公开(公告)号：CN106158707B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610324358.9

申请日：2016-05-16

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金鹏 ,  韩旻成 ,  林舟楫 ,  金禹永

IPC: H01L21/67

CPC classification number: F26B21/145 ,  F26B3/04 ,  F26B9/06 ,  F26B21/10 ,  F26B21/12 ,  F26B21/14 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 根据本发明的基板干燥装置包含：腔室，其提供处理基板的空间；以及流体供给单元，其向所述腔室供给工艺流体，所述流体供给单元，包含：供给罐，其用于储存所述流体；供给线，其连接所述供给罐和所述腔室；分支线，其在所述供给线的第一支点分支，在所述供给线的第二支点连接；以及温度调节单元，其在所述第一支点和所述第二支点之间，以使得在所述供给线和所述分支线流动的流体的温度不同的方式调节所述流体的温度。

公开(公告)号：CN109075038A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780012924.5

申请日：2017-02-27

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

Inventor： 铃木邦彦 ,  池谷尚久 ,  深田启介 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  藤林裕明 ,  上东秀幸 ,  内藤正美 ,  原一都 ,  青木宏文 ,  小泽隆弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/6719 ,  B01F3/028 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/205

Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

公开(公告)号：CN108695204A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810286512.7

申请日：2018-03-30

Applicant: 技术发现者联合有限公司 ,  徐基源

Inventor： 徐基源

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明的半导体工程装置包括：腔体单元，配备有生成等离子体的内部空间；以及，卡盘单元，配置于上述内部空间，对通过上述等离子体进行加工的基板进行支撑；其中，上述腔体单元包括可拆卸的第1腔体部以及第2腔体部，当上述第1腔体部与上述第2腔体部相互结合时形成生成上述等离子体的上述内部空间，当上述第1腔体部与上述第2腔体部相互分离时能够使上述卡盘单元裸露在外部。

公开(公告)号：CN106462084B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201580033308.9

申请日：2015-05-01

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： J·G·威维伯格 ,  L·V·普兰德索恩 ,  B·范格尔德 ,  G·德博尔 ,  M·P·丹斯伯格

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/16 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: B25J11/00 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70841 ,  G03F9/7096 ,  H01J37/16 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/166 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67775

Abstract: 本发明涉及用于封闭目标处理机械的组件(1)。所述组件包括封闭件(2)和传送单元(3)。所述封闭件包括：基板(21)，所述目标处理机械布置在该基板上；侧壁面板(22)，其固定到所述基板；以及顶壁面板(23)，其固定到所述侧壁面板。此外，封闭件包括处于封闭件的侧壁中的进入开口(24)。传送单元包括用于使传送单元相对于基板运动的一个或多个传送元件(31)。传送单元还包括布置成用于关闭进入开口的门面板(32)，其中门面板借助于柔性联接件(33)可动地安装到所述传送单元，该柔性联接件允许门面板相对于传送单元至少沿着朝向和/或远离封闭件的方向运动。

公开(公告)号：CN108573854A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810194164.0

申请日：2018-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  桥本浩幸 ,  野泽秀二 ,  藤川诚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67703 ,  H01L29/785 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。

公开(公告)号：CN108475641A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780005290.0

申请日：2017-01-27

Applicant: 马特森技术有限公司

Inventor： 保罗·蒂曼斯

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248

Abstract: 提供了用于毫秒退火系统的预热方法。在一个示例性实施方案中，热处理方法可以包括：将基底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承件上；将基底加热至中间温度；以及使用毫秒加热闪光加热基底。在将基底加热至中间温度之前，所述方法可以包括将基底加热至预烘温度持续均热时段。

公开(公告)号：CN108350572A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062629.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  几尾·森 ,  罗宾·L·蒂纳

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  B01J3/00

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/681 ,  H01L21/682

Abstract: 提供一种用于处理多个基板的处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，具有单一基板传送开口；第一基板支撑台面，设置在腔室主体中；和第二基板支撑台面，设置在腔室主体中。每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板。第一基板支撑台面、第二基板支撑台面和开口的中心线性对准。

公开(公告)号：CN108292617A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680070408.3

申请日：2016-12-15

Applicant: 马特森技术有限公司

Inventor： 约阿希姆·杰尼施 ,  曼努埃尔·米勒

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27D25/00 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H05B3/0047

Abstract: 提供了用于减少被布置在毫秒退火系统中的室壁上的反射镜上的污染的系统和方法。在一个示例实施方式中，可以通过以下中手段的一个或更多个来加热反射镜：(1)加热封闭流体系统中的流体以调节反射镜的温度；(2)附接至反射镜的筒式电加热器或加热器带；以及/或者(3)使用所述室内的灯光。

公开(公告)号：CN105900218B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201480073028.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 中井仁司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

Abstract: 在基板处理装置(1)中，在腔室底部(256)设置有在周向上排列的多个大腔室排气口(281)。通过杯旋转机构(7)使杯部(4)旋转，杯排气口(461)有选择地与多个大腔室排气口(281)中某一个重叠。在杯排气口(461)与1个大腔室排气口(281)重叠的状态下，通过第一排气机构(95a)将杯部(4)内的气体向腔室(21)外排出。在杯排气口(461)与另一个大腔室排气口(281)重叠的状态下，通过第二排气机构(95b)将杯部(4)内的气体向腔室(21)外排出。在基板处理装置(1)中，通过杯旋转机构(7)使腔室(21)内的杯部(4)旋转，能够容易对从杯部(4)进行排气的排气机构进行切换。

公开(公告)号：CN106415395B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201580023034.5

申请日：2015-03-17

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： G·A·H·F·詹森 ,  M·范巴伦

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/70875 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/708 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70858 ,  G03F7/70866 ,  H01L21/67 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/67742

Abstract: 一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源(30)，所述系统包括：衬底通过的空间(105)；和用于将所述空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘的热屏蔽件(110)，所述热屏蔽件包括：第一壁(1100)和第二壁(1200)且在所述第一壁和第二壁之间具有间隙(1300)，所述第一壁定位在所述空间与所述第二壁之间；至少一个入口开口(1400)，所述至少一个入口开口被配置用于允许来自所述气体源的气体流(212)从所述空间的外部进入所述间隙；和至少一个出口开口(1500)，所述至少一个出口开口被配置用于允许气体流离开所述间隙至所述空间的外部，其中所述系统适于引导来自所述气体源的气体流，使所述气体流通过所述至少一个入口开口进入所述间隙、流动通过所述间隙并且通过至少一个出口开口流出所述间隙至所述空间外部，从而减少由于源于所述空间外部的热负载而引起的所述空间中的热波动。