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公开(公告)号:CN119156514A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202380041531.2
申请日:2023-05-04
Applicant: 统一半导体公司
Inventor: 沃尔夫冈·亚历山大·伊夫 , 阿兰·库特维尔
IPC: G01B9/02015 , G01B11/02 , G01B9/04 , G01B11/06
Abstract: 本发明涉及用于表征在诸如晶圆之类的衬底(102)中蚀刻的结构(104)的方法(200、300、400),该方法(200、300)包括以下步骤:‑使用从光源(130)发出的照射光束,照射(202)至少一个结构(104)的底部(105),该光源发射具有适于透射通过该衬底(102)的波长的光,‑利用位于所述衬底(102)的底侧(108)上的成像设备(120、122、124),通过该衬底(102)获取(204、206)所述至少一个结构(104)的底部(105)的至少一个图像,以及‑从所获取的至少一个图像测量(210)与所述至少一个HAR结构(104)的底部(105)的横向尺寸相关的至少一个数据,该数据被称为横向数据。本发明还涉及实施这种方法的系统。
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公开(公告)号:CN108885095A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780019774.0
申请日:2017-03-13
Applicant: 统一半导体公司
IPC: G01B11/24 , G02B21/00 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种检测诸如包括三维结构(11)的晶片等对象(10)的表面的方法,其使用具有多个光学测量通道(24)的共焦色差装置和色差透镜(13),色差透镜(13)允许宽频带光源(19)的光学波长聚焦在限定色差测量范围的不同的轴向距离处,该方法包括以下步骤:通过测量由共焦配置的光学测量通道(24)中的至少一些测量通道收集的光在全光谱上的总强度,来获得与在对象(10)上的多个测量点(15)处,实际聚焦在色差测量范围内的对象(10)的界面上的光的强度相对应的强度信息。
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