公开(公告)号：CN107003249B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201580059575.3

申请日：2015-11-04

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 陈宏 ,  肯翁·吴 ,  M·普利哈尔 ,  V·潘季塔 ,  R·萨那帕拉 ,  V·巴加特 ,  R·拉克哈瓦特 ,  O·巴里斯 ,  R·拉马钱德兰 ,  N·哈克

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N21/95

CPC分类号： H01J37/28 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8854 ,  G01N2021/8883 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7065 ,  H01J2237/24592

摘要： 本发明提供用于发现晶片上的缺陷的系统及方法。一种方法包含通过在晶片的第一扫描中将阈值应用于由检测器产生的输出来检测所述晶片上的缺陷，且确定经检测的缺陷的特征的值。所述方法还包含自动对所述特征排名、识别特征裁切线，以将所述缺陷分组成筐，且对于所述筐中的每一者，确定在被应用于所述筐中的每一者中的缺陷的特征的值时将导致所述筐中的每一者中的预定数量的缺陷的一或多个参数。所述方法还包含在所述晶片的第二扫描中将所述一或多个经确定的参数应用于由所述检测器产生的输出以产生缺陷群体，其具有预定缺陷计数，且以所述特征的值多样化。

公开(公告)号：CN107636449A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680028562.4

申请日：2016-05-16

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 赵伟 ,  K·P·格罗斯 ,  I·贝泽尔 ,  M·潘泽尔

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N21/95 ,  G03F7/20

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/8806 ,  G01N2021/8845 ,  G03F7/7065

摘要： 本发明揭示一种用于以经光谱滤波的照明源来照明样本的系统，所述系统包含经配置以产生具有第一组波长的照明光束的照明源。此外，所述系统包含波长滤波子系统、样本载台、照明子系统、检测器，及用以聚焦来自一或多个样本的表面的照明且将所述聚集的照明聚焦到所述检测器的物镜。此外，所述波长滤波子系统包含：经定位以将空间色散引入到所述光束中的一或多个第一色散元件、空间滤波器元件，及经定位以从所述光束中移除空间色散的一或多个色散元件。所述空间滤波器元件经进一步定位以传递所述光束的包含第二组波长的至少一部分，其中所述第二组波长是所述第一组波长的子组。

公开(公告)号：CN104779144B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410201861.6

申请日：2014-05-14

申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司

发明人： 庄少特 ,  林志诚

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC分类号： G03F7/7065 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： 检测一半导体装置中一定数量的晶圆，以产生多个晶圆检测数据。根据多个晶圆检测数据，利用设计特征分析法来辨识关键重要点，以改善制造半导体组件的微影制程的方法。该设计特征分析法包括了全域校准、完整芯片图案相关对比、图案特性化以及设计特征推论。全域校准系补偿芯片设计数据与晶圆检测数据之间的实体坐标偏差。完整芯片图案相关对比使用多段式图案匹配与分组以辨识高重复性缺陷为重要点。图案特性化撷取高重复性缺陷的设计图案以及设计特征。设计特征推论分析设计特征、辨识关键设计特征并且判别关键设计特征的关键性。

公开(公告)号：CN104303264B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201380024955.4

申请日：2013-03-13

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 科恩·德韦尔 ,  塞德里克·卡雷特

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N2201/068 ,  G03F7/7065 ,  G05B23/0216 ,  G05B23/0229 ,  G05B2219/37224 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明揭示一种用于半导体装置的自动化检验的检验配方产生的方法、计算机系统及设备。为产生所述检验配方，使用参考数据集。借助初始配方对所述参考数据集(参考晶片图)的裸片的图像执行自动检验。将来自所述自动检验的所检测检验结果分类，且将所述经分类检验结果与裸片中的缺陷的专家分类进行比较。自动产生过杀及漏杀数目。根据所述过杀及漏杀数目，修改检验配方参数。如果所述检测及/或所述分类低于预定义阈值，那么重复自动检验。

公开(公告)号：CN105745579A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480063035.8

申请日：2014-09-24

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： V·班尼恩 ,  P·巴特瑞 ,  R·范格尔库姆 ,  L·阿门特 ,  彼得·德亚格尔 ,  G·德维里斯 ,  R·栋克尔 ,  W·恩格尔伦 ,  O·弗里基恩斯 ,  L·格瑞米克 ,  A·卡塔伦尼克 ,  E·鲁普斯特拉 ,  H-K·尼恩惠斯 ,  A·尼基帕罗夫 ,  M·瑞肯斯 ,  F·詹森 ,  B·克鲁兹卡

IPC分类号： G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H01S3/09 ,  H05H7/04

CPC分类号： G21K1/067 ,  G01N2021/95676 ,  G02B5/1814 ,  G02B5/1823 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/1861 ,  G02B27/0025 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/10 ,  G02B27/1086 ,  G02B27/12 ,  G02B27/14 ,  G02B27/142 ,  G02B27/146 ,  G02B27/4272 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70208 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70991 ,  G21K2201/065 ,  H01S3/0903 ,  H05H7/04 ,  G03F7/70008 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70158 ,  G03F7/70166 ,  G03F7/7065

摘要： 一种在光刻系统内使用的传输系统。所述束传输系统包括光学元件，所述光学元件被布置成接收来自辐射源的辐射束并且沿着一个或多个方向反射辐射的部分以形成用于供给到一个或多个工具的一个或多个分支辐射束。

公开(公告)号：CN105702597A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610082232.5

申请日：2016-02-05

申请人： 东方晶源微电子科技(北京)有限公司

发明人： 马卫民 ,  孙伟强

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01J37/265 ,  G03F1/86 ,  G03F7/7065 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/2817 ,  H01L22/12 ,  H01L22/10

摘要： 本发明公开一种检测系统。根据本发明一方面，检测系统包括多工作台或多腔体，其中腔体或工作台(N≥2)被布置成形成一个或多个路线用于晶片或掩模的检测。每个腔体中(或在每个工作台)的检测流程通过其在路线中的次级和所用的相对镜筒确定。对于具有N个腔体或工作台的系统，可以同时处理最大数量N个晶片或掩模。

公开(公告)号：CN104914677A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410258190.7

申请日：2014-06-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卢彦丞 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/24

CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/24 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/7065

摘要： 本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。本发明也提供了制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。

公开(公告)号：CN1776412B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200510109859.7

申请日：2005-07-29

申请人： 应用材料以色列公司

发明人： A·贝尔 ,  D·奥尔巴齐

IPC分类号： G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G03F7/7065

摘要： 用于表面检测的装置，包括适于用照射光束照射所述表面的照射光学器件，所述照射光束具有可调偏振。该装置还包括至少一个检测器，每个检测器和各个分析器相连，所述分析器具有方向性，并且适于产生响应于通过分析器接收的表面上的被照射区的光的信号，至少一个检测器之一适于接收来自被照射区的散射光。该装置还包括一个控制器，其适于指导照射光学器件去照射被照射区，以及响应于由此在至少一个检测器中产生的校准信号，所述控制器适于设置可调偏振和每个检测器各个分析器的方向。

公开(公告)号：CN1916603B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200510091733.1

申请日：2005-08-15

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·J·登博夫 ,  A·J·布里克 ,  Y·J·L·M·范多梅伦 ,  M·杜萨 ,  A·G·M·基尔斯 ,  P·F·鲁尔曼恩 ,  H·P·M·佩勒曼斯 ,  M·范德沙尔 ,  C·D·格劳斯特拉 ,  M·G·M·范克拉亚

IPC分类号： G01N21/49 ,  G01N22/00 ,  H01L21/66 ,  G03F7/00

CPC分类号： G01N21/8806 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065 ,  G03F9/7034

摘要： 一种通过在一高数值孔径透镜的光瞳面中测量一角分解光谱从而确定基底特性的设备与方法，所述角分解光谱是由反射离开所述基底的辐射形成的。所述特性可依角度和波长而变化，并可包括横向磁和横向电偏振光的强度及其相对相位差。

公开(公告)号：CN1535475A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN01818994.6

申请日：2001-09-04

申请人： HPL技术公司

发明人： D·穆拉迪安 ,  A·萨加特利安

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G01N21/95607 ,  G03F7/7065 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 用于确定坐标系统的原点之间的偏移的第一方法，用于对其上排列集成电路的晶片检查至少两个不同的缺陷检查，包括：建立包含集成电路晶片的至少两个检查层上排列的缺陷的位置数据的数据库；确定层间缺陷的最大偏移；确定层内缺陷的最小间距；对间距大于最小间距的全部缺陷，从数据库搜索包含偏移小于最大偏移的层间缺陷对；计算每个层间缺陷对的实际偏移；确定实际偏移是否是随机分布；如果它们不是随机分布，识别实际偏移的密集区；并得到至少两层的原点之间的偏移估计和对所述实际偏移的估计的置信值。第二种方法包括：从数据库识别至少一个有缺陷数nd的芯片，其中0≤nd≤k，此处k是小于或等于5的整数；在至少一个芯片上识别全部层间缺陷对；计算每个层间缺陷对的实际偏移，以代替确定层间缺陷的最大偏移和代替确定层内缺陷的最小间距。