光刻设备和器件制造方法

    公开(公告)号:CN108713167A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201780016112.8

    申请日:2017-01-26

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 一种设备,包括:用于调节辐射束的照射系统;用于支撑图案形成装置的支撑件,图案形成装置能够在辐射束的截面中向辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束;被构造为保持衬底的衬底台;用于将经图案化的辐射束投射到衬底的目标部分上的投射系统;以及控制系统,控制系统被配置为:接收表征图案分布的图案数据,接收表征辐射束的辐射数据,基于图案数据和辐射数据确定图案的耗能分布,通过在图案形成装置的热机械模型中应用耗能分布来确定图案的变形,并且基于图案的变形确定用于控制设备的部件的控制信号。

    掩模版弯曲补偿装置、检测补偿系统及补偿方法

    公开(公告)号:CN107329374A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201610285810.5

    申请日:2016-04-29

    发明人: 王健

    IPC分类号: G03F7/20 G03F1/44

    摘要: 本发明涉及掩模版弯曲补偿装置、检测补偿系统及补偿方法,补偿装置包括固定框架和固定在其周向外侧的能量补偿单元组成。检测补偿系统包括补偿装置和检测装置,检测装置用于检测掩模版受热的变形量和计算抵消该变形量所需要补偿能量值,补偿装置根据该补偿能量值对掩模版热补偿区域进行补偿。补偿装置和检测补偿系统结构简单,操作方便。补偿方法利用检测补偿系统建立坐标系,通过表征量准确计算掩模版在X和Y轴的变形量,进而分别计算出抵消X和Y轴变形量所需的补偿能量值,再通过控制子系统控制补偿装置,实现对掩模版热补偿区域准确补偿加热。该补偿方法实现了对掩模版受热弯曲的准确和及时补偿,尽可能地消除掩模版受热弯曲效应。

    曝光装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105911821A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610366219.2

    申请日:2005-06-07

    发明人: 白石健一

    IPC分类号: G03F7/20 G03B27/42

    摘要: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法,一曝光装置,根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX),在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2),透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光,其具备测量装置(60),用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

    光处理装置及光处理方法

    公开(公告)号:CN102218414B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201110029588.X

    申请日:2011-01-24

    IPC分类号: B08B7/00 B29C59/00 G03F7/00

    摘要: 提供一种光处理装置及光处理方法,能够抑制被处理物的温度上升的同时进行紫外线照射处理。本发明的光处理装置,具备具有紫外线透过窗的框体以及配置于该框体内的准分子灯,其特征为:在上述紫外线透过窗的周围,具有与冷却用气体供给机构或冷却用气体吸气机构连接的气体流通口。并且,上述准分子灯具有:整体为扁平板状的放电容器;配置于该放电容器的一面的高电压侧电极;以及配置于该放电容器的另一面的接地侧电极,并且优选以上述放电容器的配置有上述高电压侧电极的一面与上述紫外线透过窗相对的方式配置。

    光刻设备及器件制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103959171A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201280056174.9

    申请日:2012-10-12

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 一种光刻设备(100)包括:衬底台(WT),构造以保持衬底(W);投影系统(PS),配置成通过开口(301)投影图案化辐射束并且将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上;和导管(305、306),具有在开口中的出口(306)。所述导管配置成将气体传输至开口。光刻设备包括温度控制设备(330),其由控制系统控制并且配置成控制在投影系统和衬底之间的空间中的气体的温度,尤其是冷却所述气体。