使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置

    公开(公告)号:CN107523860A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710618946.8

    申请日:2014-03-13

    发明人: 冈部晃 森义信

    摘要: 本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分,及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时,支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板,并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流,使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件,该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。

    外延生长装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108728823B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201810343931.X

    申请日:2013-10-28

    发明人: 冈部晃 森义信

    摘要: 本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括:反应室,由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分;加热单元,设置于反应室外部,且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热;以及反应气体导入单元,与基板的水平方向相平行地向反应室内导入反应气体;并且顶板的中心与所述基板载置部的距离小于10mm。

    使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置

    公开(公告)号:CN107523860B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201710618946.8

    申请日:2014-03-13

    发明人: 冈部晃 森义信

    摘要: 本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分,及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时,支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板,并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流,使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件,该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。

    外延生长装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105103276B

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201380054803.9

    申请日:2013-10-28

    发明人: 冈部晃 森义信

    IPC分类号: H01L21/31 C23C16/455

    摘要: 本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括:反应室,由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分;加热单元,设置于反应室外部,且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热;以及反应气体导入单元,与基板的水平方向相平行地向反应室内导入反应气体;并且顶板的中心与所述基板载置部的距离小于10mm。

    使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置

    公开(公告)号:CN112981525A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110164339.5

    申请日:2014-03-13

    发明人: 冈部晃 森义信

    摘要: 本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分,及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时,支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板,并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流,使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件,该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。

    使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置

    公开(公告)号:CN110067021A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201811583562.8

    申请日:2014-03-13

    发明人: 冈部晃 森义信

    摘要: 本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分,及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时,支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板,并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流,使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件,该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。