32)，控制器(54)，该方法包括：测量前对各法拉第杯进行等束流校准。法拉第杯阵列从起始位置开始水平移动到结束点，控制器记录法拉第杯阵列在X轴位置的采集值，得出束流剖面信息及均匀性。将前置挡板放下，测量束流在各前置挡板处的水平方向角度以及平行度等。通过束流挡板周期性运动测量束流在垂直方向上的密度分布。通过前置挡板阵列和束流挡板配合运动，测量束流垂直方向的角度以及平行度分布。
-
公开(公告)号：CN111769039B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910258889.6
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/32
Abstract: 本发明属于半导体芯片制造领域，特别涉及低能大束流离子注入机对硅晶圆注入离子工艺中的自动均匀性调节方法。一种低能大束流离子注入机均匀性调节的方法包括：线圈组的调节方法(1)、磁极组的调节方法(2)。其特征是先通过调节低能大束流机台特有的多个通电线圈的电流值，其次调节多个磁极的磁间距值来改变机台磁场分布环境，使离子束均匀注入至硅晶圆表面。其有益效果是：可以代替人工凭经验调节线圈组和磁极组的操作，节约调节均匀性指标的时间，提高晶圆注入剂量精度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN111128661B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201811309628.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Inventor： 董静娟
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种对离子注入过程中的束流突变的分级处理方法。本发明涉及一种离子注入机，其包括：离子源模块12、将离子束加减速、偏转、聚焦等的束线模块14以及终端处理模块16。当离子注入过程中，有瞬态干扰发生时，根据其持续时间进行分级，并对不同级别的突变分别进行处理。
-
公开(公告)号：CN111128662B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811284396.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机中通用可编程的离子束流骤变监测及响应系统，涉及半导体装备制造领域，尤其涉及离子注入机中对离子束流瞬态变化(Glitch)的监测与响应。此系统通过可编程的硬件架构，可快速准确地捕捉Glitch的发生，还可与离子注入机中的剂量控制系统协同作业，实现对Glitch做出微秒级别响应，以解决离子注入机中由于Glitch发生引起的工艺产品失效。
-
公开(公告)号：CN112583343A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910931346.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Inventor： 陶铁
IPC: H02S30/10
Abstract: 本发明公开一种组件新型边框，其新型边框包括长边框、短边框、定位角码。根据组件不同类型、不同尺寸，确定需要的新型边框中长边框、短边框不同尺寸要求。根据不同尺寸需求，组成不同组件类型。本发明在生产过程中可有效兼容不同组件类型、不同尺寸的组件边框要求，具有结构简单、便于操作的特点，降低成本，提高组件可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111769039A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910258889.6
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/32
Abstract: 本发明属于半导体芯片制造领域，特别涉及低能大束流离子注入机对硅晶圆注入离子工艺中的自动均匀性调节方法。一种低能大束流离子注入机均匀性调节的方法包括：线圈组的调节方法(1)、磁极组的调节方法(2)。其特征是先通过调节低能大束流机台特有的多个通电线圈的电流值，其次调节多个磁极的磁间距值来改变机台磁场分布环境，使离子束均匀注入至硅晶圆表面。其有益效果是：可以代替人工凭经验调节线圈组和磁极组的操作，节约调节均匀性指标的时间，提高晶圆注入剂量精度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN111769026A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910259906.8
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种束流性质的测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯阵列(9)，束流挡板(8)，束流挡板传动装置(51)，前置挡板阵列(19)，前置挡板阵列传动装置(32)，控制器(54)，该方法包括：测量前对各法拉第杯进行等束流校准。法拉第杯阵列从起始位置开始水平移动到结束点，控制器记录法拉第杯阵列在X轴位置的采集值，得出束流剖面信息及均匀性。将前置挡板放下，测量束流在各前置挡板处的水平方向角度以及平行度等。通过束流挡板周期性运动测量束流在垂直方向上的密度分布。通过前置挡板阵列和束流挡板配合运动，测量束流垂直方向的角度以及平行度分布。
-
公开(公告)号：CN111192805A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811357861.X
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机气动切换装置，包括：支撑架(101)、驱动机构(102)、从动绝缘棒(103)、浪涌抑制组件(104)和到位信号检测(105)，其中支撑架(101)为三角立体结构，主要起到装置的支撑和定位作用；驱动机构(102)主要由气缸固定块、气缸、绝缘棒夹块、开关撞块、调速阀装配而成，通过外围气路的切换，控制绝缘棒夹块实现一定角度内的往复运动；从动绝缘棒(103)由绝缘棒、放电球头、高压导线组成，在驱动机构(102)的带动下，实现接触位置的变换；浪涌抑制组件(104)由三个浪涌抑制放置块和两块低能二极管电路板构成，当从动绝缘棒(103)的放电球头与高电位接触时，实现浪涌抑制的作用；到位信号检测(105)由到位传感器、连接线缆和固定座组成，将切换的状态反馈到控制器、实现切换位置的监测。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。
-
公开(公告)号：CN111190215A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811357795.6
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明公开了一种双向聚焦质量分析器，包括：磁轭(1)、磁极(2)、线圈(3)、磁屏蔽板(4)、真空盒(5)。质量分析器磁极半径R为400mm，偏转角度为90°，磁极间距D为50mm，焦距1为83mm，入射角α和出射角β均为27.58°，质量分析器的质量分辨率为125。磁屏蔽板(4)距离磁极边界距离为50mm。在离子注入机上，质量分析器的作用是通过加不同的电流，使离子束有不同的运动轨迹，加上分析光栏后即可对离子种类进行筛选。束流通过双向聚焦的质量分析器后，会在水平方向与竖直方向分别对束流产生聚焦作用，在水平方向产生一个焦点，配合分析光栏筛选离子；在竖直方向也有聚焦作用，减小束流竖直方向发散度，提高束流的传输效率。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。
-
公开(公告)号：CN111128658A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811309626.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
Inventor： 马国宇
IPC: H01J37/244
Abstract: 本发明公开了种离子束水平与垂直角度测量装置，包括真空腔体，离子束流在其中传输；水平与垂直角度法拉第测量杯，用于测量离子束流相对于法拉第杯体入射面法线在水平面和垂直面的倾斜角度；水平角度测量驱动电机通过联轴器直接驱动四连杆机构，每个杯体与连杆的终端联接，驱动每个杯体的自转；垂直角度测量驱动电机通过同步带传动机构驱动装有多个法拉第杯体的杯体安装座旋转，所有杯体做公转运动。本发明可用于离子注入机在靶室终端对束流注入角度的测量，通过这些角度参可以调整靶台的位置，这样就提高硅片的离子注入精度，包括注入角度与均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
510
records
(took 0.069 seconds)
