移动体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101689025B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN200880013387.7

    申请日:2008-11-06

    Inventor: 金谷有步

    CPC classification number: G03F7/70775 G03F9/7034

    Abstract: 于投影单元(PU)的+X,-X侧,分别将复数个Z读头(76,74)以Y标尺的有效宽度的一半以下的间隔(WD)与X轴平行地排列成随时有各两个Z读头成对对向于晶圆载台上的Y标尺(反射面)。同时对向于标尺的两个Z读头所构成的读头对中的优先读头的测量值,在优先读头的测量值因读头的动作不良等导致异常的情形时,使用另一读头的测量值,而可稳定且高精度地测量载台在至少Z轴方向的位置信息。

    曝光装置、曝光方法及器件制造方法

    公开(公告)号:CN102047182B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN200980117085.9

    申请日:2009-05-13

    Inventor: 金谷有步

    CPC classification number: G03F7/70341 G03F7/70775

    Abstract: 在液浸曝光方法的曝光装置中,存在着在保持晶片(W)的晶片工作台(WTB)移动时,由供应到晶片工作台(WTB)和投影光学系统(PL)之间的空间中的液体形成的液浸区(ALq)通过安装在所述晶片工作台(WTB)上的头(60A到60D)的情况。因此,对于液浸区(ALq)所通过的头(60C),基于从晶片工作台表面接收反射光的光接收元件所接收到的反射光的光量来检测是否存在液体残留。并且,在多个头中,基于在检测中未有液体残留的头的测量值来测量晶片工作台(WTB)的位置信息。

    曝光装置和曝光方法以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN102360167A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201110302682.8

    申请日:2004-10-12

    CPC classification number: G03F7/70341 G03F7/70141 G03F7/70716 G03F9/7088

    Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法,其中,曝光装置(EX)具备:可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST),检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1,并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5);以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM),并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM),以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

    描绘数据的生成方法、描绘数据生成装置、描绘数据生成程序、曝光系统及器件制造方法

    公开(公告)号:CN119317875A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202280096756.3

    申请日:2022-06-06

    Inventor: 金谷有步

    Abstract: 为了缩短表示使空间光调制器生成的图案的数据的生成时间,描绘数据的生成方法中,该描绘数据表示为了利用经由空间光调制器的曝光用光在基板上形成规定的曝光图案而使空间光调制器形成的描绘图案,由计算机执行:从表示设计图案的设计数据,生成表示与第1图案对应的第1描绘图案的第1描绘数据,其中,该设计图案重复配置有包含重复配置的多个第1图案的第2图案,与规定的曝光图案对应;基于所生成的第1描绘数据和表示第1图案的重复形态的第1信息,生成表示与第2图案对应的第2描绘图案的第2描绘数据;以及基于所生成的第2描绘数据和表示第2图案的重复形态的第2信息,生成表示描绘图案的描绘数据。

    曝光装置和曝光方法以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN101510059B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200910129713.7

    申请日:2004-10-12

    Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法,其中,曝光装置(EX)具备:可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST),检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1,并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5);以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM),并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM),以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

    移动体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101689026A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880014027.9

    申请日:2008-11-06

    Inventor: 金谷有步

    CPC classification number: G03F7/70775

    Abstract: 于投影单元(PU)的+X,-X侧,分别将多个Y读头(65,64)以标尺的有效宽度的一半以下的间隔(WD)与X轴平行地排列成随时有各两个读头成对对向于晶片载台上的Y标尺。同样地,于投影单元(PU)的+Y,-Y侧,分别将多个X读头(66)以间隔(WD)与Y轴平行地排列成随时有各两个读头成对对向于X标尺。同时对向于标尺的两读头所构成的读头对中的优先读头的测量值,在优先读头的测量值因读头的动作不良等导致异常的情形时,使用另一读头的测量值。使用两个Y读头对与一个X读头对稳定且高精度地测量载台在二维平面内的位置。

    移动体装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101689024A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880013251.6

    申请日:2008-11-06

    Inventor: 金谷有步

    CPC classification number: G03F9/7049 G03F7/70775 G03F9/7034

    Abstract: 于投影单元(PU)的+X,-X侧,分别将多个Z读头(76,74)以Y标尺的有效宽度的一半以下的间隔(WD)与X轴平行地排列成随时有各两个Z读头成对对向于晶片载台上的一对Y标尺(反射面)。同时对向于Y标尺的两个Z读头所构成的读头对中的优先读头的测量值,在优先读头的测量值因附着于标尺表面的杂质等导致异常的情形时,使用另一读头的测量值,而可稳定且高精度地测量载台在至少Z轴方向的位置信息。

    曝光装置和曝光方法以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN100485862C

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200480029466.9

    申请日:2004-10-12

    Abstract: 一种曝光装置和曝光方法以及器件制造方法,其中,曝光装置(EX)具备:可保持基片(P)并进行移动的基片台(PST),检测基片台(PST)所保持的基片(P)上的对准标记1,并且检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM)的基片对准系统(5);以及经由投影光学系统(PL)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM)的掩模对准系统(6)。使用基片对准系统(5)无液体地检测被设置于基片台(PST)的基准标记(PFM),并且使用掩模对准系统(6)经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)检测被设置于基片台(PST)的基准标记(MFM),以求得基片对准系统(5)的检测基准位置与图案像的投影位置的位置关系。这样就能够在浸液曝光中精确地进行对准处理。

    曝光设备、曝光方法以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN102944982B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201210487739.0

    申请日:2009-05-13

    Inventor: 金谷有步

    CPC classification number: G03F7/7085 G03F7/70725 G03F7/70775 Y10T29/49002

    Abstract: 曝光设备、曝光方法以及器件制造方法。在晶片工作台上设置构成编码器系统的多个头,并且,基于与刻度板(21)(衍射光栅(RG))相对的头的输出来测量晶片工作台在XY平面内的位置信息。并且,此处通过设置在各个头内的测量系统(640)来测量各个头(例如头(60C))与晶片工作台的相对位置(包括相对姿态和旋转)。因此,通过基于所测量的相对位置的信息来校正位置信息,即使在该头的位置(姿态、旋转)随晶片工作台的移动而变化的情况下,仍然也可以对晶片工作台的位置信息进行高精度测量。

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