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公开(公告)号：CN108700826A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012610.5
申请日：2017-02-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 泛林集团
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70525 , G03F7/70625
Abstract: 一种方法以及相关联的设备和计算机程序，用于确定针对图案化工艺的感兴趣参数(诸如临界尺寸)的校正。该方法包括确定针对曝光控制参数的曝光控制校正，并且可选地基于结构的感兴趣参数的测量值、曝光控制关系和工艺控制关系来确定针对工艺控制参数的工艺控制校正。曝光控制关系描述感兴趣参数对曝光控制参数的依赖性，并且工艺控制关系描述感兴趣参数对工艺控制参数的依赖性。曝光控制校正和工艺控制校正可以被共同优化，以最小化后续经曝光和处理的结构的感兴趣参数相对于目标感兴趣参数的变化。
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公开(公告)号：CN108700826B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201780012610.5
申请日：2017-02-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 泛林集团
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法以及相关联的设备和计算机程序，用于确定针对图案化工艺的感兴趣参数(诸如临界尺寸)的校正。该方法包括确定针对曝光控制参数的曝光控制校正，并且可选地基于结构的感兴趣参数的测量值、曝光控制关系和工艺控制关系来确定针对工艺控制参数的工艺控制校正。曝光控制关系描述感兴趣参数对曝光控制参数的依赖性，并且工艺控制关系描述感兴趣参数对工艺控制参数的依赖性。曝光控制校正和工艺控制校正可以被共同优化，以最小化后续经曝光和处理的结构的感兴趣参数相对于目标感兴趣参数的变化。
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公开(公告)号：CN110799903A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880041728.5
申请日：2018-05-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定边缘粗糙度参数的方法，包括以下步骤：(1010)控制辐射系统以在用于接收衬底的测量位置处提供辐射斑；(1020)接收来自传感器的测量信号，所述传感器用于当量测目标被所述辐射斑照射时测量在所述测量位置处被所述量测目标衍射的禁用衍射阶(诸如第二阶)的强度，所述量测目标包括重复图案，所述重复图案被配置成通过(约0.5的)线宽/节距比率的配置来控制导致衍射阶的禁用的相消干涉的量，所述传感器被配置为基于所测量的强度来提供所述测量信号；和(1040)基于所述禁用衍射阶的所测量的强度确定边缘粗糙度参数。
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公开(公告)号：CN103034067B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210359532.5
申请日：2012-09-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·C·T·范德山登 , R·J·F·范哈恩 , H·J·G·西蒙斯 , R·D·M·埃德阿特 , 魏秀虹 , M·库比斯 , I·里尤利纳
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70141 , G03F7/70633 , G03F9/7003 , G03F9/7088
Abstract: 本发明公开了将图案应用至衬底的方法、器件制造方法以及用于这些方法的光刻设备。衬底被装载到光刻设备的衬底支撑结构上，之后设备测量衬底对准标记的位置。这些测量限定第一校正信息，由此允许设备在衬底上的一个或更多个期望的位置应用图案。使用附加的第二校正信息增强图案定位精确度，尤其是校正名义对准格子的较高阶变形。第二校正信息可以基于在应用先前的图案至相同衬底时所执行的对准标记的位置测量。第二校正信息可以替代地或附加地基于在当前衬底之前已经被图案化的相似衬底上执行的测量。
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公开(公告)号：CN115989560A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180053282.X
申请日：2021-08-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·帕拉雅维努格帕拉 , 穆罕默德·R·卡迈利 , M·库比斯
IPC: H01L21/027
Abstract: 披露了用于模拟等离子体蚀刻过程的系统和方法。根据某些实施例，用于模拟等离子体蚀刻过程的方法可以包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性；以及基于所述粒子的所述第一特性和所述第二特性来模拟特征的蚀刻特性。多尺度物理蚀刻模型或多尺度数据驱动模型可以用于模拟所述等离子体蚀刻过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107438795A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680020996.X
申请日：2016-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·C·莫斯 , V·A·伊格纳托瓦 , E·詹森 , M·库比斯 , H·J·G·西蒙斯 , P·滕伯格 , E·J·M·沃勒博斯 , J·S·维尔登贝尔格
CPC classification number: G06F17/18 , G03F7/705 , G03F7/70508 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F9/7003 , G06F17/5009 , H01L22/12 , H01L22/20 , G03F7/70616 , G03F9/7034
Abstract: 一种方法，包括：根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
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公开(公告)号：CN102498441B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080034105.9
申请日：2010-07-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G01B11/02 , G01B11/22 , G01B11/24 , G01B11/30 , G01N21/47 , G01N21/88 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065
Abstract: 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
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公开(公告)号：CN110799903B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201880041728.5
申请日：2018-05-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定边缘粗糙度参数的方法，包括以下步骤：(1010)控制辐射系统以在用于接收衬底的测量位置处提供辐射斑；(1020)接收来自传感器的测量信号，所述传感器用于当量测目标被所述辐射斑照射时测量在所述测量位置处被所述量测目标衍射的禁用衍射阶(诸如第二阶)的强度，所述量测目标包括重复图案，所述重复图案被配置成通过(约0.5的)线宽/节距比率的配置来控制导致衍射阶的禁用的相消干涉的量，所述传感器被配置为基于所测量的强度来提供所述测量信号；和(1040)基于所述禁用衍射阶的所测量的强度确定边缘粗糙度参数。
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公开(公告)号：CN107148597B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN109917622A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910250499.4
申请日：2016-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·C·莫斯 , V·A·伊格纳托瓦 , E·詹森 , M·库比斯 , H·J·G·西蒙斯 , P·滕伯格 , E·J·M·沃勒博斯 , J·S·维尔登贝尔格
Abstract: 一种方法，包括：根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
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