公开(公告)号：CN105467775A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510891261.1

申请日：2005-06-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70875 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

公开(公告)号：CN102360167B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110302682.8

申请日：2004-10-12

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 安田雅彦 ,  正田隆博 ,  金谷有步 ,  长山匡 ,  白石健一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

公开(公告)号：CN108490741A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810156462.0

申请日：2005-06-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

公开(公告)号：CN105911821A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610366219.2

申请日：2005-06-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一

IPC: G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

公开(公告)号：CN100485862C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200480029466.9

申请日：2004-10-12

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 安田雅彦 ,  正田隆博 ,  金谷有步 ,  长山匡 ,  白石健一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

公开(公告)号：CN105467775B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510891261.1

申请日：2005-06-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70875 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

公开(公告)号：CN103605262B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310395481.6

申请日：2005-06-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一

IPC: G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC classification number: G03F7/70875 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

公开(公告)号：CN102360167A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110302682.8

申请日：2004-10-12

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 安田雅彦 ,  正田隆博 ,  金谷有步 ,  长山匡 ,  白石健一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70716 ,  G03F9/7088

Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

公开(公告)号：CN1894773A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037202.8

申请日：2004-12-15

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 西井康文 ,  白石健一 ,  河野博高

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种台装置PST被提供以：支撑器PH，其具有支撑衬底P的衬底支撑表面33A；台52，其支撑和移动支撑器PH；以及回收装置60，其被布置在支撑器PH附近，并且具有亲液部分3、5，其中每一个的至少一部分是亲液性的，其利用亲液部分3、5来回收液体1。结果，防止了液体渗透到衬底和支撑器之间的空间中，即使在通过用液体填充投射光学系统和衬底之间的空间来执行曝光处理时也是如此。

公开(公告)号：CN105911821B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610366219.2

申请日：2005-06-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一

IPC: G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70916

Abstract: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。