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公开(公告)号：CN106716112B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
Applicant: 统一半导体公司
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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公开(公告)号：CN106164775B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201480077541.2
申请日：2014-12-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·J·H·斯米尔蒂 , B·O·夫艾格金格奥尔 , D·哈诺坦耶 , P·沃纳尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70625 , G01B9/04 , G01B2210/56 , G01N2021/8822 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F9/7092
Abstract: 在使用小目标的暗场量测方法中，使用单一衍射级获得的目标的图像的特性通过将组合拟合函数拟合至所测量的图像而被确定。组合拟合函数包括被选择用于表示物理传感器和目标的各个方面的项。基于测量过程和/或目标的参数确定组合拟合函数的一些系数。在一实施例中，组合拟合函数包括表示成像系统中的光瞳光阑的点扩展函数的jinc函数。
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公开(公告)号：CN107110638B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201580071044.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 诺威量测设备股份有限公司
Inventor： 鲍里斯·列万特 , 亚尼尔·海尼克 , 弗拉迪米尔·马恰瓦里亚尼 , 罗伊·科雷特 , 吉拉德·巴拉克
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01N21/956 , G01B11/02 , G01B2210/56 , G01N21/9501 , G01N2201/12
Abstract: 一种用于确定位于下部分层结构的顶部上的图案化结构的一个或多个参数的数据分析方法和系统。根据本技术，提供包括第一测量数据PMD和第二测量数据Smeas的输入数据，第一测量数据PMD是光谱强度Iλ和相位φ的函数f，PMD＝f(Iλ；φ)，对应于下部分层结构的复合光谱响应，第二测量数据表示由图案化结构和下部分层结构形成的样本的镜面反射光谱响应。还提供了一般函数F，一般函数描述样本的理论光响应Stheor与图案化结构的建模光响应Smodel和下部分层结构的复合光谱响应PMD之间的关系，使得Stheor＝F(Smodel；PMD)。然后利用一般函数比较第二测量数据Smeas和理论光响应Stheor并且确定所关注的顶部结构的参数。
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公开(公告)号：CN108700524A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680081834.7
申请日：2016-12-15
Applicant: 诺威量测设备股份有限公司
Inventor： 吉拉德·巴拉克 , 亚尼尔·海尼克 , 约纳坦·奥伦 , 弗拉迪米尔·马恰瓦里亚尼
IPC: G01N21/66
CPC classification number: G01N21/65 , G01B11/0666 , G01B2210/56 , G01L1/24 , G01N21/658 , G01N21/9501 , G03F7/70625 , H01L22/12
Abstract: 呈现一种用于测量图案化结构的一个或多个特征时使用的方法与系统。该方法包括：提供包括指示在使用至少一个所选择的光学测量方案的测量下从图案化结构获得的至少一个拉曼光谱的数据的测量数据，至少一个所选择的光学测量方案各自具有与待测量的特征对应的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置；处理测量数据，并且针对至少一个拉曼光谱中的每个光谱，确定在测量下的结构的至少一部分内的拉曼贡献效率(RCE)的分布，该分布取决于结构的特征与相应的光学测量方案中的照明和采集光条件中的至少一个条件的预定配置；分析拉曼贡献效率的分布并且确定该结构的特征。
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公开(公告)号：CN108291868A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680070555.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G01N21/211 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N2021/213
Abstract: 本发明提供一种用于选择将利用计量工具而测量的信号的系统、方法及计算机程序产品，所述计量工具优化所述测量的精度。技术包含模拟用于测量计量目标的一或多个参数的信号集合的步骤。产生对应于所述信号集合的正规化雅可比矩阵，基于所述正规化雅可比矩阵来选择所述模拟信号集合中的信号子集，所述信号子集优化与测量所述计量目标的所述一或多个参数相关联的性能度量，且利用计量工具来收集所述计量目标的所述信号子集中的每一信号的测量。对于由所述计量工具收集的给定数目个信号，与收集遍及一系列过程参数均匀地分布的信号的常规技术相比，此技术优化此类测量的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104583712B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201380043900.8
申请日：2013-08-15
Applicant: 诺威量测设备股份有限公司
CPC classification number: G01N21/9501 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B2210/56 , G01N21/47 , G01N21/8903 , G01N2201/12
Abstract: 提供了一种方法和系统，用于控制对具有不同的层状堆叠的区域的图案化结构施加的处理。该方法包括：顺次接收表示被处理的结构在预定的处理时间段期间的光学响应的测量数据，并且生成随着时间测量的数据块的对应序列；以及分析和处理数据块的序列并且确定结构的至少一个主要参数。分析和处理包括：处理数据块的所述序列的部分并且获得表示结构的一个或多个参数的数据；利用表示结构的所述一个或多个参数的所述数据，并且优化描述结构的光学响应与结构的一个或多个参数之间的关系的模型数据；利用优化的模型数据来处理所测量的数据块的序列的至少一部分，并且确定表征对结构施加的所述处理的结构的至少一个参数，并且生成表示结构的至少一个参数的数据。
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公开(公告)号：CN107408519A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680014060.6
申请日：2016-03-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： S·I·潘戴夫
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/0616 , G01B11/24 , G01B2210/56 , H01L22/12
Abstract: 本文中提出用于建置并使用参数隔离模型以使与所关注参数相关联的测量信号信息和与偶发模型参数相关联的测量信号信息隔离的方法及系统。通过以下步骤训练所述参数隔离模型：将与度量目标的例子的第一集合相关联的测量信号映射到与所述度量目标的例子的第二集合相关联的测量信号，所述第一集合具有多个偶发模型参数的已知值及所关注参数的已知值，所述第二集合具有所述多个偶发模型参数的标称值及所述所关注参数的所述已知值。所述经训练参数隔离模型接收原始测量信号且隔离与特定所关注参数相关联的测量信号信息以进行基于模型的参数估计。减少测量模型的浮动参数的数目，从而导致明显减少计算工作量。
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公开(公告)号：CN106796099A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580052115.8
申请日：2015-09-18
Applicant: FOGALE 纳米技术公司
Inventor： 吉莱斯·弗莱斯阔特
CPC classification number: G01B11/2441 , G01B9/0203 , G01B11/303 , G01B21/30 , G01B2210/56 , G01N21/9501 , G01N2021/8841 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备或仪器，其包括(i)轮廓测定装置(10)，其被布置为根据至少一个测量区域对晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量；(ii)成像装置(11)，其面对所述轮廓测定装置(10)，并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像；所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系(15)内参照就位。本发明还涉及在所述设备或仪器中实施的方法。
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公开(公告)号：CN103765157B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280039958.0
申请日：2012-07-02
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G01N21/55 , B08B5/02 , G01B11/06 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/21 , H01L21/67017 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具。所述净化工具包含：净化室，其经配置以将净化气体封围于所述净化室的腔内；所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体从所述室的所述腔扩散到晶片的表面的一部分；及孔隙，其经配置以将从照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的测量位置，且经进一步配置以将从所述测量位置反射的照明传输到检测器。
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公开(公告)号：CN106463430A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024936.0
申请日：2015-05-11
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/93 , G01B2210/56 , G01N21/4788 , G01N21/9501 , G01N21/95607 , G01N2201/06113 , G01N2201/062 , G01N2201/10 , G01N2201/1296
Abstract: 在一个实施例中，揭示了用于确定目标的参数的设备及方法。提供了一种具有成像结构及散射测量结构的目标。利用计量工具的成像通道获得所述成像结构的图像。还利用所述计量工具的散射测量通道从所述散射测量结构获得散射测量信号。基于所述图像及所述散射测量信号两者确定所述目标的至少一个参数，例如叠对误差。
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