公开(公告)号：CN118943117A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310939425.8

申请日：2023-07-28

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 刘吉峰

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 一种内连接结构包含阻障层、氧化物胶层及超低k介电层。氧化物胶层位于阻障层上。超低k介电层位于氧化物胶层上，其中氧化物胶层位于阻障层与超低k介电层之间，且超低k介电层具有小于40％的孔隙率。氧化物胶层可以向阻障层及超低k介电层提供界面粘附性，因此在封装期间不会发生超低k介电层与阻障层之间的膜分层，且在内连接结构上执行的化学机械研磨期间不会破裂。

公开(公告)号：CN113761187B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202110279214.7

申请日：2021-03-16

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 吴俊纬

IPC分类号： G06F16/35 ,  G06F40/205 ,  G06F40/242

摘要： 本发明公开了一种自然语言处理系统与方法及计算机可读存储介质，其中自然语言处理系统包括储存装置以及处理器。储存装置用于储存半导体设备的故障历史的多条记录，其中半导体设备的故障历史的多条记录包括自然语言。处理器电性连接储存装置，处理器用于对半导体设备的故障历史的多条记录进行自然语言处理，以生成异常模型分类表。借此，本发明的自然语言处理系统，异常模型分类表可以帮助工程师在半导体设备再次发生故障时快速找到修理半导体设备的方式。

公开(公告)号：CN118900559A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310661639.3

申请日：2023-06-06

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 郑闵中

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤。在基板中形成隔离区及主动区。在主动区形成第一字元线沟槽。在第一字元线沟槽中及主动区和隔离区上沉积介电层。通过蚀刻介电层形成第二字元线沟槽，且第二字元线沟槽呈线性并延伸穿过基板的隔离区及主动区。另外，介电层的部分保留在第二字元线沟槽的底部。然后，在第二字元线沟槽中形成字元线结构。此外，本发明还提供一种半导体结构。如此一来，本发明实施例提供的半导体结构可以解决由于主动区和隔离区的字元线结构深度不同而导致的电损耗问题，且可以减少漏电的问题。

公开(公告)号：CN118899300A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310720382.4

申请日：2023-06-16

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 杨吴德

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/498

摘要： 一种晶圆结构包含多个芯片以及多个傀儡连接部。芯片彼此分离，且芯片中每一者包含主体以及多个导电垫。导电垫分别至少部分设置于主体。傀儡连接部彼此分离，且傀儡连接部中每一者连接于主体中相邻的两者之间。导电垫中每一者更至少部分设置于傀儡连接部中对应的一者。晶圆结构能有效减少导电垫于芯片中每一者的主体上的面积覆盖率，而在芯片被个别切开后于芯片中每一者的主体上所留下导电垫的部分不会形成刮痕或损坏。

公开(公告)号：CN118899264A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410298914.4

申请日：2023-08-22

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 黄庆玲

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/02 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

摘要： 本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：形成一隔离结构在一半导体基底中；凹陷该半导体基底以形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口与该第二开口位在该隔离结构的相对两侧，且该第二开口的一宽度大于该第一开口的一宽度；形成一电极层在该半导体基底上；研磨该电极层以形成一熔丝在第一开口中以及形成一电阻器电极在该第二开口中；以及形成一源极/漏极(S/D)区在该半导体基底中，其中该S/D区位在该熔丝与该隔离结构之间。

公开(公告)号：CN118870811A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311087299.4

申请日：2023-08-28

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 侯思羽

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体装置包括基板及位于基板上的位元线结构。位元线结构包括第一导电结构及第二导电结构。第一导电结构的材料包括多晶硅。第二导电结构设置在第一导电结构上并直接接触第一导电结构，其中第二导电结构的材料对氧的反应性大于钨对氧的反应性。本发明可降低第一导电结构与第二导电结构之间的界面电阻，从而使得半导体装置整体的电阻较低。

公开(公告)号：CN118829204A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311599674.3

申请日：2023-11-27

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 许国忠 ,  李恩瑞

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/762

摘要： 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板和一第一隔离结构。该基板具有一单元区域和一周围区域。该第一隔离结构设置于该基板的该单元区域中。该第一隔离结构包括一第一介电层和一第二介电层。该第二介电层通过该第一介电层与该基板间隔开。该第二介电层掺杂有一掺杂物。

公开(公告)号：CN112447723B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202010626680.3

申请日：2020-07-01

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 黄则尧

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L29/04

摘要： 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一具有一第一晶格常数的基底、一第一字元线设置于该基底和多个应力区域相邻设置于该第一字元线的侧壁的下部部分。所述多个应力区域具有一第二晶格常数，且该第二晶格常数和该基底的第一晶格常数不同。

公开(公告)号：CN118804604A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311030922.2

申请日：2023-08-16

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 施信益

IPC分类号： H10B80/00 ,  H01L23/538

摘要： 本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一中介层以及一第一电子元件。该中介层包括一第一半导体裸片以及一第二半导体裸片。该第一半导体裸片包括一第一快闪存储器以及一第一存储器控制电路。该第二半导体裸片包括一第二快闪存储器以及一第二存储器控制电路。该第一电子元件设置在该中介层上并与该第一半导体裸片与该第二半导体裸片进行通信连接。

公开(公告)号：CN118800758A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310970717.8

申请日：2023-08-03

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 黄庆玲

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一绝缘层，其向内设置于一基底中，并包括一U形横截面轮廓；一第一辅助层，其共形地设置于该第一绝缘层与该基底上；一第一填充层，其设置于该第一辅助层上；及一覆盖介电层，其设置于该基底上，并覆盖该第一辅助层与该第一填充层。该第一绝缘层的一顶面位在低于该基底的顶面的一垂直层级。该第一辅助层包括一第一阶梯部和一第二阶梯部，且该第一辅助层的第一阶梯部与该第一绝缘层的顶面相邻，该第一辅助层的第二阶梯部与该基底的顶面相邻。