公开(公告)号：CN105420685B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

Abstract: 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。

公开(公告)号：CN108028196A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680043730.7

申请日：2016-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  朴玩哉 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H05H1/46

Abstract: 一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，包括：向放入了在抗蚀剂膜上形成有规定的图案的被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在‑20℃的处理温度下，利用改性气体的等离子体对被处理体的抗蚀剂膜进行改性。

公开(公告)号：CN107479330A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201610405199.5

申请日：2016-06-08

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  赵伟 ,  林晓阳 ,  周段亮 ,  张春海 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2037 ,  G03F7/2059 ,  H01J37/00

Abstract: 本发明涉及一种采用电子束的光刻方法，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。本发明提供的采用电子束的光刻方法，通过二维纳米材料将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。

公开(公告)号：CN107240563A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710096228.9

申请日：2017-02-22

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 竹田刚

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67098 ,  H01L2221/67

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供一种能够提高所形成的膜的膜质的技术。具有：处理室，对衬底进行处理；气体供给部，设置于处理室内，供给对衬底进行处理的处理气体；等离子体产生部，设置于处理室内，使处理气体活化；和缓冲部，形成用于收纳等离子体产生部的至少一部分的缓冲室，且具有对衬底供给活化后的处理气体的气体供给孔，缓冲部具有将气体供给孔的一部分切去而形成的槽部。

公开(公告)号：CN106206287A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365868.0

申请日：2016-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田石真之 ,  三轮智典 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/00 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。

公开(公告)号：CN108573854A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810194164.0

申请日：2018-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  桥本浩幸 ,  野泽秀二 ,  藤川诚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67703 ,  H01L29/785 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤，进行如下工序：向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21)的工序；以层叠于第1掩模用的膜(21)上的方式形成第2掩模用的无机膜(22)的工序；在第1掩模用的膜(21)和所述第2掩模用的无机膜(22)形成图案、对基板(W)的表面进行离子注入的工序；在进行了离子注入之后去除第2掩模用的无机膜(22)的工序；在进行了离子注入之后对基板(W)进行加热而使所述聚合物解聚来去除第1掩模用的膜(21)的工序。

公开(公告)号：CN106057621B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510658912.2

申请日：2015-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于伟波 ,  庄瑞萍 ,  吕祯祥 ,  古绍延

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01J37/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67736 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H05F3/04 ,  H05F3/06

Abstract: 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间,基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。

公开(公告)号：CN108133880A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711119934.7

申请日：2017-11-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 梅里哈·哥德·兰维尔 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  卡普·斯里什·雷迪 ,  丹尼斯·M·豪斯曼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/52 ,  C23C22/05 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257

Abstract: 本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4-6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0-3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。

公开(公告)号：CN106029215A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480067106.1

申请日：2014-11-12

Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

Inventor： F-H.勒格纳 ,  A.魏道尔 ,  G.马托施 ,  J.库布施

IPC: B01J8/12 ,  B01J19/08 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06

CPC classification number: A01C1/08 ,  A61L2/087 ,  A61L2/26 ,  A61L2202/11 ,  B01J8/12 ,  B01J19/085 ,  B01J2219/0815 ,  B01J2219/0833 ,  B01J2219/0879 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/15

Abstract: 本发明涉及一种装置，包含至少一个用于生成加速的电子的电子束产生器(301)，利用这些加速的电子能够使散装货物粒子(303)在自由落体期间被加载，其中，所述电子束产生器(301)环形地构造，在该电子束产生器中由环形的阴极放出的且加速的电子从电子排出窗中在环轴线的方向上排出；其中，所述环形的电子束产生器(301)布置成使得其环轴线竖直地或者以与竖直线偏差直至45°的角度取向；且其中，在所述环形的电子束产生器上方布置有用于分开散装货物粒子的机构，该机构的底部壁(304)具有至少一个开口，散装货物粒子(303)从所述至少一个开口中且从那里通过由所述电子束产生器(301)形成的环下落。

公开(公告)号：CN103969963B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310167352.1

申请日：2013-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  包天一 ,  吕志伟 ,  许照荣 ,  林世杰 ,  林本坚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/702 ,  H01J37/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/31789

Abstract: 图案生成器包括：具有平面镜的平面镜阵列板、设置在平面镜阵列板上方的至少一个电极板、设置在平面镜上方的小透镜、以及夹置在平面镜阵列板和电极板之间的至少一个绝缘层。电极板包括第一导电层和第二导电层。小透镜具有在电极板中形成的非竖直侧壁。图案生成器进一步包括夹置在两个电极板之间的至少一个绝缘体。非竖直侧壁可以是U形侧壁或L形侧壁。本发明还提供了用于光刻系统的图案生成器。