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公开(公告)号：CN104641224B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201380043773.1
申请日：2013-07-30
IPC: G01N21/95
CPC classification number: G01N21/95 , G01N21/6445 , G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01N2201/06113 , G01N2201/12
Abstract: 本文描述了一种用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法。根据一个实施例，所述方法包括：对材料进行激励，以使材料发出发光信号；在材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测发光信号；在材料的预设空间区域中所述网格的每个点处，从对网格的所述点检测的信号中，估算出随偏振角而变的、由正弦波之和建模的发光信号的差变的特征数据；并且表示出预设空间区域中网格的所有点上的特征数据。
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公开(公告)号：CN105493258A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480046386.8
申请日：2014-06-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： R·萨佩
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/6495 , G01N2021/8845 , G01N2201/06113 , G01N2201/0662
Abstract: 样本的缺陷检测及光致发光测量将斜照明波长光束引导到所述样本的一部分上；将用于引起所述样本的一或多个光致发光缺陷发射光致发光的光的法线照明波长光束引导到所述样本的一部分上；收集来自所述样本的缺陷散射辐射或光致发光辐射；将来自所述样本的所述辐射分离成可见光谱中的辐射的第一部分、包含所述法线照明波长光的辐射的第二部分及包含所述斜照明波长光的辐射的至少第三部分；测量所述辐射的第一部分、所述辐射的第二部分或所述辐射的第三部分的一或多个特性；基于所述辐射的第一部分、所述辐射的第二部分或所述辐射的第三部分的所述经测量的一或多个特性来检测一或多个光致发光缺陷或一或多个散射缺陷。
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公开(公告)号：CN103175814B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310054248.1
申请日：2007-05-04
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01N21/64 , G01N21/66 , G01N21/956
CPC classification number: H02S50/15 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L31/022425
Abstract: 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光（110）、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像（120）、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性（130）来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
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公开(公告)号：CN102947693B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180018136.X
申请日：2011-02-07
Applicant: 国家科学研究中心 , 法国电力公司 , 圣康丁昂伊夫利纳-凡尔赛大学
Inventor： 金-弗朗索斯·古伊莱莫莱斯 , 阿诺德·埃切伯里 , 伊莎贝勒·吉拉德 , 皮埃尔·塔安-文
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/4738 , G01N2021/6493 , G01N2201/065 , H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种用于确定光转换器材料在测量光强度I0下的最大开路电压(Vco)和能够输出的功率的方法，该方法包括如下步骤：测量材料的光致发光强度；以大致等于光转换器材料的光致发光波长的第二波长(λ2)来测量光转换器材料的吸收率；籍助于以大体相同的波长所测量获得的吸收率和光致发光强度来确定光转换器材料在测量光强度I0下的最大开路电压(Vco)；所述发明的特征在于，所述光源和光转换器材料设置成材料辐照表面上入射和射出的光线与由检测器所收集的光线的角分布大体相同。
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公开(公告)号：CN104641224A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380043773.1
申请日：2013-07-30
IPC: G01N21/95
CPC classification number: G01N21/95 , G01N21/6445 , G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01N2201/06113 , G01N2201/12
Abstract: 本文描述了一种用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法。根据一个实施例，所述方法包括：对材料进行激励，以使材料发出发光信号；在材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测发光信号；在材料的预设空间区域中所述网格的每个点处，从对网格的所述点检测的信号中，估算出随偏振角而变的、由正弦波之和建模的发光信号的差变的特征数据；并且表示出预设空间区域中网格的所有点上的特征数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104568870A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410770974.8
申请日：2006-10-11
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6489 , F21Y2115/10 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , G01N2021/8887 , H01L22/14
Abstract: 本发明描述了用于检查间接带隙半导体结构（140）的方法（600）和系统（100）。光源（110）生成适于在所述间接带隙半导体结构（140）中引发光致发光的光（612）。短通滤波器单元（114）减少所生成的光中的高于指定发射峰值的长波长光。准直器（112）对所述光进行准直。利用所述经过准直以及短通滤波的光基本上均匀地且同时地照射所述间接带隙半导体结构（140）的大面积（618）。图像捕获设备（130）捕获由入射在所述间接带隙半导体结构的所述大面积上的所述基本上均匀的同时照射所引发的光致发光的图像（620）。对所述光致发光图像进行图像处理（622），以便利用在所述大面积内所引发的所述光致发光的空间变化来量化所述间接带隙半导体结构（140）的空间分辨的指定电子特性。
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公开(公告)号：CN104412098A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035976.6
申请日：2013-07-05
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/6456 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01N2201/062 , G01R31/2656
Abstract: 提出了随着半导体材料沿生产线前进时使用利用线扫描技术获取的光致发光图像分析半导体材料的方法和系统。可分析光致发光图像以获得关于所述材料的一种或多种特性的空间分辨信息，诸如横向电荷载流子传输、缺陷和裂缝的存在。在一个优选实施方式中，该方法和系统用于获得硅光伏电池的串联电阻图像，而无需与样品电池进行电接触。
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公开(公告)号：CN102483378B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080033122.0
申请日：2010-07-19
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 托斯顿.特鲁普克
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N2201/06113 , G01N2201/10 , H01L22/12
Abstract: 分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量，使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量，使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中，通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除，所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得，或者在不同的激发波长下被产生。本方法特别适用与诸如硅块或硅锭的体样品，其中相比于薄的、表面受限的样品如硅晶片，信息可以在很大的体寿命值范围内被获得。本方法还可应用于太阳电池的生产中以改善硅块和硅锭的制造，以及为晶片提供切割导引。
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公开(公告)号：CN102460126B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080032016.0
申请日：2010-05-17
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 索尔森·特鲁普科 , 伊恩·安德鲁·麦斯威尔 , 罗伯特·安德鲁·巴德斯
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/3563 , G01N21/6489 , G01N21/9501 , H02S50/10
Abstract: 本发明提供一种用于表征半导体材料的方法和装置。该方法涉及对半导体材料(2)进行非均匀照明(1)。材料可以是半导体材料例如硅的块或晶片、有或没有发射极层(11)的部分处理或全部处理的太阳能电池。非均匀照明(1)提供受到第一预定照明水平的第一部分和受到低于第一预定照明水平的第二预定照明水平的第二部分。第一预定照明水平足以产生响应，例如在至少第一部分中的光致发光响应。该方法涉及获取该响应的图像以及处理该图像以确定材料的一个或多个空间分辨特征。该方法在太阳能电池制造中对于质量监控、工艺控制和工艺监控是有用的。
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公开(公告)号：CN103185854A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310054383.6
申请日：2007-05-04
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R31/02
CPC classification number: H02S50/15 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , G01N21/956 , H01L31/022425
Abstract: 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光（110）、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像（120）、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性（130）来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
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