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公开(公告)号：CN105452963B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201480044273.4
申请日：2014-08-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·I·马萨瓦特 , H·克拉莫 , W·J·格鲁特吉恩斯 , A·范李斯特
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956
CPC分类号： G03F7/705 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G03F7/70625 , G03F9/7092
摘要： 用于评价结构的所感兴趣的参数的值的重构品质的方法和检验设备以及计算机程序产品，其可以应用于例如显微结构的量测中。重要的是重构提供结构的所感兴趣的参数(例如，CD)的值，当重构值被用于监测和/或控制光刻过程时所述值是精确的。这是一种通过使用结构的参数的重构值预测(804)结构的所感兴趣的参数的值并且通过对比(805)所感兴趣的参数的预测值和所感兴趣的参数的重构值来评价结构的所感兴趣的参数的值的重构(803)品质的方法，其不需要使用扫描电子显微镜。
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公开(公告)号：CN102498441B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080034105.9
申请日：2010-07-27
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641 , G01B11/02 , G01B11/22 , G01B11/24 , G01B11/30 , G01N21/47 , G01N21/88 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065
摘要： 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
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公开(公告)号：CN114667446A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080065378.3
申请日：2020-09-03
申请人： ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20
摘要： 披露了一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法。所述方法包括：接收表示由所述区域所散射的辐射的一部分的辐射信息；以及在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。
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公开(公告)号：CN102422227B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080020718.7
申请日：2010-05-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641
摘要： 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。
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公开(公告)号：CN102171618B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200980138923.0
申请日：2009-10-02
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/38 , G03F7/706 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70675 , G03F7/70683
摘要： 为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及其投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案用于将特定标记印刷到衬底上。然后通过例如散射仪等检查设备测量该标记，以确定焦距和剂量以及其他相关性质是否存在误差。测试图案配置成使得焦距和剂量的这种改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质来确定。测试图案可以是二维图案，其中物理或几何性质，例如节距，在两个维度的每一个上是不同的。测试图案还可以是一维的图案，其由一维的结构的阵列构成，该结构由至少一个亚结构构成，该亚结构与焦距和剂量不同地相互作用并给出可以确定焦距和剂量的曝光图案。
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公开(公告)号：CN102422227A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020718.7
申请日：2010-05-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641
摘要： 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。
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公开(公告)号：CN102918464B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201180027375.1
申请日：2011-05-03
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70483 , G03F7/70491 , G03F7/705 , G03F7/70625
摘要： 衍射模型和散射仪用于重构衬底上的显微结构(30)的模型。限定多个备选结构，每个通过多个参数(p1、p2等)表示。通过模拟所述备选结构中的每一个的照射来计算多个模型衍射信号。通过将一个或更多个所述模型衍射信号与由结构(30)检测的信号拟合来重构所述结构。在备选结构的生成过程中，使用模型选配方案，其中参数被指定为固定的或可变的。在可变参数当中，特定参数被约束以根据特定约束(A)，例如线性约束，一起变化。通过参照用于指定一个或更多个对测量感兴趣的参数的用户输入(988)并通过模拟重构过程重构来确定约束(990)的优化组，并因此确定优化的模型选配方案(994)。使用多个备选模型选配方案通过模拟参考结构的组(984)的重构的“参数顾问”过程(986)可以确定优化的模型选配方案。在生成参考结构的过程中，限制可以被应用(985)以排除“不现实”的参数组合。
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公开(公告)号：CN102576188B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080045674.3
申请日：2010-09-13
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F1/84 , G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/95
CPC分类号： G03F1/84 , G03F7/70625
摘要： 一种通过重构确定衬底上的对象的近似结构的系统和方法。其可以被应用于例如显微结构的基于模型的量测中，例如以便估计光刻设备的重叠性能或临界尺寸(CD)。散射仪被用以确定对象的近似结构，例如衬底上的叠层上的光栅。晶片衬底具有上层和下层。衬底包括第一散射测量目标区域，包括叠层对象上的光栅。叠层上的光栅由上层和下层构成。上层被图案化具有周期性光栅。衬底还具有相邻的第二散射测量目标区域，其中没有上层。第二区域仅具有未图案化的下层。
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公开(公告)号：CN102918464A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180027375.1
申请日：2011-05-03
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70483 , G03F7/70491 , G03F7/705 , G03F7/70625
摘要： 衍射模型和散射仪用于重构衬底上的显微结构(30)的模型。限定多个备选结构，每个通过多个参数(p1、p2等)表示。通过模拟所述备选结构中的每一个的照射来计算多个模型衍射信号。通过将一个或更多个所述模型衍射信号与由结构(30)检测的信号拟合来重构所述结构。在备选结构的生成过程中，使用模型选配方案，其中参数被指定为固定的或可变的。在可变参数当中，特定参数被约束以根据特定约束(A)，例如线性约束，一起变化。通过参照用于指定一个或更多个对测量感兴趣的参数的用户输入(988)并通过模拟重构过程重构来确定约束(990)的优化组，并因此确定优化的模型选配方案(994)。使用多个备选模型选配方案通过模拟参考结构的组(984)的重构的“参数顾问”过程(986)可以确定优化的模型选配方案。在生成参考结构的过程中，限制可以被应用(985)以排除“不现实”的参数组合。
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公开(公告)号：CN102498441A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080034105.9
申请日：2010-07-27
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641 , G01B11/02 , G01B11/22 , G01B11/24 , G01B11/30 , G01N21/47 , G01N21/88 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065
摘要： 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
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