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公开(公告)号：CN111769030B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910258890.9
申请日：2019-04-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , G01T1/29
摘要： 本发明公开了一种竖直方向束流密度的测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯(1)，束流挡板(3)，传动装置(10)，控制器(12)。该方法包括：设定测量精度，精度将决定束流挡板每运动多少距离(6)法拉第杯采集一次值；根据束流挡板底部边缘(4)的位置值记录法拉第杯的采集值，得到采集值数组；当束流挡板顶部边缘(2)位置低于法拉第杯缝口底部边缘(7)时，一次测量结束；将采集值数组元素依次代入说明书中的“束流密度迭代公式”得到束流平均密度数组。
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公开(公告)号：CN111769027B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910259908.7
申请日：2019-04-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , G01B21/22
摘要： 本发明公开了一种竖直方向束流角度的连续测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯(5)，束流挡板(4)，前置角度挡板(3)，束流挡板传动装置(35)，前置挡板传动装置(42)，控制器(37)。该方法包括：束流挡板停在起始点(36)，前置挡板向下运动到结束点(50)，控制器(37)采集束流值大小，判断是否满足测量条件。前置挡板向下运动，每到达一个角度测量点(51)便停止运动，此时束流挡板开始向下运动，并开始不断采集束流值。当前置挡板到达结束点时结束测量，分析每组束流采集值得出束流挡板的临界位置(49)。经过数据处理，得到与测量点一一对应的束流角度大小(18)。
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公开(公告)号：CN106653535A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510741689.8
申请日：2015-11-04
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
发明人： 田龙
IPC分类号： H01J37/244
摘要： 本发明公开了一种非接触高压监测报警的方法，属于半导体制造领域。此非接触高压监测报警的方法包括：1、测试探头；2、信号调理电路；3、发光报警电路；4、蜂鸣报警电路；5、门连锁控制电路；6、电源转换电路等。测试探头将离子注入机高压区域的强电场转换为一定幅度的小信号，送入信号调理电路进行调整和判断，根据监测区域有无高压进行声光报警，且根据门联锁状态进行分级报警。本设计中还包含了一个电源转换电路，能够将外界电压转化为各电路工作电压。此高压监测方法采用非接触方式监测离子注入机高压区域是否存在高压，以保证操作者的人身安全，从而达到安全生产维护目的。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。
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公开(公告)号：CN111128662A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811284396.1
申请日：2018-10-31
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304
摘要： 本发明公开了一种离子注入机中通用可编程的离子束流骤变监测及响应系统，涉及半导体装备制造领域，尤其涉及离子注入机中对离子束流瞬态变化(Glitch)的监测与响应。此系统通过可编程的硬件架构，可快速准确地捕捉Glitch的发生，还可与离子注入机中的剂量控制系统协同作业，实现对Glitch做出微秒级别响应，以解决离子注入机中由于Glitch发生引起的工艺产品失效。
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公开(公告)号：CN109671606A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710957037.7
申请日：2017-10-16
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304
摘要： 本发明涉及一种离子注入机中剂量控制系统，属于半导体制造领域。一种离子注入机中剂量控制系统，包括上位机(1)、光缆(2)、嵌入式系统(3)、法拉第筒(4)、同轴电缆(5)、剂量控制器(10)及其内部的档位选择与AD转换模块(6)、束流检测设备(7)、波形发生器(8)、X/Y向扫描电源(9)。说明书对一种离子注入机中剂量控制系统做出了详细说明，并给出了具体实施例。
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公开(公告)号：CN109309023A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710618833.8
申请日：2017-07-26
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
发明人： 田龙
摘要： 本发明公开了一种通用的监测离子束流分布的方法，这种方法通过一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流，通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通，I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集，控制器(5)通过信息整合，实现监测离子束流形状及分布的功能。本方法可以监测离子束流的分布及状态变化，提高束流检测的实时性及可观性；且实现一个束流采集电路对多个小法拉第杯(6)的束流采集，大大简化了采集转换电路。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。
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公开(公告)号：CN111769030A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910258890.9
申请日：2019-04-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , G01T1/29
摘要： 本发明公开了一种竖直方向束流密度的测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯(1)，束流挡板(3)，传动装置(10)，控制器(12)。该方法包括：设定测量精度，精度将决定束流挡板每运动多少距离(6)法拉第杯采集一次值；根据束流挡板底部边缘(4)的位置值记录法拉第杯的采集值，得到采集值数组；当束流挡板顶部边缘(2)位置低于法拉第杯缝口底部边缘(7)时，一次测量结束；将采集值数组元素依次代入说明书中的“束流密度迭代公式”得到束流平均密度数组。
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公开(公告)号：CN108735644A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710273834.3
申请日：2017-04-25
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
发明人： 田龙
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/681
摘要： 本发明公开了一种硅片定向及位置补偿的方法，包括：工控机(1)、运动控制模块(2)、图像识别模块(3)、定向模块(4)、传输模块(5)。图像识别模块(3)获取位于定向模块(4)上的硅片图像信息，并对此图像信息进行分析处理得到硅片的轴线及notch等信息，再通过算法得出硅片所需的定向角度补偿及位置补偿量，并将上述补偿信息上传工控机(1)，工控机(1)通过相应软件程序将补偿信息传到运动控制模块(2)，运动控制模块(2)控制定向模块(4)完成硅片的定向功能，同时控制传输模块(5)完成硅片的位置补偿功能。
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公开(公告)号：CN111769026B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910259906.8
申请日：2019-04-02
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种束流性质的测量装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：法拉第杯阵列(9)，束流挡板(8)，束流挡板传动装置(51)，前置挡板阵列(19)，前置挡板阵列传动装置(32)，控制器(54)，该方法包括：测量前对各法拉第杯进行等束流校准。法拉第杯阵列从起始位置开始水平移动到结束点，控制器记录法拉第杯阵列在X轴位置的采集值，得出束流剖面信息及均匀性。将前置挡板放下，测量束流在各前置挡板处的水平方向角度以及平行度等。通过束流挡板周期性运动测量束流在垂直方向上的密度分布。通过前置挡板阵列和束流挡板配合运动，测量束流垂直方向的角度以及平行度分布。
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公开(公告)号：CN111128662B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811284396.1
申请日：2018-10-31
申请人： 北京中科信电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304
摘要： 本发明公开了一种离子注入机中通用可编程的离子束流骤变监测及响应系统，涉及半导体装备制造领域，尤其涉及离子注入机中对离子束流瞬态变化(Glitch)的监测与响应。此系统通过可编程的硬件架构，可快速准确地捕捉Glitch的发生，还可与离子注入机中的剂量控制系统协同作业，实现对Glitch做出微秒级别响应，以解决离子注入机中由于Glitch发生引起的工艺产品失效。
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