公开(公告)号：CN119363085A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411423809.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 湖南工业大学

Inventor： 曾荣周 ,  雷盛长 ,  吴振晖 ,  廖淋圆 ,  伍计鹏 ,  周细凤 ,  张涛 ,  胡正权 ,  缪嘉怡 ,  徐路阳 ,  杨新运 ,  候创

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/04 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种加速绝缘栅双极晶体管关断和降低关断损耗的电路，包括两个核心功率半导体器件、第一辅助元件和第二辅助元件，两个核心功率半导体器件为绝缘栅双极晶体管IGBT和结型场效应管JFET，IGBT的栅极连接驱动控制电路，IGBT的集电极与JFET的源极相连接，JFET的栅极通过第一辅助元件与JFET的源极、IGBT的集电极相连接，JFET的栅极通过第二辅助元件与IGBT的发射级相连接。本发明的电路中JFET和两个辅助元件能够加速IGBT关断、降低IGBT关断损耗，且IGBT和JFET不存在栅氧化层可靠性问题，完全解决了SiC MOSFET可靠性差的问题。