公开(公告)号：CN119561496A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411198114.1

申请日：2024-08-29

Applicant: 苹果公司

Inventor： 孔龙 ,  卢诗南 ,  U·塞克钦

IPC: H03D7/12 ,  H03F1/26 ,  H03K19/003 ,  H03K19/0175

Abstract: 本公开涉及“混频器二阶输入截点温度补偿。”本公开涉及对混频器的温度变化的补偿。本文中的实施方案可包括混频器、耦合到混频器的校准电路、耦合到校准电路的副本混频器电路以及耦合到校准电路的温度补偿电路。该副本混频器电路可生成或用于生成随副本混频器的共模电压和/或阈值电压而变化的参考电压。可将参考电压施加到校准电路的电阻器梯以调整偏置电压并且补偿温度变化。此外，温度补偿电路可以生成温度系数，该温度系数可以被施加到流动穿过校准电路的电流以有利于补偿温度变化。

公开(公告)号：CN119543909A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411612340.X

申请日：2024-11-13

Applicant: 浙江巨磁智能技术有限公司

Inventor： 陆俊霖 ,  钟政

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种高速单通道数字隔离芯片，涉及数字隔离器，旨在提供一种抗电磁干扰能力强、输出信号稳定的高速单通道数字隔离芯片，包括接收端RX电路包括OSC振荡器和至少两个电容，其中，OSC振荡器用于控制接收端RX电路内挂载的电容数目，产生频率小幅波动的高频信号，从而降低电路中的电磁干扰EMI，本发明的有益效果是：本发明中在接收端RX电路中加入了OSC振荡器，可以产生10MHz左右的振荡信号，并通过一个16bit数字切换电路，产生16bit的时钟信号，从而控制隔离变压器与解调器DEMODE之间挂载的电容数目，从而产生一个频率小幅波动的高频信号，该功能主要是为了降低电路中的电磁干扰EMI。

公开(公告)号：CN119519687A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411579740.5

申请日：2024-11-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 袁冰 ,  张乾 ,  龚树焱 ,  吴松岩

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/01 ,  H03K19/017 ,  H03K19/003 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了一种具有对称式脉冲电流结构的高压电平转换电路，属于集成电路技术领域，该电路包括：电平转换模块、对称式脉冲电流辅助模块和锁存式输出模块。所述本发明的电平转换模块，改善了现有技术中当电源电压快速跳变时候电路可能发生误触发的缺陷，提高了电路的抗扰度。本发明的对称式脉冲电流辅助模块，克服了现有技术在输入信号的上升沿和下降沿传输延迟不对称的缺点，使得本发明在保证较高的传输速度的同时，保持了高度的传输延迟对称性，有效抑制高速电路中数字信号输入输出可能失真的问题。

公开(公告)号：CN119496499A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411331705.1

申请日：2024-09-24

Applicant: 贵州振华风光半导体股份有限公司

Inventor： 姚恒 ,  袁兴林 ,  陈敏华 ,  李雪 ,  蒋劲国 ,  周前毅

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明提供了一种基于电流补偿的电平位移电路，通过第一电平输入端和第二电平输出端分别接入一路低压脉冲信号，从而将两路低压脉冲信号转换为两路高压脉冲信号，通过第一电平输出端和第二电平输出端输出给电流补偿电路和共模噪声消除电路，电流补偿电路和共模噪声消除电路的输出共同影响锁存器中R端和S端的信号状态，而锁存器用于将高压脉冲信号还原成与输入信号同相位的浮动方波信号。本发明不仅能抗高共模噪声，还对差模噪声有很好的抑制作用，有效提高了电平移位电路的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN119449004A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410391590.9

申请日：2024-04-02

Applicant: 新唐科技股份有限公司

Inventor： 张恒恺

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明提供了一种补偿电路、补偿方法及控制电路，补偿电路用以补偿一信号产生电路所产生的一输出信号，并包括一检测电路、一判断电路、一逻辑电路以及一调整电路。检测电路检测输出信号，用以产生一检测结果。判断电路判断检测结果是否符合一预设条件。当检测结果不符合该预设条件时，逻辑电路阻挡输出信号进入一核心电路，且调整电路提供一设定参数。当检测结果符合预设条件时，逻辑电路允许输出信号进入核心电路。信号产生电路根据设定参数，调整输出信号。

公开(公告)号：CN119420346A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411921807.9

申请日：2024-12-25

Applicant: 无锡芯朋微电子股份有限公司 ,  深圳芯朋电子有限公司

Inventor： 余思远 ,  刘鑫伟 ,  祝靖 ,  李海松 ,  易扬波

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 一种高压电平移位电路及其版图结构，高压电平移位电路包括：脉冲产生模块，用于接收输入信号，生成双路的低压域窄脉冲信号；电平移位模块，用于接收低压域窄脉冲信号，转换为对应的双路的高压域窄脉冲信号；电压瞬变噪声检测模块，用于检测电压瞬变噪声，生成瞬变噪声强度信号；电压瞬变噪声滤除模块，用于基于接收到的瞬变噪声强度信号，进行电压瞬变噪声滤除，生成双路的高压域滤波信号；RS触发器，用于将接收到的高压域滤波信号转换为高侧功率器件驱动信号。不仅能够增强电压瞬变噪声滤除模块的共模噪声滤除能力和抗VS负偏压能力，有效降低芯片传输延时，而且还使得窄脉冲信号宽度在传输过程中无损失，从而降低动态功耗。

公开(公告)号：CN119402026A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411507669.X

申请日：2024-10-28

Applicant: 上海川土微电子有限公司

Inventor： 张识博 ,  陈东坡

IPC: H04B1/40 ,  H03K19/003 ,  H04B15/00 ,  H04L12/40

Abstract: 本申请提供一种LIN总线中BCI优化电路、优化方法及收发器，应用于LIN收发器技术领域，其中，包括LIN总线分别连接的上拉路径和下拉路径；下拉路径的场效应管的栅极连接栅极控制模块；栅极控制模块控制耦合到场效应管的栅极的能量，以使该优化电路具有抗干扰能力。本申请在LIN总线处于低电平或高电平时，栅极控制模块控制耦合到场效应管的栅极的能量，使该优化电路具有抗干扰能力，上升沿和下降沿相比未加干扰时差别不大；而且，能够当LIN收发器工作受到BCI干扰时，依然能正常通信，不会产生通信误码，从而提高LIN通信的可靠性和鲁棒性。

公开(公告)号：CN119363092A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411890677.7

申请日：2024-12-20

Applicant: 成都电科星拓科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明提供一种新型时间偏移校准电路及方法，属于模拟IC技术领域。包括依次连接的缓冲器A和缓冲器B，所述缓冲器A的输出结点通过电容接地，所述缓冲器A的输出结点通过电阻以及受开关控制的电流源组接地，所述缓冲器B的输出端连接有时间偏移检测电路。本发明提出的时钟偏移校准电路，采用了新型拓扑结构，不需要冗长的缓冲器链，即可大大提高了时间偏移的校准范围，从而减少噪声的引入。本发明电路结构的时间偏移调节步长不受限于电容的最小尺寸，并对电容没有极高的匹配要求。通过控制抽取电流即可实现较小步长的时间偏移校准，在提高校准范围的同时保证校准的精度。

公开(公告)号：CN119363085A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411423809.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 湖南工业大学

Inventor： 曾荣周 ,  雷盛长 ,  吴振晖 ,  廖淋圆 ,  伍计鹏 ,  周细凤 ,  张涛 ,  胡正权 ,  缪嘉怡 ,  徐路阳 ,  杨新运 ,  候创

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/04 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种加速绝缘栅双极晶体管关断和降低关断损耗的电路，包括两个核心功率半导体器件、第一辅助元件和第二辅助元件，两个核心功率半导体器件为绝缘栅双极晶体管IGBT和结型场效应管JFET，IGBT的栅极连接驱动控制电路，IGBT的集电极与JFET的源极相连接，JFET的栅极通过第一辅助元件与JFET的源极、IGBT的集电极相连接，JFET的栅极通过第二辅助元件与IGBT的发射级相连接。本发明的电路中JFET和两个辅助元件能够加速IGBT关断、降低IGBT关断损耗，且IGBT和JFET不存在栅氧化层可靠性问题，完全解决了SiC MOSFET可靠性差的问题。

公开(公告)号：CN112737562B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202011542826.2

申请日：2020-12-24

Applicant: 西安翔腾微电子科技有限公司

Inventor： 马洁 ,  田泽 ,  吕俊盛 ,  邵刚 ,  刘颖 ,  李嘉 ,  李潇

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/003 ,  H03K19/017

Abstract: 本发明涉及一种带有阻抗校正电路的高速电压模发送器。本发明包括阻抗校正电路、逻辑控制电路、数据并转串模块和差分驱动模块，并行信号TX_Data 通过数据并转串电路输出串行信号之后接入差分驱动模块，差分驱动模块包括多组差分驱动单元，差分驱动模块的输出接入阻抗校正电路，通过判断产生控制信号TX_R ,输入逻辑控制电路控制差分驱动单元开启的个数。本发明能够有效改善工艺、电压和温度的引起的输出电阻偏差，减小了由于阻抗不匹配带来的反射对信号完整性造成的影响；从而提高信号质量，保证信号的完整性。