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公开(公告)号：CN108345177A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710060271.X
申请日：2017-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供层迭误差测量装置及方法。装置包括光源、光学系统、物镜及检测器。光源用于产生测量光。光学系统用于将测量光导引至物镜中。物镜用于将测量光导引至一层迭标记上，同时将从层迭标记绕射的正主极绕射光与负主极绕射光收集至物镜的光瞳面上。检测器设置于物镜的光瞳面上，用于检测前述正、负主极绕射光的光强度分布，并利用正、负主极绕射光的所述光强度分布相减而得到层迭标记的一层迭误差信号。其中，光学系统包括一光圈，其具有至少一透光区域，其位置、尺寸及/或形状根据层迭误差信号中的噪声的位置为可调变的。本公开提供的层迭误差测量装置能够改善层迭误差信号的品质，并可提高层迭误差检测的准确度。
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公开(公告)号：CN105988307A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610135755.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/70483 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F9/7026 , G03F7/7085
Abstract: 半导体制造中的结构至少包括第一周期性的非对称的部件和第二周期性的非对称的部件。第一部件包含多个周期性分布的第一元件。第一部件具有第一非对称的轮廓，使得当第一部件旋转180度时，第一部件不再具有相同的第一非对称的轮廓。第二部件包含多个周期性分布的第二元件。第二部件具有第二非对称的轮廓，使得当第二部件旋转180度时，第二部件不再具有相同的第二非对称的轮廓。第二非对称的轮廓不同于第一非对称的轮廓。本发明的实施例还涉及用于预估曝光工艺的焦点和剂量的方法和装置。
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公开(公告)号：CN108345177B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710060271.X
申请日：2017-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供层迭误差测量装置及方法。装置包括光源、光学系统、物镜及检测器。光源用于产生测量光。光学系统用于将测量光导引至物镜中。物镜用于将测量光导引至一层迭标记上，同时将从层迭标记绕射的正主极绕射光与负主极绕射光收集至物镜的光瞳面上。检测器设置于物镜的光瞳面上，用于检测前述正、负主极绕射光的光强度分布，并利用正、负主极绕射光的所述光强度分布相减而得到层迭标记的一层迭误差信号。其中，光学系统包括一光圈，其具有至少一透光区域，其位置、尺寸及/或形状根据层迭误差信号中的噪声的位置为可调变的。本公开提供的层迭误差测量装置能够改善层迭误差信号的品质，并可提高层迭误差检测的准确度。
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公开(公告)号：CN108227394A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710984884.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种叠对监测及控制方法，包括通过一图案化机台以图案化一基板、从基板上的多个场域收集多个叠对误差、通过应用第一过滤操作及不同于第一过滤操作的第二过滤操作从多个叠对误差识别噪声。上述方法进一步包括将未被识别为噪声的多个叠对误差分类为一过滤后的叠对误差集合。基于过滤后的叠对误差集合计算一叠对补偿，并且根据此叠对补偿执行一补偿程序到图案化机台。本公开提供一种叠对监测及控制方法可达到全映射(full mapping)及场域内高阶程序校正，而不需减少光刻曝光制程的生产率，亦提供动态前馈的控制以减少叠对误差，提升晶圆与晶圆以及批次与批次间的叠对品质。
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公开(公告)号：CN108226760B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201711066881.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/311
Abstract: 一种覆盖量测方法，包括：利用多彩光束照亮覆盖目标；搜集与由多彩光束通过覆盖目标而产生的衍射光谱有关的强度信息，其中衍射光谱将多彩光束分离为多个衍射光束，衍射光束的每一者分别对应至多彩光束的一波长；以及根据与衍射光谱有关的强度信息产生覆盖信息，覆盖信息包括因不对称性而产生的覆盖误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108962776A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710383479.5
申请日：2017-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/68 , H01L21/681
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。
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公开(公告)号：CN105988307B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610135755.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体制造中的结构至少包括第一周期性的非对称的部件和第二周期性的非对称的部件。第一部件包含多个周期性分布的第一元件。第一部件具有第一非对称的轮廓，使得当第一部件旋转180度时，第一部件不再具有相同的第一非对称的轮廓。第二部件包含多个周期性分布的第二元件。第二部件具有第二非对称的轮廓，使得当第二部件旋转180度时，第二部件不再具有相同的第二非对称的轮廓。第二非对称的轮廓不同于第一非对称的轮廓。本发明的实施例还涉及用于预估曝光工艺的焦点和剂量的方法和装置。
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公开(公告)号：CN108962776B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201710383479.5
申请日：2017-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法，包括：对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量，以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值，以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值；以及根据第一绕射强度差值与第二绕射强度差值的平均值，取得对应第一测试目标的第三绕射强度差值。
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公开(公告)号：CN108226760A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711066881.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/311
CPC classification number: G01J3/28 , G01J3/2803 , G01J2003/2806 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F9/7065 , G01R31/311
Abstract: 一种覆盖量测方法，包括：利用多彩光束照亮覆盖目标；搜集与由多彩光束通过覆盖目标而产生的衍射光谱有关的强度信息，其中衍射光谱将多彩光束分离为多个衍射光束，衍射光束的每一者分别对应至多彩光束的一波长；以及根据与衍射光谱有关的强度信息产生覆盖信息，覆盖信息包括因不对称性而产生的覆盖误差。
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公开(公告)号：CN100342499C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510055283.0
申请日：2005-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B51/00 , G05B19/04
CPC classification number: B24B37/042 , B24B49/00
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨制程控制方法，帮助在半导体制程中从一批量的晶圆移除材料量的均匀性，且可适用于复杂的制程，例如：浅沟槽隔离制造程序。此方法包括：提供具有一组试作晶圆与一组剩余晶圆的数个晶圆，依据初始制程时间对试作晶圆进行研磨，决定出试作晶圆的补偿时间，再将初始制程时间加上补偿时间以决定更替时间，并依据更替时间对剩余晶圆进行研磨。
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