用于加工期间的晶片控制的表面轮廓测定的设备和方法

    公开(公告)号:CN106796099B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201580052115.8

    申请日:2015-09-18

    Abstract: 本发明涉及一种用于相对于存在于晶片(12)的第一表面(13)下方的结构(14)对所述第一表面(13)进行形状测量的设备或仪器,其包括(i)轮廓测定装置(10),其被布置为根据至少一个测量区域对晶片(12)的所述第一表面(13)进行形状测量;(ii)成像装置(11),其面对所述轮廓测定装置(10),并且被布置为根据至少一个成像区域在晶片(12)的与所述第一表面(13)相对的第二表面上或通过所述第二表面获取所述结构(14)的参考图像;所述轮廓测定装置(10)和所述成像装置(11)被布置成使得测量区域和成像区域在公共参考系(15)内参照就位。本发明还涉及在所述设备或仪器中实施的方法。

    用于诸如晶片等对象的2D/3D检测的方法

    公开(公告)号:CN108885095A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201780019774.0

    申请日:2017-03-13

    Abstract: 本发明涉及一种检测诸如包括三维结构(11)的晶片等对象(10)的表面的方法,其使用具有多个光学测量通道(24)的共焦色差装置和色差透镜(13),色差透镜(13)允许宽频带光源(19)的光学波长聚焦在限定色差测量范围的不同的轴向距离处,该方法包括以下步骤:通过测量由共焦配置的光学测量通道(24)中的至少一些测量通道收集的光在全光谱上的总强度,来获得与在对象(10)上的多个测量点(15)处,实际聚焦在色差测量范围内的对象(10)的界面上的光的强度相对应的强度信息。

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