公开(公告)号：CN105514014B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510647044.8

申请日：2015-10-08

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 奥川圭介 ,  篠崎洋辅 ,  野村俊寿

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103

摘要： 本发明提供能通过简化构造来降低主体基板上的特异点的数量和面积，且能通过减少工时等实现制造的容易化和制造效率的提高的静电卡盘。静电卡盘包括：主体基板(11)，其由陶瓷形成，且具有基板正面和基板背面；吸附用电极，其设于主体基板；金属基座(12)，其具有基座正面和基座背面，且配置为基座正面朝向主体基板的基板背面侧；内部通孔(51)，其以贯穿金属基座的基座正面与基座背面之间的方式形成。在主体基板上设有多个加热区域，在该多个加热区域中分别配置有加热电极。在内部通孔内配置有与各加热区域的加热电极电连接的多个加热电极端子(53)。配置在内部通孔内的多个加热电极端子与配置在内部通孔内的连接构件(6)电连接。

公开(公告)号：CN109390198A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810479744.4

申请日：2018-05-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋炫彻 ,  金泰坤 ,  崔庆寅 ,  崔善洪 ,  崔韩梅 ,  韩尚勋

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/68735 ,  B23B31/02 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32633

摘要： 本申请公开了一种晶圆支撑组件和半导体处理设备。该晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中，所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其具有面向所述中央区域的具有倾斜侧表面。

公开(公告)号：CN108885139A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780009778.0

申请日：2017-02-08

申请人： 沃特洛电气制造公司

发明人： 穆罕默德·诺斯拉蒂 ,  蒂莫西·B·汤普金斯

IPC分类号： G01K1/02

CPC分类号： H01L21/67248 ,  G01K1/024 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68792

摘要： 一种半导体处理设备包括晶圆支承组件、在晶圆支承组件中集成以测量晶圆支承组件的温度的温度传感器和信号传输装置，该信号传输装置将关于通过温度传感器获得的温度测量的信号无线地发送至外部控制模块。

公开(公告)号：CN108735628A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810359949.9

申请日：2018-04-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大谷乡 ,  大塚幸信

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67703

摘要： 本发明涉及基板加热装置，提供一种在将晶圆载置于加热板来进行加热的加热装置中抑制加热板的热对设置于加热装置的驱动系统的影响的技术。构成为由晶圆搬送机构将被加热板加热处理过的晶圆搬送到冷却板，在从加热板的下方侧起到冷却板的下方侧为止连续配置的水冷板的下方侧设置有构成晶圆搬送机构的例如包括带驱动机构的移动机构。因此，即使加热板的温度为600℃的高温，由于加热板的辐射热被水冷板遮蔽，因此对于移动机构的耐热性变大。

公开(公告)号：CN108735588A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810304990.6

申请日：2018-04-08

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 服部奈绪

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L2221/68336

摘要： 本发明提供一种分割方法，该分割方法不使芯片彼此接触，而能够更可靠地对被加工物整体进行分割。本发明的分割方法是用于分割板状的被加工物的分割方法，其包括下述步骤：起点区域形成步骤，沿着设定于被加工物的分割预定线形成作为分割的起点的起点区域；加热步骤，在实施起点区域形成步骤之后，对被加工物进行加热；冷却步骤，在实施加热步骤之后，将被加工物冷却；分割步骤，在实施冷却步骤之后，对被加工物施加力，沿着起点区域对被加工物进行分割；以及片粘贴步骤，在实施分割步骤之前，在被加工物上粘贴扩展片，在分割步骤中，通过对该扩展片的扩展而对被加工物施加力。

公开(公告)号：CN108701642A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014952.0

申请日：2017-01-23

申请人： 应用材料公司

发明人： V·D·帕科

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68785

摘要： 一种静电吸盘包含：陶瓷主体，具有顶部及底部；一或多个加热元件，设置于陶瓷主体中；以及一或多个电极，设置于陶瓷主体中。所述静电吸盘进一步包含多个物件，该多个物件通过金属接合物接合至陶瓷主体的底部，其中多个物件全体包含多个特征，该多个特征分布在陶瓷主体的底部上从由陶瓷主体的底部限定的圆的中心开始的多个不同距离处，且其中该多个特征中的特征容置紧固件。

公开(公告)号：CN108682646A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810758136.7

申请日：2018-07-11

申请人： 苏州焜原光电有限公司

发明人： 陈意桥 ,  马栋梁

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明属于电子元器件技术领域，涉及一种InSb薄膜转移装置，包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置；所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸；所述进样反转室包括能够伸入所述薄膜转移室的传送杆、驱动所述传送杆的反转驱动电机、位于所述传送杆的内侧末端的受体吸附台以及可往所述薄膜转移室开启的隔离阀；所述伸缩压力装置包括水平的伸缩杆以及设于所述伸缩杆的末端的压力滚轮。本InSb薄膜转移装置能大大减少在生产过程中由于打开腔体和关闭腔体而造成环境破坏，降低重新建立环境的时间，如此便可以极大的缩减生产周期。

公开(公告)号：CN106920725B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510982830.3

申请日：2015-12-24

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 吴磊 ,  叶如彬 ,  浦远

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明提供一种聚焦环的温度调整装置及方法，等离子体辐射到聚焦环上的热量，通过与聚焦环下表面接触的第一导热垫、与第一导热垫下表面接触的绝缘环、与绝缘环下表面接触的第二导热垫，向下传递到与第二导热垫接触的基座，通过基座设置的冷却系统进行冷却降温；开启接地的屏蔽环中所设置的加热器来产生可控的外加热源，所述外加热源的热量通过屏蔽环、与屏蔽环接触的第三导热垫、与第三导热垫接触的绝缘环、第一导热垫传递到聚焦环，对聚焦环实施可控升温。本发明通过提供良好的导热冷却路径，并结合可控参数的加热方式，实现对聚焦环工作温度的精细控制，使其在刻蚀等处理中可调谐，从而满足工艺需求。

公开(公告)号：CN108630573A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810169101.X

申请日：2018-02-28

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 桥本光治 ,  长田直之

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67167

摘要： 本发提供一种抑制或防止基板间的处理产生偏差的基板处理装置和方法。该装置包括：基板保持单元，保持基板；处理液流通构件，由内壁面划分出与喷出口连通的处理液流通路的至少一部分；处理液供给单元，向处理液流通路供给比常温高的处理液；温度变化单元，从外侧对处理液流通构件的外壁面加热或冷却，使处理液流通构件的温度变化；控制装置，执行基板处理工序和平衡温度维持工序，在基板处理工序中，控制处理液供给单元，向处理液流通路供给比常温高的处理液，从喷出口喷出处理液，对基板实施处理，在平衡温度维持工序中，在未从处理液供给单元向处理液流通路供给处理液的状态下，控制温度变化单元，将处理液流通构件的内壁面维持为热平衡温度。

公开(公告)号：CN108475656A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074971.8

申请日：2016-12-26

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 竹林央史 ,  鸟居谦悟

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H05B3/08 ,  H05B3/283

摘要： 静电卡盘加热器(10)在圆盘状的陶瓷基体(30)埋设有多个发热体(20)。静电卡盘加热器(10)的作为晶片载置面的上表面(12)分为多个区，在各区且在陶瓷基体(30)埋设有具有端子(22、24)的发热体(20)。在静电卡盘加热器(10)的下表面(14)具有数量(这里为8个)比发热体(20)的总数少的端子汇聚区域(16)。全部的发热体(20)的端子(22、24)通过陶瓷基体(30)的内部而配线于任一个端子汇聚区域(16)。