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公开(公告)号：CN104779144B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410201861.6
申请日：2014-05-14
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/7065 , G03F1/36 , G03F7/70441
摘要： 检测一半导体装置中一定数量的晶圆，以产生多个晶圆检测数据。根据多个晶圆检测数据，利用设计特征分析法来辨识关键重要点，以改善制造半导体组件的微影制程的方法。该设计特征分析法包括了全域校准、完整芯片图案相关对比、图案特性化以及设计特征推论。全域校准系补偿芯片设计数据与晶圆检测数据之间的实体坐标偏差。完整芯片图案相关对比使用多段式图案匹配与分组以辨识高重复性缺陷为重要点。图案特性化撷取高重复性缺陷的设计图案以及设计特征。设计特征推论分析设计特征、辨识关键设计特征并且判别关键设计特征的关键性。
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公开(公告)号：CN104779144A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410201861.6
申请日：2014-05-14
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/7065 , G03F1/36 , G03F7/70441
摘要： 检测一半导体装置中一定数量的晶圆，以产生多个晶圆检测数据。根据多个晶圆检测数据，利用设计特征分析法来辨识关键重要点，以改善制造半导体组件的微影制程的方法。该设计特征分析法包括了全域校准、完整芯片图案相关对比、图案特性化以及设计特征推论。全域校准系补偿芯片设计数据与晶圆检测数据之间的实体坐标偏差。完整芯片图案相关对比使用多段式图案匹配与分组以辨识高重复性缺陷为重要点。图案特性化撷取高重复性缺陷的设计图案以及设计特征。设计特征推论分析设计特征、辨识关键设计特征并且判别关键设计特征的关键性。
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公开(公告)号：CN104217971B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310307224.2
申请日：2013-07-22
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/20016 , G06T2207/30148
摘要： 检测一半导体元件的多数个晶圆后，产生多数个候选缺陷清单，以进行系统性缺陷的识别。每个候选缺陷清单含有自检测其中一晶圆所取得的多个候选缺陷。各个候选缺陷由多个缺陷特征所代表，其中的一缺陷特征为缺陷位置。将每一或多份的候选缺陷清单中的候选缺陷做为一组别，以进行第一阶段分组与过滤，来各自产生一份第一阶段缺陷清单。接着，针对所有多数个第一阶段缺陷清单中的候选缺陷进行第二阶段分组与过滤，并产生一最终系统性缺陷清单以识别系统性缺陷。在阶层式分组与过滤中，使用各个缺陷的缺陷特征，以及根据缺陷位置而从设计数据库所撷取的一设计图样剪辑来进行分组与过滤。
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公开(公告)号：CN106407490A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510662107.7
申请日：2015-10-15
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明揭露了一种系统，其包括在半导体制程的芯片设计布局中用于储存关键特征数据库的关键特征资料库；一统计模型创建器，基于储存在关键特征数据库中的问题电路图案，并且基于与已知问题电路图案相关的实体测量值及仿真数据或设计数据之间的偏差所获得的目标规格创建统计模型。该系统进一步包括一基于统计模型的预测器，其藉由将统计模型应用于大量由随机布局产生器所产生的候选电路图案，或者，基于藉由延伸芯片设计布局的微影制程检测所判定的重要点区域从芯片设计布局中所撷取出来的候选电路图案，或者，藉由利用强烈敏感度设定对已制造芯片设计布局的晶圆进行检测所获得的候选电路图案，来预测并且发现未知问题电路图案。
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公开(公告)号：CN106158679A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510141237.6
申请日：2015-03-30
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种结合晶圆实体测量结果与数位模拟资料，以辨识并且监测关键重要点的重要点方法。晶圆实体测量数据是从制造半导体元件的加工晶圆上的多个目标位置搜集而得。候选重要点以及对应的模拟数据，是根据半导体元件的设计资料并基于光学邻近效应以及微影制程校正的模型与认证由数位模拟所产生，利用数据分析来提供所搜集的晶圆实体数据与模拟数据之间的数据相关性分析。此外，数据分析进一步根据与模拟数据具有最佳相关性的晶圆实体数据针对模拟数据执行数据校正，藉此更佳地预测关键重要点。
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公开(公告)号：CN103970922A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310101021.8
申请日：2013-03-27
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
摘要： 本发明提供一以设计为基础的制程最佳化装置，包括一分散式计算系统以及一以设计为基础的制程最佳化软件模块，该软件模块结合一设计扫描仪扫描并分析一半导体元件的设计数据，以供该半导体元件的制程最佳化使用。该以设计为基础的制程最佳化软件模块建立一图案特征数据库以及一制程最佳化数据库，产生以设计为基础的制造配方，透过一制造介面模块与制造设备介接，以及为了设计数据透过一设计介面模块与电子设计自动化提供者介接。该以设计为基础的制程最佳化装置则执行以设计为基础的制造配方以将其制程最佳化。
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公开(公告)号：CN108231623A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710685984.5
申请日：2017-08-11
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种利用自适应机器学习进行自动缺陷筛选的系统，包括了自适应模型控制器、缺陷/干扰点档案库以及用于执行资料模型化分析的模块。其中的自适应模型控制器具有前馈路径以及反馈路径，前馈路径接收晶圆检测中取得的多个候选缺陷，反馈路径接收晶圆检测后由一个以上的已知缺陷筛选模型筛选后的感兴趣缺陷。自适应模型控制器从所接收的资料中选择资料样本、与扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)介接以取得用于验证各个资料样本为真实缺陷或干扰点的对应的SEM结果，并且编整模型训练与验证资料。用于执行资料模型化分析的模块由自适应模型控制器适应地控制，藉此根据目标规格利用模型训练与验证资料产生并验证一个以上的更新缺陷筛选模型。
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公开(公告)号：CN104217971A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310307224.2
申请日：2013-07-22
申请人： 英属开曼群岛商达盟系统有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/20016 , G06T2207/30148
摘要： 检测一半导体元件的多数个晶圆后，产生多数个候选缺陷清单，以进行系统性缺陷的识别。每个候选缺陷清单含有自检测其中一晶圆所取得的多个候选缺陷。各个候选缺陷由多个缺陷特征所代表，其中的一缺陷特征为缺陷位置。将每一或多份的候选缺陷清单中的候选缺陷做为一组别，以进行第一阶段分组与过滤，来各自产生一份第一阶段缺陷清单。接着，针对所有多数个第一阶段缺陷清单中的候选缺陷进行第二阶段分组与过滤，并产生一最终系统性缺陷清单以识别系统性缺陷。在阶层式分组与过滤中，使用各个缺陷的缺陷特征，以及根据缺陷位置而从设计数据库所撷取的一设计图样剪辑来进行分组与过滤。
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