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公开(公告)号：CN119560411A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411711851.7
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和基片处理装置。等离子体处理装置包括：处理腔室；所述处理腔室内的载置台；气体供给部，其用于向所述处理腔室供给处理气体；第1高频电源，其用于产生等离子体生成用的第1高频电功率；第2高频电源，其用于产生高频偏置电功率；和控制部，所述控制部能够进行控制以使得所述等离子体处理装置执行包括下述步骤的处理：(a)在所述载置台上准备形成有锥形的开口的被处理体的步骤；(b)在所述开口的侧壁形成膜厚沿着所述开口的深度方向变薄的膜的步骤；和(c)使所述开口的下部的开口尺寸扩大的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN116169018A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310013829.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN108735596B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810349214.8
申请日：2018-04-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN116013778A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211254104.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。等离子体处理方法在具有腔室的等离子体处理装置中执行。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有包括硅氧化膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜以及在蚀刻对象膜上规定出开口的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，从包含HF气体、CxFy气体(x和y为1以上的整数)或CsHtFu气体(s、t以及u为1以上的整数)、以及含氧气体的第一处理气体生成等离子体，来对氮化硅膜进行蚀刻；以及工序(c)，从包含HF气体、CvFw气体(v和w为1以上的整数)、以及含氧气体的第二处理气体生成等离子体，来对硅氧化膜进行蚀刻，其中，在工序(b)和工序(c)中，基板支承部的温度被设定为0℃以下。
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公开(公告)号：CN112786440A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011215778.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447515A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010829812.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，当蚀刻对象包含硅Si时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氮N、氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，化合物包含：碳C以及选自氯Cl、溴Br和碘I中的至少一种卤素。本发明能够改善蚀刻孔的形状并且提高掩模选择比。
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公开(公告)号：CN112133630A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011049271.8
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。
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公开(公告)号：CN111627806A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010106983.2
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b-1)和步骤b-2)。步骤b-1)是供给第1反应物，使第1反应物吸附到凹部的侧壁的步骤。步骤b-2)是供给第2反应物，使第1反应物与第2反应物反应而形成膜的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN111081530A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910847199.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/30 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。例示的实施方式的含硅膜的蚀刻方法，包括在等离子体处理装置的腔室主体内准备被加工物的工序。被加工物具有含硅膜和掩模。掩模设置于含硅膜上。在掩模形成有开口。蚀刻方法还包括蚀刻含硅膜的工序。在进行蚀刻的工序中，为了蚀刻含硅膜，在腔室主体内生成含有碳和七氟化碘的处理气体的等离子体。本发明能够抑制含硅膜的横向的蚀刻。
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公开(公告)号：CN108735596A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810349214.8
申请日：2018-04-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/31116 , C23C16/042 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45525 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/3255 , H01J2237/002 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
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