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公开(公告)号：CN105987957B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510860140.0
申请日：2015-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G01N29/12
摘要： 一薄膜设置于一蚀刻掩模之上，一声波生成器放置在薄膜之上，声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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公开(公告)号：CN108700752A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014590.5
申请日：2017-02-17
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： K.福克特
CPC分类号： G02B27/12 , G02B5/3066 , G02B21/0016 , G02B21/16 , G02B27/126 , G03F1/84 , G03F7/7065
摘要： 本发明涉及一种光学系统，特别是显微术的光学系统，具有分束器(100、200、300、400、500、600、700、800、900)，该分束器具有光入射表面和光出射表面，其中对于光学系统的预定工作波段，该分束器将入射在光入射表面上的少于20％的电磁辐射吸收；并且该分束器布置在光学系统中，使得当操作光学系统时，相对于相应表面法线且在光入射表面处和/或光出射表面上入射的入射角至少为70°。
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公开(公告)号：CN107924118A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047436.3
申请日：2016-08-03
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/00 , G03F1/84 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , G03F7/7085 , G21K1/06 , H01L22/12
摘要： 通过至少第一次用由逆康普顿散射而产生的EUV辐射(304)来照射通过光刻术制成或用于光刻术中的目标结构(T)来检查所述结构。检测(312)在反射或透射中由所述目标结构散射的辐射(308)，且通过处理器(340)基于所检测的散射辐射来计算所述目标结构的属性。所述辐射可以具有在0.1纳米至125纳米的EUV范围内的第一波长。通过使用同一源且控制电子能量，可以用在所述EUV范围内的不同波长和/或用较短(x射线)波长和/或用较长(UV光、可见光)波长来照射所述结构多次。通过在逆康普顿散射源中快速切换电子能量，可以每秒多次进行用不同波长的照射。
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公开(公告)号：CN106980225A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710012067.0
申请日：2017-01-06
申请人： HOYA株式会社
发明人： 剑持大介
摘要： 本发明提供基板保持装置、描绘装置、光掩模检查装置、光掩模制造方法，能够提高被转印体上形成的图案的坐标精度且适合于光掩模基板。保持显示装置制造用的光掩模基板水平的基板保持装置具有：由低膨胀材料构成的载台(11)和设在该载台(11)上的多个支撑件(12)。各支撑件(12)构成为：在前端具备具有凸曲面的接触部(14)，该接触部(14)与光掩模基板(1)的背面(3)实质性地点接触，由此保持光掩模基板(1)水平。
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公开(公告)号：CN105917453A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480073548.7
申请日：2014-12-19
申请人： 应用材料公司
发明人： 马耶德·A·福阿德
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： G01B11/0683 , G01B11/0625 , G01B15/02 , G03F1/84
摘要： 一种监控系统及其操作方法包括：提供基板于平台上；执行扫描基板；沉积材料层于基板上；监控材料层的沉积厚度；及基于沉积厚度的误差产生警报。
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公开(公告)号：CN105593984A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054237.6
申请日：2014-08-20
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7065 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/705 , G06T7/001 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148
摘要： 本发明揭示用于检定光刻光罩合格性的方法及设备。光罩检验工具用以从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像。各自基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像重新构建光罩图案。针对每一重新构建的光罩图案，在此重新构建的光罩图案上模型化具有两种或两种以上不同工艺条件的光刻工艺以产生两个或两个以上对应模型化测试晶片图案。各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案以识别所述光罩图案的热点图案，所述热点图案易受改变由此类似热点图案形成的晶片图案的所述不同工艺条件的影响。
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公开(公告)号：CN1846170B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN200480025041.0
申请日：2004-07-02
申请人： 恪纳腾技术公司
IPC分类号： G03F1/84 , G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20
CPC分类号： G06T7/0006 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F1/84 , G03F7/7065 , G06T7/0008 , G06T2207/30148
摘要： 提供了一种使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统。一种计算机实现的方法包括基于检查掩模版所产生的检查数据，标识晶片上的干扰缺陷，在检查所述晶片之前，使用所述掩模版在所述晶片上形成图形。另一种计算机实现的方法包括通过结合代表掩模版的数据分析检查晶片所产生的数据来检测晶片上的缺陷，代表掩模版的数据包括标识所述掩模版不同类型部分的标记物。再一种计算机实现的方法包括基于更改了晶片上形成的器件的特性的缺陷，确定用来处理晶片的制造工艺的性能。又一种计算机实现的方法包括基于检查晶片所产生的数据，更改或者模拟集成电路设计的一个或更多个特性。
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公开(公告)号：CN103488044B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310234762.3
申请日：2013-06-13
申请人： 南亚科技股份有限公司
发明人： 傅国贵
IPC分类号： G03F1/36
摘要： 本发明公开了一种光罩图案分析装置及光罩图案分析方法，该方法包含以下步骤：群组一电路布局中多个多角形而形成多个多角形群；根据该电路布局的一虚像，找出任一多角形群的潜在缺陷区域；决定该任一多角形群潜在缺陷区域的代表点；决定该任一多角形群中多个多角形的代表点；以及比较该任一多角形群中多个多角形的代表点与该任一多角形群潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系以及另一多角形群中多个多角形的代表点与该另一多角形群潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系。以上步骤皆由一电脑系统中的一处理器执行。
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公开(公告)号：CN105182684A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510685461.1
申请日：2015-10-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
CPC分类号： B05D5/005 , B05D3/067 , C23C26/00 , G02F1/1303 , G02F1/1309 , G02F2001/13415 , G03F1/84 , G03F1/72
摘要： 本发明实施例提供了一种掩模板的检修方法，涉及显示技术领域，可延长掩模板的使用寿命，避免生产成本增加，提高生产效率。该方法包括：确定掩模板的金属镀层的异常位置，并确定所述异常位置的坐标；对所述异常位置涂覆修复胶，以使涂胶平面与所述掩模板的正常金属镀层的平面齐平；其中，所述修复胶包括金属材料；对所述修复胶进行固化。可对掩模板进行检修。
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公开(公告)号：CN102472962B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080034422.0
申请日：2010-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F1/84 , G01N21/6408 , G01N21/6489 , G01N21/65 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G03F1/24
摘要： 用于物体检查的方法和系统包括基于不想要的微粒与将要被检查的物体相比由于其不同的材料带来的不同的响应，使用分光技术检查物体表面上的不想要的微粒。使用来自物体表面的次级光子发射的能量分辨光谱术和/或时间分辨光谱术获得拉曼和光致发光光谱。将要被检查的物体可以例如是在光刻过程中使用的图案形成装置，诸如掩模版，在这种情况下，可以检测例如金属、金属氧化物或有机物微粒的存在。方法和设备非常敏感，因而能够检测EUV掩模版的图案侧上的小的微粒(例如亚100nm，其至亚50nm)。
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