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公开(公告)号：CN104395830B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380032940.2
申请日：2013-06-03
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70683
摘要： 一种确定光刻设备的聚焦的方法具有以下步骤。使用光刻过程在衬底上形成第一和第二结构，第一结构包括具有轮廓的特征，所述轮廓具有依赖于聚焦和例如剂量或像差的曝光扰动的不对称度。第二结构包括具有轮廓的特征，所述第二结构的特征轮廓对聚焦的敏感度与第一结构不同且对曝光扰动的敏感度与第一结构不同。散射仪信号用于确定用于形成第一结构的聚焦值。这可以通过使用第二散射仪信号和/或曝光过程中使用的所记录的曝光扰动设置以选择在使用第一散射仪信号或使用具有与第一和第二散射仪信号相关的参数的模型确定聚焦值中使用的校准曲线来完成。
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公开(公告)号：CN102422227B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080020718.7
申请日：2010-05-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641
摘要： 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。
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公开(公告)号：CN102422227A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020718.7
申请日：2010-05-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641
摘要： 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。
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公开(公告)号：CN104834186B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510113206.X
申请日：2009-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F1/14 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , Y10T428/24802
摘要： 本发明涉及检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法。为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使得焦距和剂量中的改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质而确定。掩模的测试图案布置成使得其产生衬底表面上的标记图案。标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。结构的侧壁角度之间的不对称与来自曝光设备的曝光辐射的聚焦(或散焦)相关。散焦的程度由此通过测量印刷的标记图案结构的侧壁角度中的不对称而确定。
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公开(公告)号：CN104834186A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510113206.X
申请日：2009-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F1/14 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , Y10T428/24802
摘要： 本发明涉及检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法。为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使得焦距和剂量中的改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质而确定。掩模的测试图案布置成使得其产生衬底表面上的标记图案。标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。结构的侧壁角度之间的不对称与来自曝光设备的曝光辐射的聚焦(或散焦)相关。散焦的程度由此通过测量印刷的标记图案结构的侧壁角度中的不对称而确定。
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公开(公告)号：CN104395830A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032940.2
申请日：2013-06-03
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70683
摘要： 一种确定光刻设备的聚焦的方法具有以下步骤。使用光刻过程在衬底上形成第一和第二结构，第一结构包括具有轮廓的特征，所述轮廓具有依赖于聚焦和例如剂量或像差的曝光扰动的不对称度。第二结构包括具有轮廓的特征，所述第二结构的特征轮廓对聚焦的敏感度与第一结构不同且对曝光扰动的敏感度与第一结构不同。散射仪信号用于确定用于形成第一结构的聚焦值。这可以通过使用第二散射仪信号和/或曝光过程中使用的所记录的曝光扰动设置以选择在使用第一散射仪信号或使用具有与第一和第二散射仪信号相关的参数的模型确定聚焦值中使用的校准曲线来完成。
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公开(公告)号：CN102272678A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153558.0
申请日：2009-12-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F1/14 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , Y10T428/24802
摘要： 为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使得焦距和剂量中的改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质而确定。掩模的测试图案布置成使得其产生衬底表面上的标记图案。标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。结构的侧壁角度之间的不对称与来自曝光设备的曝光辐射的聚焦(或散焦)相关。散焦的程度由此通过测量印刷的标记图案结构的侧壁角度中的不对称而确定。
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