公开(公告)号：CN118870811A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311087299.4

申请日：2023-08-28

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 侯思羽

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体装置包括基板及位于基板上的位元线结构。位元线结构包括第一导电结构及第二导电结构。第一导电结构的材料包括多晶硅。第二导电结构设置在第一导电结构上并直接接触第一导电结构，其中第二导电结构的材料对氧的反应性大于钨对氧的反应性。本发明可降低第一导电结构与第二导电结构之间的界面电阻，从而使得半导体装置整体的电阻较低。

公开(公告)号：CN117425330A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202210973498.4

申请日：2022-08-15

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 侯思羽

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种制造半导体装置的方法包含形成介电层堆叠于触点层上，其中介电层堆叠包含由下往上堆叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层、第二氧化层与第三氮化层。形成开口于介电层堆叠中，并暴露触点层中的触点。沿着开口的侧壁形成衬垫氮化层。侧向地部分移除衬垫氮化层以形成下电极层。移除第一氧化层与第二氧化层。沿着下电极层形成高介电常数材料层。沿着高介电常数材料层形成上电极层。本发明的半导体装置的下电极层的结构可提供足够的支撑力，而使结构稳定。

公开(公告)号：CN117596862A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310422808.8

申请日：2023-04-19

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 侯思羽 ,  林立涵

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本申请提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含具有一第一表面的一基底，以及设置在该基底的该第一表面上的多个层。该多个层包含设置在该基底的该第一表面上的一第一氮化物层、设置在该第一氮化物层上的一第一含硅层、设置在该第一含硅层上的一中间氮化物层、设置在该中间氮化物层上的一第二含硅层，以及设置在该第二含硅层上的一第二氮化物层。此外，该半导体结构包含穿过该多个层并接触该基底的一沟槽电容。该沟槽电容具有一第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一侧表面，该第二部分具有一第二侧表面，且该第一侧表面具有与该第二侧表面不同的斜率。

公开(公告)号：CN117153772A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310217546.1

申请日：2023-03-08

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林立涵 ,  王治权 ,  侯思羽

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本公开提供一种半导体元件的制备方法。首先，一第一隔离层形成在一基底上，以及具有一开口的一第二隔离层形成在该第一隔离层上。一导电线结构形成在该第二隔离层的该开口中，借此形成一接触通孔在该第二隔离层与该导电线结构之间。一等离子体氧化物层共形地形成在该导电线结构、该第一隔离层以及该接触通孔上。一氮化物罩盖层形成在该等离子体氧化物层上以填充该接触通孔。然后，多个氮离子引入到该氮化物罩盖层围绕该导电线结构的一表面中。执行一回蚀制程以移除该氮化物罩盖层的一部分，借此形成一重填接触通孔在该第一隔离层与该导电线结构之间。