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公开(公告)号：CN109690411A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055646.1
申请日：2017-08-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70625 , G03F7/70683
Abstract: 一种评估图案化工艺的方法，该方法包括：获得第一量测目标的第一测量的结果；获得第二量测目标的第二测量的结果，第二量测目标与第一量测目标具有结构差异，结构差异生成在第一与第二量测目标之间的、图案化工艺的工艺参数的灵敏度差异和/或偏移；以及由计算机系统，基于第一和第二测量的结果，确定与图案化工艺有关的值。
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公开(公告)号：CN109661617A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780053950.2
申请日：2017-07-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/70433 , G03F7/70625 , G03F7/70783
Abstract: 一种光刻设备包括被被配置为投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统。光刻设备进一步包括加热设备，包括被配置为提供在曝光期间照射并加热衬底一部分的额外的辐射束的一个或多个辐射源。
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公开(公告)号：CN108700826A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012610.5
申请日：2017-02-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 泛林集团
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70525 , G03F7/70625
Abstract: 一种方法以及相关联的设备和计算机程序，用于确定针对图案化工艺的感兴趣参数(诸如临界尺寸)的校正。该方法包括确定针对曝光控制参数的曝光控制校正，并且可选地基于结构的感兴趣参数的测量值、曝光控制关系和工艺控制关系来确定针对工艺控制参数的工艺控制校正。曝光控制关系描述感兴趣参数对曝光控制参数的依赖性，并且工艺控制关系描述感兴趣参数对工艺控制参数的依赖性。曝光控制校正和工艺控制校正可以被共同优化，以最小化后续经曝光和处理的结构的感兴趣参数相对于目标感兴趣参数的变化。
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公开(公告)号：CN106662823B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201580035773.6
申请日：2015-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70558 , G01N21/4738 , G01N21/4785 , G01N2021/4735 , G03F7/70625 , G03F7/70683 , G03F7/7085
Abstract: 一种确定在衬底上光刻工艺中使用的光刻设备的曝光剂量的方法，方法包括步骤：(a)接收包括使用光刻工艺制造的第一结构和第二结构的衬底；(b)当采用辐射照射第一结构时，检测被散射的辐射以获得第一散射仪信号；(c)当采用辐射照射第二结构时，检测被散射的辐射以获得第二散射仪信号；(d)使用第一散射仪信号和第二散射仪信号以确定用于制造第一结构和第二结构的曝光剂量值，其中第一结构包括具有空间特性的第一周期性特性和具有空间特性的至少另一第二周期性特性，空间特性被设计为受曝光剂量影响，以及第二结构包括具有空间特性的第一周期性特性和具有空间特性的至少另一第二周期性特性，空间特性被设计为受曝光剂量影响，其中曝光剂量以不同方式影响第一结构和第二结构的受曝光剂量影响的空间特性。
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公开(公告)号：CN108615702A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710623649.2
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/0035 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/094 , G03F7/70625 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76837 , H01L21/76849 , H01L21/76885 , H01L21/76897
Abstract: 一种具互连结构的半导体装置的制作方法。光微影上覆误差为导致低晶圆产量的图案化缺陷的一来源。本文揭露一种使用具有自对准互连件的图案化光微影/蚀刻制程的互连件形成制程。此互连形成制程尤其改良光微影上覆(OVL)边际，因为对准是在较宽图案上完成。此外，此图案化光微影/蚀刻制程支持多金属间隙填充及具有空穴的低介电常数介电质形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431692A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074852.2
申请日：2016-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/70633 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F7/70625 , G03F7/7065 , H05G2/008
Abstract: 一种混合量测设备(1000、1100、1200、1300、1400)测量通过光刻制造的结构(T)。一种EUV量测设备(244，IL1/DET1)利用EUV辐射照射所述结构且从所述结构检测第一光谱。另一种量测设备(240，IL2/DET2)利用包括EUV辐射或较长波长辐射的第二辐射照射所述结构且检测第二光谱。处理器(MPU)将所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱一起使用来确定所述结构的属性(CD/OV)。所述光谱可按照各种方式组合。例如，所检测到的第一光谱可用来控制用以捕捉所述第二光谱的检测和/或照射的一个或更多个参数，反之亦然。第一光谱可用于区分结构中的不同层(T1，T2)的属性。第一和第二辐射源(SRC1，SRC2)可共用一种公共驱动激光器(LAS)。
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公开(公告)号：CN108227395A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710998726.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2059 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70625
Abstract: 本公开实施例提供了一种增强图像对比度的方法，用于增强光刻可印刷性，尤其是增强图像对比度的系统与方法。此方法包括接收集成电路(IC)设计布局且根据此集成电路设计布局来产生曝光图。IC设计布局包括将形成于工件的目标图案，且曝光图包括曝光网格，而此曝光网格划分为组合以形成目标图案的多个暗像素和多个亮像素。此方法还包括调整曝光图以增加在目标图案的多个边缘上的曝光剂量。在一些实施例中，调整步骤包括在曝光图中定位目标图案的边缘部分，其中，边缘部分具有一对应的亮像素；以及将来自至少一暗像素的曝光剂量分配给上述对应的亮像素，藉此产生修改的曝光图。
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公开(公告)号：CN105765463B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480064504.8
申请日：2014-11-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G01B11/02 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 在散射测量中，在迭代过程中使用包括正则化参数的评价函数来寻找用于测量的目标的散射性质的值。针对每个测量目标并且在迭代过程的每次迭代中获得正则化参数的最优值。可以使用多种方法来寻找正则化参数的值，方法包括偏差原理、卡方分布方法以及包括评价函数的偏差原理和包括评价函数的卡方分布方法的创新性修改。
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公开(公告)号：CN104350424B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201380027929.7
申请日：2013-05-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70483 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 一种通过光刻过程形成在衬底上的量测目标包括多个分量光栅。使用被分量光栅衍射的辐射的+1和‑1级形成目标的图像。在被检测的图像中的感兴趣的区域(ROIs)对应于分量光栅被识别。在每个ROI内的强度值被处理并且在图像之间被比较，以获得不对称度的测量结果，并因此获得重叠误差的测量结果。分隔区形成在分量光栅之间，并且被设计成提供图像中的暗区域。在一实施例中，ROI被选择成它们的边界落入与分隔区相对应的图像区域中。通过这样的措施，不对称度测量对ROI的位置的变化有更大的容许度。暗区域也帮助识别图像中的目标。
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公开(公告)号：CN107438795A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680020996.X
申请日：2016-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·C·莫斯 , V·A·伊格纳托瓦 , E·詹森 , M·库比斯 , H·J·G·西蒙斯 , P·滕伯格 , E·J·M·沃勒博斯 , J·S·维尔登贝尔格
CPC classification number: G06F17/18 , G03F7/705 , G03F7/70508 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F9/7003 , G06F17/5009 , H01L22/12 , H01L22/20 , G03F7/70616 , G03F9/7034
Abstract: 一种方法，包括：根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
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