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公开(公告)号：CN109073566A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021710.4
申请日：2017-03-14
申请人： 统一半导体公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
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公开(公告)号：CN108885095A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019774.0
申请日：2017-03-13
申请人： 统一半导体公司
IPC分类号： G01B11/24 , G02B21/00 , G01N21/956 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种检测诸如包括三维结构(11)的晶片等对象(10)的表面的方法，其使用具有多个光学测量通道(24)的共焦色差装置和色差透镜(13)，色差透镜(13)允许宽频带光源(19)的光学波长聚焦在限定色差测量范围的不同的轴向距离处，该方法包括以下步骤：通过测量由共焦配置的光学测量通道(24)中的至少一些测量通道收集的光在全光谱上的总强度，来获得与在对象(10)上的多个测量点(15)处，实际聚焦在色差测量范围内的对象(10)的界面上的光的强度相对应的强度信息。
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公开(公告)号：CN107076547B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580052310.0
申请日：2015-09-29
申请人： 统一半导体公司
摘要： 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。
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公开(公告)号：CN110945316B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201880048331.9
申请日：2018-07-16
申请人： 统一半导体公司
摘要： 一种多通道共焦传感器，其包括光源(14)、聚焦透镜布置(10)以及光学检测器(25)。该传感器还包括：‑第一光学集成电路(11)，其布置为将来自所述宽频带光源的光束(24)分离成多个发射光束，所述多个发射光束施加到发射孔(29)的高密度阵列；‑第二光学集成电路(20)，其布置为在多个收集孔(18)上收集来自待检查样品(17)的多个反射光束并且将所述反射光束传输到光学检测器(25)；‑分束器(22)，其布置为(i)通过聚焦透镜布置(10)将所述发射光束从第一光学集成电路(11)引导到检查基底(17)，以及(ii)通过聚焦透镜布置(10)将反射光束从检查样品(17)引导到第二光学集成电路(20)中。
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公开(公告)号：CN107076547A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052310.0
申请日：2015-09-29
申请人： 统一半导体公司
CPC分类号： G01N21/9505 , G01B11/2441 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N2021/8874
摘要： 本发明包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。
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公开(公告)号：CN106716112A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
申请人： 统一半导体公司
CPC分类号： G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
摘要： 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，所述干涉条纹横向于所述晶片的转动路径延伸并且在所述测量空间内具有可变的条纹间距，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述晶片在光源的波长下至少部分透明，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸，所述区域的厚度小于所述晶片的厚度；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号，该电信号表示所收集的光的光强度随时间的变化；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量，所述频率是缺陷通过测量空间的时间特征；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在所述径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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公开(公告)号：CN109073566B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201780021710.4
申请日：2017-03-14
申请人： 统一半导体公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其包括：使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束，以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V)，收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分，获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号，在所述信号中检测所述收集的光的频率分量，所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
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公开(公告)号：CN106716112B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201580052315.3
申请日：2015-09-29
申请人： 统一半导体公司
CPC分类号： G01B11/2441 , G01B9/02034 , G01B2210/56 , G01M11/331 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , H01L22/12
摘要： 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法，其包括：使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动；从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸；收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分；捕获所收集的光并发射电信号；在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量；从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值，确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。
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