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公开(公告)号：CN102812347B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180012441.8
申请日：2011-01-04
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 罗伯特·安德鲁·巴多斯 , 约尔根·韦伯 , 托斯顿·特鲁普克 , 伊恩·安德鲁·麦克斯威尔 , 韦恩·麦克米兰
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2201/06113 , G01N2201/062 , G01N2201/08
Abstract: 本发明涉及一种用于分析半导体材料（8）的方法，尤其是涉及一种利用在高强度照射（16）下产生的光致发光的成像（12）来分析硅光伏电池和电池前驱的方法。通过该照射得到的高光致发光信号水平能够实现对移动中的样品的具有最小模糊的图像的采集。使得半导体设备生产商感兴趣的某些材料的缺陷，尤其是裂痕，在高强度照射下显得很清晰。在某些实施例中，通过采用高强度照射和低强度照射产生的光致发光图像与重点被选的材料特性或缺陷进行比较。
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公开(公告)号：CN103874918A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050566.4
申请日：2012-08-10
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 约尔根·韦伯
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G06T7/0004 , G01N21/6456 , G01N21/6489
Abstract: 基于光致发光的方法被提出用于促进具有选择性发射极结构的光伏电池的制造中金属化期间的晶片对准，且特别是用于在金属化之前使选择性发射极结构可视化。在优选的形式中，该方法是在线进行的，其中选择性发射极结构形成后检查每个晶片以识别其位置或取向。所获得的信息也可被用于从流程线放弃有缺陷的晶片或识别系统故障或形成图案化发射极结构的处理的不准确。另外，每个晶片可通过金属化之后的光致发光成像进行检查，以确定金属接触是否已被正确地定位在该选择性发射极结构上。金属化后所获得的信息也可被用于提供反馈到上游的处理步骤。
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公开(公告)号：CN102812347A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180012441.8
申请日：2011-01-04
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 罗伯特·安德鲁·巴多斯 , 约尔根·韦伯 , 托斯顿·特鲁普克 , 伊恩·安德鲁·麦克斯威尔 , 韦恩·麦克米兰
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2201/06113 , G01N2201/062 , G01N2201/08
Abstract: 本发明涉及一种用于分析半导体材料（8）的方法，尤其是涉及一种利用在高强度照射下产生的光致发光的成像来分析硅光伏电池和电池前驱的方法。通过该照射得到的高光致发光信号水平（16）能够实现对移动中的样品的具有最小模糊的图像的采集。使得半导体设备生产商感兴趣的某些材料的缺陷，尤其是裂痕，在高强度照射下显得很清晰。在某些实施例中，通过采用高强度照射和低强度照射产生的光致发光图像与重点被选的材料特性或缺陷进行比较。
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公开(公告)号：CN102575993A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046719.9
申请日：2010-08-13
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 托斯顿·特鲁普克 , 约尔根·韦伯 , 伊恩·安德鲁·麦克斯威尔 , 罗伯特·安德鲁·巴多斯 , 格拉汉姆·罗伊·阿特金斯
IPC: G01N21/95 , G01N21/892 , H01L21/66 , G01B11/30 , G01N21/958
CPC classification number: G01N21/9505 , G01B2210/56 , G01N21/6489 , G01N2021/8825 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明所公开的方法和系统，其中，在半导体样品内部横向散射的光被成像，从而对一些如裂纹的不连续性进行探测。所述光可以通过采用外部光源被引入样品中，或者可以作为长波长的光致发光在原位产生。本发明所被描述的方法为关于晶片和光伏电池内部裂纹的探测，且所述方法原则上可被应用于任意的半导体晶片或薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102575986A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046725.4
申请日：2010-08-16
Applicant: BT成像股份有限公司
Inventor： 托斯顿·特鲁普克 , 伊恩·安德鲁·麦克斯威尔 , 约尔根·韦伯 , 罗伯特·安德鲁·巴多斯
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/6456 , G01N21/9501 , G01N21/9505
Abstract: 本发明涉及一种对一系列硅晶片进行光致发光成像的方法，本发明的方法包括采用波长大于808nm的入射光的步骤。本发明又提出了一种采用各种光照射、相机和滤波器的结合对硅半导体材料进行分析的方法。在另一个实施例中，相机被用于捕获整个光致发光响应，且长通滤波器被用于阻止一部分信号到达所述相机或探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109387494B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201811154900.6
申请日：2013-07-05
Applicant: BT成像股份有限公司
Abstract: 本申请涉及检查半导体材料的方法与分析半导体材料的方法和系统。一种用于分析包括发射极和基极的半导体材料的线扫描方法，包括以下步骤：利用来自光源的第一照射来照射材料的第一部分，第一照射适于从材料产生光致发光响应；利用图像采集装置检测从材料的第二部分发射的光致发光，其中，第一部分和第二部分至少部分地重叠；跨越材料的区域扫描第一部分和第二部分；以及询问图像采集装置以获取从材料的总的扫描区域发射的光致发光的第一图像，其中，第一照射的强度被选择为使得存在从第一部分出来的光生电荷载流子的显著横向流动。
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公开(公告)号：CN109387494A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811154900.6
申请日：2013-07-05
Applicant: BT成像股份有限公司
Abstract: 本申请涉及检查半导体材料的方法与分析半导体材料的方法和系统。一种用于分析包括发射极和基极的半导体材料的线扫描方法，包括以下步骤：利用来自光源的第一照射来照射材料的第一部分，第一照射适于从材料产生光致发光响应；利用图像采集装置检测从材料的第二部分发射的光致发光，其中，第一部分和第二部分至少部分地重叠；跨越材料的区域扫描第一部分和第二部分；以及询问图像采集装置以获取从材料的总的扫描区域发射的光致发光的第一图像，其中，第一照射的强度被选择为使得存在从第一部分出来的光生电荷载流子的显著横向流动。
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公开(公告)号：CN104412098A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035976.6
申请日：2013-07-05
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/6456 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01N2201/062 , G01R31/2656
Abstract: 提出了随着半导体材料沿生产线前进时使用利用线扫描技术获取的光致发光图像分析半导体材料的方法和系统。可分析光致发光图像以获得关于所述材料的一种或多种特性的空间分辨信息，诸如横向电荷载流子传输、缺陷和裂缝的存在。在一个优选实施方式中，该方法和系统用于获得硅光伏电池的串联电阻图像，而无需与样品电池进行电接触。
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公开(公告)号：CN104412098B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201380035976.6
申请日：2013-07-05
Applicant: BT成像股份有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 提出了随着半导体材料沿生产线前进时使用利用线扫描技术获取的光致发光图像分析半导体材料的方法和系统。可分析光致发光图像以获得关于所述材料的一种或多种特性的空间分辨信息，诸如横向电荷载流子传输、缺陷和裂缝的存在。在一个优选实施方式中，该方法和系统用于获得硅光伏电池的串联电阻图像，而无需与样品电池进行电接触。
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公开(公告)号：CN103477208B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280018966.7
申请日：2012-04-17
Applicant: BT成像股份有限公司
CPC classification number: G01R27/02 , G01J1/42 , G01N21/6489 , G01N21/9501 , H02S50/10
Abstract: 公开了基于发光的方法，以确定光伏电池两端的串联电阻的量化值，优选地不与电池电接触。通过将电池暴露给使用被选择用于从电池生成发光的激发光的均匀或图案化照明来生成发光信号，优选地使用被选择用于衰减激发光并传输发光的一个或多个滤波器来产生照明图案。
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