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公开(公告)号：CN102360167A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110302682.8
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70141 , G03F7/70716 , G03F9/7088
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101510059B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910129713.7
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN102360167B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110302682.8
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN100485862C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200480029466.9
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN101510059A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910129713.7
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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公开(公告)号：CN1864244A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029466.9
申请日：2004-10-12
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法，其中，曝光装置(EX)具备：可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST)，检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1，并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5)；以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)，并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)，以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。
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