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    检查方法及检查装置
    1.
    发明公开
    检查方法及检查装置 有权

    公开(公告)号：CN107250786A

    公开(公告)日：2017-10-13

    申请号：CN201680009523.X

    申请日：2016-02-02

    申请人： 浜松光子学株式会社

    发明人： 中村共则 ,  大高章弘

    IPC分类号： G01N27/72 ,  G01N21/88 ,  G02B21/00

    CPC分类号： G01R15/245 ,  G01N21/88 ,  G01R31/2656 ,  G01R31/311 ,  G02B27/62

    摘要： 检查装置具备：测试单元，其对半导体设备施加刺激信号；MO晶体，其与半导体设备相对地配置；光源，其输出光；光扫描器，其将光源所输出的光照射至MO晶体；光检测器，其检测自与半导体设备(D)相对地配置的MO晶体反射的光，并输出检测信号；及计算机，其基于根据刺激信号生成的参照信号与检测信号的相位差，生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据，并根据该相位图像数据，生成表示电流的路径的图像。

    可调控注入比的高频光电导寿命测试仪及其测试方法
    2.
    发明公开
    可调控注入比的高频光电导寿命测试仪及其测试方法 有权

    公开(公告)号：CN106249122A

    公开(公告)日：2016-12-21

    申请号：CN201610809114.X

    申请日：2016-09-07

    申请人： 广州市昆德科技有限公司

    发明人： 王昕 ,  王世进 ,  冯小明

    IPC分类号： G01R31/265

    CPC分类号： G01R31/2656 ,  G01R31/2648

    摘要： 本发明公开了一种可调控注入比的高频光电导寿命测试仪及其测试方法，测试仪包括样品台、测试主机、工控机、显示器。测量时，待测样品置于载物平台上，待测样品与两测试电极板形成接触，红外激光器发出的激光束照射在待测样品上；测试主机中，可编程脉冲光源驱动器的输入端与工控机相连，输出端与红外激光器相连，驱动红外激光器射出特定强度及波长的激光束，高频信号发生器的输出端与第一测试电极板相连，第二测试电极板、磁环取样器、数字峰值检波器、宽带放大器、数据采集卡、工控机、显示器依次连接。本发明使得注入比稳定在设定值，避免出现同一半导体材料晶体在使用不同仪器测量时由于注入比不一致导致得到的寿命值不一致，降低误判。

    载流子寿命的测定方法以及测定装置
    5.
    发明公开
    载流子寿命的测定方法以及测定装置 有权

    公开(公告)号：CN103080730A

    公开(公告)日：2013-05-01

    申请号：CN201180041790.2

    申请日：2011-02-15

    申请人： 瓦伊系统有限公司

    发明人： Y·拉克鲁瓦

    IPC分类号： G01N21/64 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G01N21/6408 ,  G01N21/6489 ,  G01N21/66 ,  G01N2021/1719 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提供能够测定半导体等材料内的载流子寿命的载流子寿命的测定方法以及测定装置。针对由发光激光器发出的连续光通过激励侧的调制装置进行调制，生成其强度矩形波状地变化的激励光（14）并提供给半导体材料。针对半导体内的载流子被激励而通过再结合发出的冷光（24），通过受光侧的调制装置进行调制，从在激励时间内发出的光，分离在激励时间之后发生的衰减光（26）。该衰减光（26）包含材料内的载流子寿命的信息。衰减光（26）是在极其短的时间内得到的微细的光，所以在CCD元件的曝光时间内，积蓄多个衰减光（26）而探测。能够通过该探测光的强度得知载流子寿命。

    半导体检查系统和设备
    6.
    发明公开
    半导体检查系统和设备 无效

    公开(公告)号：CN101266222A

    公开(公告)日：2008-09-17

    申请号：CN200810096694.8

    申请日：2008-03-07

    申请人： Q概念技术公司

    发明人： J·A·豪索尔尼 ,  M·布兰登·斯蒂勒 ,  杨业元 ,  M·舒尔泽

    IPC分类号： G01N27/02 ,  G01N27/20 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G01N27/002 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/2656

    摘要： 本发明提供一种利用非振动接触电位差传感器和可控照明的半导体检查系统和设备，用于识别半导体表面或半导体内的缺陷或污染。该方法和系统包括：提供具有表面的半导体，例如半导体晶片；提供非振动接触电位差传感器；提供具有可控的强度或波长分布的照明源；在非振动接触电位差传感器探针头下方或附近使用该照明源来提供晶片表面的可控照明；在可控照明照射时用非振动接触电位差传感器扫描晶片表面；产生代表横跨晶片表面的接触电位差变化的数据；以及处理该数据以识别缺陷或污染的图案特性。

    具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的方法
    7.
    发明公开
    具有嵌入式环形振荡器的散射测量法结构及使用该结构的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1623097A

    公开(公告)日：2005-06-01

    申请号：CN02828600.6

    申请日：2002-12-17

    申请人： 先进微装置公司

    发明人： H·E·纳里曼

    IPC分类号： G01R31/265 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L22/34 ,  G01R31/2656 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明大致关于具有嵌入式环形振荡器(20)的散射测量法结构及使用该结构德各种方法。在所列举的一个实施例中，该方法包含有形成由具有用于复数个N沟道晶体管的复数个栅极结构(26)的第一格栅结构(22)和具有用于复数个P沟道晶体管的复数个栅极结构(28)的第二格栅结构(24)构成的环形振荡器(20)、利用散射测量法工具(44)测量在第一格栅结构(22)和/或第二格栅结构(24)中至少其中一个栅极结构的临界尺寸和/或轮廓。在另一个实施例中，该方法更包含有将测量得到的栅极结构的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较，以便预测环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。在又一个实施例中，该方法还包含有形成至少一个可作为环形振荡器(20)一部分的包含有复数个特性(32)的电容性负载结构(30)，和利用散射测量法工具(44)测量包含电容性负载结构(30)的特性(32)的至少一个临界尺寸和/或轮廓。该方法还包含有将测量得到的特性(32)的临界尺寸和/或轮廓与模型相比较以便预测环形振荡器(20)的至少一个的电气性能特性。

    一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置
    10.
    发明公开
    一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置 无效

    公开(公告)号：CN106841972A

    公开(公告)日：2017-06-13

    申请号：CN201710063101.7

    申请日：2017-01-19

    申请人： 深圳市量为科技有限公司

    发明人： 石强 ,  李兆成

    IPC分类号： G01R31/265

    CPC分类号： G01R31/2656

    摘要： 本发明提供了一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置，所述方法包括：获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B；获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′；基于所述Pout和所述Pout′，计算退化量ΔPout＝Pout′‑Pout；以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程：利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。本发明能够实现在对元器件无损坏的前提下，进行对GaN发光二极管元器件准确、高效的筛选。