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公开(公告)号：CN117434088A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311501367.7
申请日：2019-01-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·库马尔 , 理查德·金塔尼利亚 , M·G·M·M·范卡拉埃吉 , 康斯坦丁·特斯古特金 , W·M·J·M·考恩
Abstract: 公开了一种检测诸如反射性掩模衬底的衬底上的缺陷的方法以及相关联的设备。所述方法包括使用第一检测辐射来执行检测，第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。还公开了一种方法，该方法包括使用第一检测辐射来进行粗略检测(310)，第一检测辐射具有在第一波长范围内的一个或多个第一波长；以及使用第二检测辐射来执行精细检测(320)，第二检测辐射具有在第二波长范围内的一个或多个第二波长，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围的波长短的波长。
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公开(公告)号：CN107924119B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201680047830.7
申请日：2016-08-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 理查德·金塔尼利亚
Abstract: 一种产品结构(407、330’)形成有缺陷(360至366)。在所述产品结构(604)上提供至少部分地相干的EUV辐射的光斑(S)，以捕获由所述辐射在被所述产品结构散射之后形成的至少一个衍射图案(606)。参考数据(612)描述名义产品结构。从所捕获的图像数据计算所述产品结构的至少一个合成图像(616)。比较来自所述合成图像的数据与所述参考数据以识别所述产品结构中的缺陷(660至666)。在一个实施例中，使用一系列重叠光斑(S(1)至S(N))来获得多个衍射图案，且使用所述衍射图案和相对移位的知识来计算所述合成图像。所述EUV辐射可具有在5nm至50nm的范围内的波长，接近于所述感兴趣结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN107924118B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201680047436.3
申请日：2016-08-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 通过至少第一次用由逆康普顿散射而产生的EUV辐射(304)来照射通过光刻术制成或用于光刻术中的目标结构(T)来检查所述结构。检测(312)在反射或透射中由所述目标结构散射的辐射(308)，且通过处理器(340)基于所检测的散射辐射来计算所述目标结构的属性。所述辐射可以具有在0.1纳米至125纳米的EUV范围内的第一波长。通过使用同一源且控制电子能量，可以用在所述EUV范围内的不同波长和/或用较短(x射线)波长和/或用较长(UV光、可见光)波长来照射所述结构多次。通过在逆康普顿散射源中快速切换电子能量，可以每秒多次进行用不同波长的照射。
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公开(公告)号：CN108431692A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074852.2
申请日：2016-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/70633 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F7/70625 , G03F7/7065 , H05G2/008
Abstract: 一种混合量测设备(1000、1100、1200、1300、1400)测量通过光刻制造的结构(T)。一种EUV量测设备(244，IL1/DET1)利用EUV辐射照射所述结构且从所述结构检测第一光谱。另一种量测设备(240，IL2/DET2)利用包括EUV辐射或较长波长辐射的第二辐射照射所述结构且检测第二光谱。处理器(MPU)将所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱一起使用来确定所述结构的属性(CD/OV)。所述光谱可按照各种方式组合。例如，所检测到的第一光谱可用来控制用以捕捉所述第二光谱的检测和/或照射的一个或更多个参数，反之亦然。第一光谱可用于区分结构中的不同层(T1，T2)的属性。第一和第二辐射源(SRC1，SRC2)可共用一种公共驱动激光器(LAS)。
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公开(公告)号：CN110799903B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201880041728.5
申请日：2018-05-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定边缘粗糙度参数的方法，包括以下步骤：(1010)控制辐射系统以在用于接收衬底的测量位置处提供辐射斑；(1020)接收来自传感器的测量信号，所述传感器用于当量测目标被所述辐射斑照射时测量在所述测量位置处被所述量测目标衍射的禁用衍射阶(诸如第二阶)的强度，所述量测目标包括重复图案，所述重复图案被配置成通过(约0.5的)线宽/节距比率的配置来控制导致衍射阶的禁用的相消干涉的量，所述传感器被配置为基于所测量的强度来提供所述测量信号；和(1040)基于所述禁用衍射阶的所测量的强度确定边缘粗糙度参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113376975A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110694822.4
申请日：2016-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/88 , H05G2/00
Abstract: 本申请提供了一种用于测量通过光刻过程在衬底上制造的多个结构的属性的混合量测设备、测量通过光刻过程制造的多个结构的属性的方法、器件制造方法和计算机程序产品。该混合量测设备包括：第一照射系统，用于利用第一辐射照射第一结构；第一检测系统，用于检测包括由第一结构反射的第一辐射的至少部分的第一光谱；第二照射系统，用于利用第二辐射照射第二结构；第二检测系统，用于检测包括由第二结构反射的第二辐射的至少部分的第二光谱；处理系统，用于使用所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱来确定光刻过程的所关注参数，第二检测系统和第一检测系统在同一波段内以不同方式操作或在不同波段中操作。
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公开(公告)号：CN108431692B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680074852.2
申请日：2016-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
Abstract: 一种混合量测设备(1000、1100、1200、1300、1400)测量通过光刻制造的结构(T)。一种EUV量测设备(244，IL1/DET1)利用EUV辐射照射所述结构且从所述结构检测第一光谱。另一种量测设备(240，IL2/DET2)利用包括EUV辐射或较长波长辐射的第二辐射照射所述结构且检测第二光谱。处理器(MPU)将所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱一起使用来确定所述结构的属性(CD/OV)。所述光谱可按照各种方式组合。例如，所检测到的第一光谱可用来控制用以捕捉所述第二光谱的检测和/或照射的一个或更多个参数，反之亦然。第一光谱可用于区分结构中的不同层(T1，T2)的属性。第一和第二辐射源(SRC1，SRC2)可共用一种公共驱动激光器(LAS)。
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公开(公告)号：CN111051984A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880047778.4
申请日：2018-07-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于检测被规则结构衍射的衍射辐射的检测器，所述检测器包括：传感器，其用于感测所述衍射辐射的至少一部分，所述传感器具有第一区和第二区；第一涂层，其被配置成允许波长在第一波长范围内的辐射透射；以及第二涂层，其被配置成允许波长在第二波长范围内的辐射透射；其中，所述第一涂层涂覆所述传感器的第一区，并且所述第二涂层涂覆所述感测器的第二区，并且其中，所述第一区和所述第二区是不同的区。
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公开(公告)号：CN113376975B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110694822.4
申请日：2016-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/88 , H05G2/00
Abstract: 本申请提供了一种用于测量通过光刻过程在衬底上制造的多个结构的属性的混合量测设备、测量通过光刻过程制造的多个结构的属性的方法、器件制造方法和计算机程序产品。该混合量测设备包括：第一照射系统，用于利用第一辐射照射第一结构；第一检测系统，用于检测包括由第一结构反射的第一辐射的至少部分的第一光谱；第二照射系统，用于利用第二辐射照射第二结构；第二检测系统，用于检测包括由第二结构反射的第二辐射的至少部分的第二光谱；处理系统，用于使用所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱来确定光刻过程的所关注参数，第二检测系统和第一检测系统在同一波段内以不同方式操作或在不同波段中操作。
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公开(公告)号：CN111670412B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980011024.8
申请日：2019-01-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·库马尔 , 理查德·金塔尼利亚 , M·G·M·M·范卡拉埃吉 , 康斯坦丁·特斯古特金 , W·M·J·M·考恩
Abstract: 公开了一种检测诸如反射性掩模衬底的衬底上的缺陷的方法以及相关联的设备。所述方法包括使用第一检测辐射来执行检测，第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。还公开了一种方法，该方法包括使用第一检测辐射来进行粗略检测(310)，第一检测辐射具有在第一波长范围内的一个或多个第一波长；以及使用第二检测辐射来执行精细检测(320)，第二检测辐射具有在第二波长范围内的一个或多个第二波长，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围的波长短的波长。
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