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公开(公告)号：CN119472158A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411933780.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 泉意光罩光电科技(济南)有限公司
Abstract: 本申请提供一种修复光罩基板上狭长凹陷缺陷的方法，涉及光罩加工技术领域。该修复光罩基板上狭长凹陷缺陷的方法，包括：提供待修复的光罩基板，并定位光罩基板上存在狭长凹陷缺陷的缺陷位置；将修复材料设置在缺陷位置的表面；采用能量源轰击修复材料，以使修复材料下沉进入狭长凹陷缺陷内。该修复光罩基板上狭长凹陷缺陷的方法先将修复材料设置在缺陷位置处，再采用能量源对修复材料进行轰击，从而使修复材料下沉进入狭长凹陷缺陷内，填充狭长凹陷缺陷。该方法能够修复光罩基板上深宽比较大的狭长凹陷缺陷，降低光罩基板的报废率，从而降低光罩的生产成本，缩短生产周期。
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公开(公告)号：CN119356023A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411482986.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 珠海市龙图光罩科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种掩模版的光刻方法、装置、设备及存储介质，涉及掩模版制造技术领域，公开了掩模版的光刻方法，包括：获取掩模版的曝光图形；将所述曝光图形输入至位置偏差修正模型，获得所述掩模版经所述位置偏差模型修正后的位置修正数据，所述位置偏差修正模型是基于负载率修正系数与位置修正系数修正的热扩散算法搭建的；基于所述位置修正数据修正光刻所述掩模版的光刻机的初始运动数据，获所述光刻机的修正运动数据，并基于所述修正运动数据控制所述光刻机光刻所述掩模版。也即，利用位置偏差修正模型精准的输出掩模版上各图形区域的位置修正数据，以通过位置修正数据提高修正掩模板位置精度偏差的效果。
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公开(公告)号：CN119247689A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411276186.3
申请日：2024-09-12
Applicant: 珠海市龙图光罩科技有限公司
IPC: G03F1/72 , G03F1/74 , G03F1/80 , G03F1/84 , H01L21/027
Abstract: 本申请公开了一种掩模版线边修正方法、装置、设备、存储介质及产品，涉及掩模版制造技术领域，公开了掩模版线边修正方法，包括：接收第一待处理掩模版的第一线边粗糙度；判断所述第一线边粗糙度是否满足预设的线边粗糙度范围；若所述第一线边粗糙度不满足所述线边粗糙度范围，则激活水平交变电场，以供所述水平交变电场控制预生成的等离子体对所述第一待处理掩模版的全部线边进行等离子刻蚀，得到完成线边修正的目标掩模版。本申请提出利用水平方向的交变电场控制等离子体对需要进行改善的待处理掩模版的全部线边进行等离子刻蚀修正，以得到修正完成的掩模版，实现对大面积的图形线边不光滑的掩模版的线边修正，最终实现生产成本的显著降低。
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公开(公告)号：CN119086439A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411209252.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 新毅东(北京)科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种缺陷检测装置，涉及光学检测技术领域。照明光学系统被配置为，发射P偏振光的照明光束；第一偏振棱镜被配置为，位于照明光学系统与第一四分之一波片之间的光路上，通过照明光束；第一四分之一波片被配置为，位于第一偏振棱镜与待测物体之间，被待测物体的上表面反射的反射光束，再次经过第一四分之一波片后，变为S偏振光，经第一偏振棱镜的反射，投射至成像系统；下光路反射组件被配置为，将透过待测物体的透射光束反射，投射至成像系统。本发明实施例实现同时检测待测物体上下表面及内部缺陷，使缺陷检测方案多样化，通过多种方式组合检测提高检测精度。
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公开(公告)号：CN111665681B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010143020.X
申请日：2020-03-04
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 宫崎由宽
Abstract: 提供光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法，能够在不从光掩模卸下保护膜的情况下对转印用图案的缺陷进行修正。一种光掩模的修正方法，对光掩模的转印用图案中所产生的缺陷进行修正，该光掩模在透明基板的主表面上具有所述转印用图案，其中，该光掩模的修正方法具有成膜工序，在该成膜工序中，在所述光掩模上粘贴有保护膜的状态下，将原料气体导入到由所述光掩模和所述保护膜形成的保护膜空间中，并且透过所述保护膜具有的保护膜膜体朝缺陷部位照射激光，使所述原料气体发生反应，由此使修正膜堆积在所述缺陷部位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112034678B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010936073.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 泉意光罩光电科技(济南)有限公司
IPC: G03F1/72
Abstract: 本发明提供一种修补光罩的方法，利用激光穿过光罩护膜轰击光罩中透光型缺陷周围的不透光层，以使不透光层的不透光材料被轰击出来，透光型缺陷为不透光层中缺少不透光材料的区域。而后，利用轰击出来的不透光材料沉积至透光型缺陷上，从而在透光型缺陷上形成一层薄膜，降低光罩图形在光学上的线宽，达到修补光罩中的透光型缺陷的作用。这样，无需拆除光罩护膜，便可以实现对光罩的缺陷修补，简化修补缺陷的流程，提高工艺效率，而且由于无需拆除光罩护膜，节省光罩护膜的成本，无需占用较多的机台进行除胶清洗、修补及再次贴膜等操作，节省机台的资源，同时加快产品生产的进程。
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公开(公告)号：CN118363256A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410555889.3
申请日：2024-05-07
Applicant: 广州新锐光掩模科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统，应用于光掩模缺陷分析定位技术领域，其中，包括如下步骤：标记制作步骤：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；光掩模处理步骤：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。本发明在光掩模上制作出具有定位特性的标志图形，裂片处理时能快速有效的定位缺陷位置，成分分析过程中可有效提高目标缺陷的辨识度，便于找到和区分目标缺陷，适用于光掩模缺陷分析过程中难定位的情况，可有效提高目标缺陷的辨识度，利于制样及在分析设备上便于找到和区分目标缺陷。
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公开(公告)号：CN118363251A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410600496.X
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种快速修复热点的OPC验证方法，首先进行常规OPC验证，验证项目包含pinch check、bridge check；通过上述的验证项目测试，如果没有找到热点，则验证通过；如果找到热点，则执行自动排除热点的步骤；形成新的OPC修复掩膜图形；载入本地OPC掩膜，重新执行OPC验证。本发明在OPC验证中，采用插值采样加权平均法对EPE测量值进行计算得到更精确的热点修复值，然后自动在掩膜图形对该处热点位置进行修复，得到更贴近理想曝光图形的OPC修复图形。
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公开(公告)号：CN118295203A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310014518.X
申请日：2023-01-05
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F1/72
Abstract: 一种版图修正方法，包括：提供初始版图，包括若干主图形；获取生成辅助图形的最优规则，辅助图形包括第一辅助图形和第二辅助图形；根据生成辅助图形的最优规则和掩膜版限制规则，在每个主图形的外围生成若干第一辅助图形；根据生成辅助图形的最优规则获取生成第二辅助图形的最优轨迹圆；沿最优轨迹圆生成若干种子图形，若干所述种子图形的中心点位于最优轨迹圆上，一个种子图形和主图形之间相距最近的顶点之间的连线与相邻种子图形和主图形相距最近的顶点之间的连线之间具有预设夹角；在掩膜版限制规则的条件下，使种子图形生长为第二辅助图形；基于第一辅助图形和第二辅助图形，使初始版图形成为修正版图。所述方法的补偿效果提升。
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公开(公告)号：CN110967924B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910910496.9
申请日：2019-09-25
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 山口昇
Abstract: 本发明涉及光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置，能够不需要时间和工时对光掩模的缺陷修正，由此提高光掩模制造的生产效率和品质。该光掩模基板的修正方法具有：准备光掩模基板(10)的工序，该光掩模基板(10)在透明基板(100)的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜(200)；和针对在光学膜(200)中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序。修正工序中，将原料气体供给至光掩模基板(10)的形成有光学膜(200)的第1主表面中的缺失缺陷的位置附近，同时从光掩模基板(10)的第2主表面侧照射激光，利用透过了缺失缺陷的激光使原料气体发生反应，使修正膜堆积在第1主表面的缺失缺陷的位置。
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