一种SRAM型存储器高速灵敏放大器电路

    公开(公告)号:CN109841240B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201811573607.3

    申请日:2018-12-21

    IPC分类号: G11C7/06

    摘要: 本发明涉及一种SRAM型存储器高速灵敏放大器电路,在读取“1”存储单元时,通过电容C1的电荷保持特性,通过正反馈加快锁存放大器的整体响应速度,使放大器对输入电压差的要求大大降低,加快了SRAM型存储器读取“1”的速度;在读取“0”存储单元时,通过读取使能信号S的跳变对与非门I1的控制,依靠晶体管MP5快速上拉作用,读出存储数据,对输入电压差的要求大大降低,加快灵敏放大器的读出速度,加快了SRAM型存储器读取“0”的速度。本发明降低了灵敏放大器对输入压差的要求,提高了灵敏放大器的反应速度和处理能力。

    一种通用动态总剂量试验装置及其实现方法

    公开(公告)号:CN103675638B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201310676366.6

    申请日:2013-12-11

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种新型的通用动态总剂量试验装置,包括位于辐照室外的上位机和信号传递系统,位于辐照室内的测试向量生成系统,上位机向信号传递系统发送随机向量的码型,控制试验电路板的电源,监控待测电路的动态偏置电流,监测整个装置的运行状况;信号传递系统收上位机发送的随机选择码,同时将随机选择码转换为电平信号传递给测试向量生成系统,还接收测试向量生成系统发回的反馈信号,用于监测测试向量生成系统的运行状况;测试向量生成系统接收来自信号传递系统的信号并生成测试向量发送给试验电路板;该装置能够实现待辐照电路在辐照过程中处于动态偏置,从而实现动态总剂量试验,全面的考核器件的抗总剂量性能。