-
公开(公告)号：CN115989560A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180053282.X
申请日：2021-08-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·帕拉雅维努格帕拉 , 穆罕默德·R·卡迈利 , M·库比斯
IPC: H01L21/027
Abstract: 披露了用于模拟等离子体蚀刻过程的系统和方法。根据某些实施例，用于模拟等离子体蚀刻过程的方法可以包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性；以及基于所述粒子的所述第一特性和所述第二特性来模拟特征的蚀刻特性。多尺度物理蚀刻模型或多尺度数据驱动模型可以用于模拟所述等离子体蚀刻过程。
Search Results
1
records
(took 0.024 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
