公开(公告)号：CN117936574A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410134794.4

申请日：2024-01-31

Applicant: 湖南工业大学

Inventor： 廖淋圆 ,  许熙 ,  吴振珲 ,  张涛

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种具有自适应浮空分裂栅IGBT的器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的IGBT器件结构在传统载流子存储沟槽栅双极晶体管结构(CSTBT)的基础上，在沟槽中集成了栅极、分裂栅和P型结型场效应晶体管(P‑JFET)，栅极与P‑JFET相互耗尽，可以大幅降低米勒电容CGC从而降低开关损耗；在AFSG‑IGBT导通时，P‑JFET的沟道被夹断使分裂栅保持在浮空状态，从而保证足够的注入增强效应；研究结果可为提高IGBT的效率提供重要的理论参考。

公开(公告)号：CN119363085A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411423809.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 湖南工业大学

Inventor： 曾荣周 ,  雷盛长 ,  吴振晖 ,  廖淋圆 ,  伍计鹏 ,  周细凤 ,  张涛 ,  胡正权 ,  缪嘉怡 ,  徐路阳 ,  杨新运 ,  候创

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/04 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种加速绝缘栅双极晶体管关断和降低关断损耗的电路，包括两个核心功率半导体器件、第一辅助元件和第二辅助元件，两个核心功率半导体器件为绝缘栅双极晶体管IGBT和结型场效应管JFET，IGBT的栅极连接驱动控制电路，IGBT的集电极与JFET的源极相连接，JFET的栅极通过第一辅助元件与JFET的源极、IGBT的集电极相连接，JFET的栅极通过第二辅助元件与IGBT的发射级相连接。本发明的电路中JFET和两个辅助元件能够加速IGBT关断、降低IGBT关断损耗，且IGBT和JFET不存在栅氧化层可靠性问题，完全解决了SiC MOSFET可靠性差的问题。

公开(公告)号：CN211955200U

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202020545087.1

申请日：2020-04-14

Applicant: 湖南工业大学

Inventor： 陈柱 ,  肖昌虎 ,  秦立源 ,  徐余月 ,  张涛 ,  何农跃 ,  郭媛 ,  于军

IPC: G01N21/31 ,  G01N21/82 ,  G01N21/01 ,  G05B19/042 ,  G05D23/19 ,  C12M1/38 ,  C12M1/00

Abstract: 基于吸光度法核酸快速检测的控制系统及其检测仪，包括微处理器，电压转换模块将接入的电源电压转换输出，光探测器信号调理模块输入端接多路光探测器信号，多路温度传感采集信号与光探测器信号调理模块输出端接至多路高精度A/D转换模块，多路高精度A/D转换模块输出连接至微处理器，微处理器控制连接驱动模块、通信模块与多路光源，驱动模块控制加热装置和/或风扇。本新型控制系统集恒温控制、吸光度检测及人机交互于一体，具有体积小、集成度高、成本低、稳定性好等优点，光电采集、驱动模块准确度高、可扩展性强，高精度温度传感采集电路适用于多种类型传感器，并可实现USB通信、蓝牙通信和交互通信功能。