公开(公告)号：CN106298625B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201610695640.8

申请日：2016-08-22

申请人： 沈阳拓荆科技有限公司

发明人： 范川 ,  柴智 ,  方仕彩

IPC分类号： H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68735 ,  H01L21/68785

摘要： 一种阶梯结构陶瓷环，用以承托一晶圆之陶瓷环，包含：一本体；及一环形凹部，设于该本体中央，且该环形凹部具有一底面及由底面向上延伸至本体表面的一缓冲部。该陶瓷环可确保晶圆定位的可靠性，同时又能避免晶圆的侧边与陶瓷环接触而产生颗粒物。

公开(公告)号：CN105895488B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510931460.0

申请日：2015-12-15

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 岩井哲博 ,  置田尚吾 ,  渡边彰三

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明的等离子体处理装置以及电子部件的制造方法在对基板进行等离子体处理时，高效地对基板和保持该基板的搬运载体进行冷却。等离子体处理装置对载体所保持的基板进行等离子体处理，载体具备在基板的周围配置的框架、和保持基板以及框架的保持片，等离子体处理装置具备：腔室；工作台，其配置在腔室内，且具有搭载载体的上表面；气体孔，其设置在上表面的与框架的底面对置的位置，且向工作台与载体之间供给冷却用气体；以及等离子体激发装置，其在腔室内产生等离子体。

公开(公告)号：CN108028219B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201680055076.1

申请日：2016-09-13

申请人： 住友大阪水泥股份有限公司

发明人： 前田进一 ,  三浦幸夫 ,  小坂井守 ,  河野仁

IPC分类号： H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明的静电卡盘装置具备：静电卡盘部，具有载置板状试样的载置面；温度调整用基部，与静电卡盘部的与载置面相反的一侧的面相对地配置；粘接部，将静电卡盘部与温度调整用基部之间进行粘接；及环状的聚焦环，包围载置面的周围，由静电卡盘部、聚焦环、粘接部及温度调整用基部的堤部所包围的空间的体积大于粘接部在使用温度下的体积膨胀量。

公开(公告)号：CN105051865B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480015658.8

申请日：2014-03-14

申请人： 威科仪器有限公司

发明人： 桑迪普·克里希南 ,  威廉·E·奎恩 ,  杰弗里·S·蒙哥马利 ,  约书亚·曼格姆 ,  卢卡斯·厄本

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC分类号： C30B25/12 ,  B23P19/04 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  Y10T29/49826

摘要： 一种应用于通过化学气相沉积在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器。所述晶片承载器包括凹入其本体的晶片保持凹穴。热绝缘间隔装置至少部分地位于至少一个晶片保持凹穴中，并且设置为保持周壁表面和晶片之间的间隔。间隔装置由具有比晶片承载器的热传导率低的材料制成，使得间隔装置限制热从晶片承载器本体的部分传递到晶片。晶片承载器进一步包括间隔保持结构，其与间隔装置对应并且包括用于防止在绕中心轴线旋转时间隔装置的离心运动的表面。

公开(公告)号：CN108431943A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680075687.2

申请日：2016-11-28

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 杰克·罗皮可罗 ,  保罗·E·佩敢堵

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/68

CPC分类号： B25J15/0014 ,  B25J11/0095 ,  B25J19/0091 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

摘要： 一种自阻尼末端执行器，包括：基座；指状件，自所述基座延伸且用以支撑衬底；以及阻尼器，与所述指状件相关联，所述阻尼器具有固有频率，所述固有频率处于所述指状件的固有频率的预定公差以内。

公开(公告)号：CN104143494B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201410190658.3

申请日：2014-05-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 哈梅特·辛格 ,  索斯藤·利尔

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明涉及一种等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件，具体而言，一种等离子体处理室的部件，所述部件在其等离子体暴露表面上具有液体保护层。所述液体保护层可以通过供应液体到液体通道并且经由所述部件中的液体供给通道输送所述液体来被补充。所述部件可以是边缘环，所述边缘环包围被支撑在所述等离子体处理设备中的衬底支架上的半导体衬底，其中等离子体产生并用于处理所述半导体衬底。可替代地，所述液体保护层可以被固化或充分冷却以形成固体保护层。

公开(公告)号：CN108359957A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810153580.6

申请日：2011-10-07

申请人： 应用材料公司

发明人： M·拉希德 ,  K·A·米勒 ,  R·王

IPC分类号： C23C14/56

CPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明涉及用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘。本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件，以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言，此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独(及组合)运作以显著地减少它们在处理期间对基板周围的电场的影响。

公开(公告)号：CN108028219A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680055076.1

申请日：2016-09-13

申请人： 住友大阪水泥股份有限公司

发明人： 前田进一 ,  三浦幸夫 ,  小坂井守 ,  河野仁

IPC分类号： H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明的静电卡盘装置具备：静电卡盘部，具有载置板状试样的载置面；温度调整用基部，与静电卡盘部的与载置面相反的一侧的面相对地配置；粘接部，将静电卡盘部与温度调整用基部之间进行粘接；及环状的聚焦环，包围载置面的周围，由静电卡盘部、聚焦环、粘接部及温度调整用基部的堤部所包围的空间的体积大于粘接部在使用温度下的体积膨胀量。

公开(公告)号：CN108026635A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201580083352.0

申请日：2015-09-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 莱内尔·欣特舒斯特

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C14/50 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/68735

摘要： 描述了用于要在真空处理设施中处理的一个或多个基板的载体(100；320)。所述载体包括：基板支撑部分(110)，用于支撑一个或多个待处理基板，基板支撑部分(110)包括至少一个拐角(111)；和框架(120)，基本上围绕基板支撑部分(110)提供并且包括外缘(121；122；123；124)。框架(120)包括狭缝(130；330)，所述狭缝从基板支撑部分(110)的至少一个拐角(111)延伸到框架(120)的外缘(121；122；123；124)。狭缝(130；330)相对于框架的外缘(121；122；123；124)而倾斜。另外，描述了用于在真空沉积工艺中承载基板的方法。

公开(公告)号：CN105009273B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480010655.5

申请日：2014-03-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 冈部晃 ,  森义信

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  Y10S269/903

摘要： 本发明的基座支撑部包括基座轴及基板升降部。基座轴包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基板升降部包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基座轴的臂从基座轴的支撑柱侧起包括第一臂、耦接至第一臂的第二臂及耦接至第二臂的第三臂，第二臂提供有通孔，所述通孔沿垂直方向穿过第二臂，且基座轴的第一臂的宽度小于基座轴的第二臂的宽度。