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发明授权
CN104143494B 等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件 有权

等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件
摘要：
本发明涉及一种等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件，具体而言，一种等离子体处理室的部件，所述部件在其等离子体暴露表面上具有液体保护层。所述液体保护层可以通过供应液体到液体通道并且经由所述部件中的液体供给通道输送所述液体来被补充。所述部件可以是边缘环，所述边缘环包围被支撑在所述等离子体处理设备中的衬底支架上的半导体衬底，其中等离子体产生并用于处理所述半导体衬底。可替代地，所述液体保护层可以被固化或充分冷却以形成固体保护层。
摘要（英）：

A component of a plasma processing chamber having a protective liquid layer on a plasma exposed surface of the component. The protective liquid layer can be replenished by supplying a liquid to a liquid channel and delivering the liquid through liquid feed passages in the component. The component can be an edge ring which surrounds a semiconductor substrate supported on a substrate support in a plasma processing apparatus wherein plasma is generated and used to process the semiconductor substrate. Alternatively, the protective liquid layer can be cured or cooled sufficiently to form a solid protective layer.

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