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公开(公告)号：CN106062634B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201580009509.5
申请日：2015-01-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70633 , G01N21/47 , G01N21/8806 , G01N2201/12 , G03F7/70683
Abstract: 公开了一种测量用于涉及光刻术的制造过程的过程参数的方法。在所公开的布置中，所述方法包括在衬底上的区域中进行对于重叠误差的第一测量和第二测量、以及基于对于重叠误差的第一测量和第二测量获得过程参数的量度。对于重叠误差的第一测量被设计成对所述过程参数的扰动的灵敏度比对于重叠误差的第二测量对所述过程参数的扰动的灵敏度高出一已知的量。
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公开(公告)号：CN109786277A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811019709.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/0616 , G01N21/8422 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G03F7/2043 , G03F7/70633 , H01L22/12
Abstract: 一种对薄膜执行计量分析的方法包括：将辐射耦合到邻近所述薄膜的表面设置的光学元件中。所述辐射被耦合成使得所述辐射在所述光学元件与所述薄膜之间的界面处被全内反射。在所述界面处产生的消散辐射穿透所述薄膜。所述方法还包括：分析被所述薄膜散射的所述消散辐射以获得所述薄膜的性质。
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公开(公告)号：CN109690416A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780037914.7
申请日：2017-06-15
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 麦可·B·宾纳德
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/70358 , G03F7/70633 , G03F7/70725
Abstract: 一种极紫外光刻系统(10)，其在工件(22)上产生具有多条密集填充平行线(332)的新图案(330)，所述系统(10)包括：图案化元件(16)；EUV照射系统(12)，该EUV照射系统将极紫外光束(13B)引导到所述图案化元件(16)处；投影光学组件(18)，该投影光学组件将从所述图案化元件(16)衍射的所述极紫外光束引导到所述工件(22)处，以在第一扫描(365)期间产生大致平行线(332)的第一条带(364)；以及控制系统(24)。所述工件(22)包括畸变的已有图案(233)。所述控制系统(24)在所述第一扫描(365)期间选择性地调节控制参数，使得所述第一条带(364)畸变成更精确地覆盖已有图案的位于所述第一条带(364)下的部分。
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公开(公告)号：CN108475026A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005930.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： B·戈洛瓦尼夫斯基
CPC classification number: G06F17/5068 , G03F7/70508 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 本发明提供计量叠加目标以及监测工艺缺点的方法。目标包括周期性结构，所述周期性结构中的至少一者包括沿着所述周期性结构的对应分段方向的重复不对称元件。举例来说，可以不同方式将所述元件的不对称性设计为沿着垂直于所述元件的所述分段方向的方向重复的不对称子元件。可根据所监测工艺缺点的类型(例如各种类型的热点、线边缘缩短、工艺窗参数等等)来以不同方式设计所述子元件的不对称性。测量的结果可用于改进工艺及/或提高计量测量的精度。
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公开(公告)号：CN105359039B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480037975.X
申请日：2014-06-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 理查德·金塔尼利亚
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/70625 , G01N21/95623 , G01N2201/061 , G01N2201/08 , G01N2201/12 , G03F7/70633
Abstract: 本发明确定衬底(W)上的目标(30)的性质，诸如晶片上的光栅。一种检验设备具有照射源(702，710)，所述照射源在高数值孔径的物镜(L3)的光瞳平面中具有两个或更多个照射束(716，716’，716”，716”’)。相对于衬底的平面从不同的入射角经由物镜照射衬底和目标。在四个照射束的情况下，四光楔光学装置(QW)被用于使从衬底散射的辐射的衍射级分离地改变方向，并且使衍射级与两个或更多个照射束分离。例如，四个第零衍射级被针对于四个入射方向分离。在多模光纤(MF)中的捕获之后，分光计(S1‑S4)被用于测量所述被分离地改变方向的第零衍射级的强度，作为波长的函数。然后，这可以用于确定目标的性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104517965B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201310706258.9
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/0688 , G03F7/70633 , G03F9/7073 , G03F9/708 , H01L21/8234 , H01L23/544 , H01L27/092 , H01L27/1207 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构和一种半导体器件结构的制造方法。在衬底上方形成第一器件层，其中，在第一器件层中图案化对准结构。在第一器件层上方提供介电层。介电层被图案化以包括位于对准结构上方的开口。在介电层上方形成第二器件层。使用掩模层来图案化第二器件层，其中，掩模层包括相对于对准结构对准的结构。对准结构在图案化第二器件层期间通过开口是可见的。
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公开(公告)号：CN108292106A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068551.9
申请日：2016-09-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G02B21/24 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/70133 , G01N21/956 , G02B21/242 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 一种方法包括：获得由目标重新定向的测量辐射的多个辐射分布，多个辐射分布中的每个辐射分布在目标和测量设备的光学元件之间的不同间隙距离处被获得，光学元件是用于向目标提供测量辐射的、距离目标最近的光学元件；以及结合描述测量目标的数学模型，使用多个辐射分布的数据来确定与目标有关的参数。
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公开(公告)号：CN108226760A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711066881.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/311
CPC classification number: G01J3/28 , G01J3/2803 , G01J2003/2806 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F9/7065 , G01R31/311
Abstract: 一种覆盖量测方法，包括：利用多彩光束照亮覆盖目标；搜集与由多彩光束通过覆盖目标而产生的衍射光谱有关的强度信息，其中衍射光谱将多彩光束分离为多个衍射光束，衍射光束的每一者分别对应至多彩光束的一波长；以及根据与衍射光谱有关的强度信息产生覆盖信息，覆盖信息包括因不对称性而产生的覆盖误差。
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公开(公告)号：CN104903705B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201380069795.5
申请日：2013-11-25
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G02B27/58 , G01B11/00 , G01N21/47 , G01N21/55 , G01N2201/06113 , G01N2201/068 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 本发明涉及用于光瞳成像散射测量的各种变迹方案。在一些实施例中，系统包含安置于照明路径的光瞳平面内的变迹器。在一些实施例中，所述系统进一步包含经配置以用变迹照明的至少一部分来扫描样本的表面的照明扫描仪。在一些实施例中，所述系统包含经配置以提供四极照明功能的变迹光瞳。在一些实施例中，所述系统进一步包含变迹收集场光阑。本文中描述的各种实施例可经组合以实现某些优点。
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公开(公告)号：CN106462089B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201580030769.0
申请日：2015-05-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F9/7046 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F7/70633 , G03F7/70775 , G03F9/7003 , G03F9/7049 , G03F9/7073
Abstract: 描述了一种曝光方法，该方法包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，第一图案包括至少一个对准标记；b)测量多个对准标记的位置，并且针对多个对准标记中的每一个，将对准标记位移(dx，dy)确定为对准标记的相应预定标称位置与对准标记的相应测量位置之差；c)将数学模型拟合到多个对准标记位移以获得拟合的数学模型，d)基于拟合的数学模型，确定第一图案在多个目标部分中的每一个中的位置；e)使用多个目标部分中的每一个中的所确定的第一图案的位置将第二图案转移到多个目标部分中的每一个上，其中数学模型包括多项式Z1和Z2：在极坐标(r,θ)中Z1＝r2 cos(2θ)Z2＝r2 sin(2θ)，在笛卡尔坐标(x,y)中Z1＝x2‑yZ2＝xy。
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