公开(公告)号：CN102498441B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080034105.9

申请日：2010-07-27

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： H·克拉莫 ,  A·邓鲍夫 ,  H·麦根斯 ,  H·斯米尔德 ,  A·斯盖勒肯斯 ,  M·库比斯

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01N21/88 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065

摘要： 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。

公开(公告)号：CN102498441A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080034105.9

申请日：2010-07-27

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： H·克拉莫 ,  A·邓鲍夫 ,  H·麦根斯 ,  H·斯米尔德 ,  A·斯盖勒肯斯 ,  M·库比斯

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01N21/88 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065

摘要： 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。