公开(公告)号：CN103080730B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180041790.2

申请日：2011-02-15

申请人： 瓦伊系统有限公司

发明人： Y·拉克鲁瓦

IPC分类号： G01N21/64 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/6408 ,  G01N21/6489 ,  G01N21/66 ,  G01N2021/1719 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供能够测定半导体等材料内的载流子寿命的测定方法以及测定装置。针对由发光激光器发出的连续光通过激励侧的调制装置进行调制，生成其强度矩形波状地变化的激励光（14）并提供给半导体材料。针对半导体内的载流子被激励而通过再结合发出的冷光（24），通过受光侧的调制装置进行调制，从在激励时间内发出的光，分离在激励时间之后发生的衰减光（26）。该衰减光（26）包含材料内的载流子寿命的信息。衰减光（26）是在极其短的时间内得到的微细的光，所以在CCD元件的曝光时间内，积蓄多个衰减光（26）而探测。能够通过该探测光的强度得知载流子寿命。

公开(公告)号：CN103080730A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041790.2

申请日：2011-02-15

申请人： 瓦伊系统有限公司

发明人： Y·拉克鲁瓦

IPC分类号： G01N21/64 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/6408 ,  G01N21/6489 ,  G01N21/66 ,  G01N2021/1719 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供能够测定半导体等材料内的载流子寿命的载流子寿命的测定方法以及测定装置。针对由发光激光器发出的连续光通过激励侧的调制装置进行调制，生成其强度矩形波状地变化的激励光（14）并提供给半导体材料。针对半导体内的载流子被激励而通过再结合发出的冷光（24），通过受光侧的调制装置进行调制，从在激励时间内发出的光，分离在激励时间之后发生的衰减光（26）。该衰减光（26）包含材料内的载流子寿命的信息。衰减光（26）是在极其短的时间内得到的微细的光，所以在CCD元件的曝光时间内，积蓄多个衰减光（26）而探测。能够通过该探测光的强度得知载流子寿命。