公开(公告)号：CN115943481A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180052467.9

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷圭惠 ,  高桥基 ,  须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大类贵俊

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。

公开(公告)号：CN115885369A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180052527.7

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  大类贵俊 ,  熊谷圭惠 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器，所述蚀刻方法包含以下工序：将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序；将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序；利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序；以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。

公开(公告)号：CN112151370A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010546551.3

申请日：2020-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭岛祐树 ,  久松亨 ,  熊谷圭惠

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时蚀刻第1膜，一边在第1膜的侧壁由通过上述溅射产生的生成物形成保护膜。本发明能够控制通过蚀刻在基片形成的图案形状。

公开(公告)号：CN113745105A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110522833.4

申请日：2021-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  熊谷圭惠 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明涉及形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置。基板处理装置实施蚀刻基板的方法。本方法包括蚀刻基板而在基板形成凹部的第一部分的第一工序。凹部的第一部分包括底面和侧壁。本方法还包括：在侧壁内或侧壁上形成氟硅酸铵(AFS)层的第二工序，以及接着蚀刻底面而形成凹部的第二部分的第三工序。第三工序在维持由AFS层对侧壁的保护的同时实施。

公开(公告)号：CN112802737A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011214947.4

申请日：2020-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷圭惠 ,  久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。

公开(公告)号：CN115312383A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210470922.3

申请日：2022-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  须田隆太郎 ,  木原嘉英 ,  户村幕树 ,  熊谷圭惠

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，控制在等离子体蚀刻中形成的开口的形状。本公开所涉及的基板处理方法包括以下工序：准备具有含硅电介质膜的基板到基板支承器上；以及由包含含氢和氟的气体的处理气体生成等离子体，来蚀刻所述含硅电介质膜，所述蚀刻的工序包括以下工序：向腔室内供给所述处理气体；向所述基板支承器或所述上部电极供给用于生成所述等离子体的第一高频信号的电力供给工序；以及向上部电极施加第一电偏压。

公开(公告)号：CN114512398A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111326876.1

申请日：2021-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷圭惠 ,  须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  大内健次 ,  村上博纪 ,  加贺谷宗仁 ,  酒井宗一朗

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括将具有形成有凹部的第一膜和掩模的基板搬入第一腔室内的工序、将设基板的温度为200℃以上的工序、向第一腔室内供给含硅反应种并使含硅反应种吸附于凹部的侧壁的工序、向第一腔室内供给含氮反应种来在凹部的侧壁形成第二膜的工序、将基板搬入第二腔室内的工序、将基板的温度设为100℃以下的工序以及对凹部的底部进行蚀刻的工序。另外，第二膜的膜厚为20nm以下，凹部的底部的膜厚与凹部的上部侧壁的膜厚之比为0.7以上。另外，按照所记载的顺序重复执行上述各工序，直至从掩模的开口部起至凹部的底部为止的深度尺寸与掩模的开口尺寸之比成为50以上。