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公开(公告)号：CN116169018A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310013829.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN112786440A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011215778.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。
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公开(公告)号：CN116805579B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202310255900.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
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公开(公告)号：CN115943481A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180052467.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。
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公开(公告)号：CN116034454A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180054563.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含氟化氢气体及含碳气体。在不包含稀有气体的处理气体中的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。或者，在处理气体中的除了稀有气体以外的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115917711A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180052466.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN114175214A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115885369A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180052527.7
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器，所述蚀刻方法包含以下工序：将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序；将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序；利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序；以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。
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公开(公告)号：CN114175214B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN114496769A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111286695.0
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 所发明的蚀刻方法包括向腔室内提供基板的工序。基板具有包含硅氮化膜的含硅膜。蚀刻方法包括在腔室内由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含含氟气体及含硼气体。在进行蚀刻的工序中，支撑基板的基板支撑器的温度设定为小于0℃的温度。
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