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公开(公告)号：CN118944659A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411097311.4
申请日：2024-08-12
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/003
摘要： 本发明涉及隔离芯片领域，公开了一种提高隔离芯片的共模抗扰度的保护电路及数字隔离器，包括调制电路、解调电路、隔离电容和共模干扰抑制电路；隔离电容包括第一电容Ciso1和第二电容Ciso2；解调电路包括前置放大器和检波器；调制电路的输入端输入信号，调制电路的输出端连接Ciso1和Ciso2的一端；Ciso1的另一端连接前置放大器的正相输入端；Ciso2的另一端连接前置放大器的反相输入端和共模干扰抑制电路的输入端；共模干扰抑制电路的输出端连接前置放大器的偏置输入端；前置放大器的输出端连接检波器的输入端，检波器的输出端输出信号；本发明提高了前置放大器的增益，使得被削弱的载波幅度能够被补偿最后检波正确。
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公开(公告)号：CN118157657B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311779060.3
申请日：2023-12-21
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
发明人： 王经纬
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/003
摘要： 本申请实施例提供了一种驱动电路及电子设备，通过所述采样电路采集所述第二功率管的栅极电压以判断第二功率管是否即将进入断开状态，如果所述第二功率管即将断开，则将所述控制信号发送至延时电路以控制下拉增强电路延迟开启，所以本申请可以在不增加第二功率管关断时刻下拉能力或降低第一功率管开启速度的前提下，减小由于电容耦合导致的VGS耦合电压，防止第一功率管和第二功率管同时导通，在保证芯片效率和振铃幅度不受影响的情况下避免芯片损坏。
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公开(公告)号：CN118041343B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410058161.X
申请日：2024-01-15
申请人： 北京平头哥信息技术有限公司
IPC分类号： H03K19/094 , H03K19/003
摘要： 本申请提供了一种驱动器和发射机，驱动器包括：N型金属氧化物半导体场效应管差分管模块、P型金属氧化物半导体场效应管差分管模块以及供电电源，P型金属氧化物半导体场效应管差分管模块的栅极和N型金属氧化物半导体场效应管差分管模块的栅极接收第一电平信号，P型金属氧化物半导体场效应管差分管模块和N型金属氧化物半导体场效应管差分管模块将第一电平信号转换为执行单元所使用的第二电平信号，相应两个模块的漏极输出第二电平信号。该技术方案利用功率较小的PMOS和NMOS管构造驱动器从而实现了PAM4/NRZ的双模传输、且赋予了较宽的输出带宽。
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公开(公告)号：CN118890041A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410970978.4
申请日：2024-07-18
申请人： 成都极海科技有限公司
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0175 , H03B5/06 , H03B5/36
摘要： 本申请实施例提供的一种漏电补偿电路、晶振电路和微处理芯片，所述电路包括：IO模块；漏电补偿模块，包括源随晶体管和漏电电流镜像管，所述源随晶体管与所述IO模块的输出端电连接，用于接收并输出所述IO模块的漏电电流，所述漏电电流镜像管与所述源随晶体管的输出端电连接，用于基于所述IO模块的漏电电流输出漏电补偿电流；晶振驱动模块，与所述IO模块的输出端和所述漏电补偿模块的输出端电连接，用于接收所述漏电电流和所述漏电补偿电流，并基于所述漏电电流和所述漏电补偿电流输出漏电补偿结果。本申请实施例提供的技术方案，该漏电补偿电路可以对IO电路进行漏电补偿，保证IO电路的正常工作。
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公开(公告)号：CN118449512B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410906626.2
申请日：2024-07-08
申请人： 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/20 , H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种多级电平转换器电路，涉及集成电路领域，该多级电平转换器电路包括：第一反相器电路C001，用于将输入信号VIN反相后输出给下拉电路C002；下拉电路C002，用于基于输入信号VIN的电压高低，选择性控制两条回路其中的一条回路接地导通；本发明的有益效果是：第一自适应保护电路C003和第二自适应保护电路C006能有效的保护第一电平钳位电路C004与第二电平钳位电路C005中MOS器件的栅氧，同时确保下拉电路C002与正反馈上拉电路C007的漏极免受不同工艺平台高低压器件关断电流Ioff不匹配带来的风险，从而显著提升了电平转换器电路的稳定性和可靠性；不再需要大电阻占用过多芯片面积。
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公开(公告)号：CN118868936A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410995212.1
申请日：2024-07-23
申请人： 上海璟派半导体有限公司
IPC分类号： H03M1/10 , H03K19/003 , H03K19/094 , H03K19/20
摘要： 一种用于比较器失调电压修调电路及芯片、电子设备，属于电子电路技术领域，通过修调电流源接入第一控制信号，并根据第一控制信号对基准电流进行镜像以输出第一调节电流；第一调节电流的极性与第一控制信号相关联；压差生成电路将第一调节电流转换为调节电压，并基于参考电压和调节电压输出正极调节信号和负极调节信号；正极调节信号和负极调节信号用于比较器的失调电压修调，故在比较器失调电压修调电路中设置一个电阻，即压差生成电路的电阻，即可实现正负失调电压的修调，节约了版图面积并提高了失调电压修调的精度。
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公开(公告)号：CN118783951A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410995127.5
申请日：2024-07-24
申请人： 成都环宇芯科技有限公司
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094 , H03K19/20
摘要： 可预修调的熔丝修调电路，涉及集成电路技术，本发明包括下述部分：D触发器，其D端接修调码输入端；或非门，其第一输入端接修调信号输入端，第二输入端接D触发器的#imgabs0#端；开关管，其电流输入端接参考点，电流输出端接地，参考点通过熔丝接高电平；电流镜，其原电流支路由电流源提供原电流，参考点通过镜像电流支路接地；或门，其一个输入端接接D触发器的#imgabs1#端，另一个输入端接预熔断信号输入端；与非门，其一个输入端接参考点，另一个输入端接或门的输出端，其输出端作为修调状态输出端。本发明可实现芯片更高精度的修调。
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公开(公告)号：CN118783950A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410917896.3
申请日：2024-07-09
申请人： 上海璟派半导体有限公司
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094 , H03K17/687
摘要： 本申请实施例提供了一种电阻修调电路、方法、集成电路及计算机可读存储介质，其中，电阻修调电路，包括：N个并联的修调支路，所述N≥2，N是整数，第i个修调支路包括：第i个修调电阻Ri和第i个修调开关，1≤i≤N，i是整数；R1×(1‑P)+RD1＞Rm，其中，所述P是最大工艺偏差，0＜P＜1，R1是N个修调支路中阻值最小的修调电阻，Rm是目标电阻；所述RD1是第一修调支路中修调开关的导通电阻。采用该实施例通过控制修调开关导通或者关断能够得到高精度的电阻。
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公开(公告)号：CN118783947A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310354435.5
申请日：2023-04-04
申请人： 苏州纳芯微电子股份有限公司
发明人： 逯建武
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/017
摘要： 本发明揭示了一种低边驱动电路及驱动装置，所述低边驱动电路包括：输出晶体管；控制晶体管，通过其输入端耦合至所述输出晶体管的控制端，且通过其输出端可选地耦合至地电平；其中，所述控制晶体管在所述低边驱动电路切换至关闭输出时，将所述输出晶体管的控制端耦合至所述地电平，以快速降低所述输出晶体管的控制端电压。本发明提供的低边驱动电路，能够大幅缩短输出晶体管的关断延时，使其快速进入关闭速率可控的阶段，确保实际驱动时长和预期驱动时长基本匹配，且兼顾关断速度可控的优势。
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公开(公告)号：CN118783946A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410396664.8
申请日：2024-04-03
申请人： 亚德诺半导体国际无限责任公司
IPC分类号： H03K19/00 , H03K19/003 , H03K5/1252 , H03H11/28
摘要： 本公开涉及时钟分布抖动减小系统和方法。本发明的实施例涉及根据本公开的各种实施例的时钟生成和分布电路(“时钟电路”)。时钟电路包括有源阻抗减小电路，所述有源阻抗减小电路通过降低时钟电路内的小信号阻抗来改善时钟电路的带宽和抖动性能。在某些实施例中，激活元件被定位在沿着传输路径的节点处以引起阻抗的减小。
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